一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法，所述二氧化硅蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：氟化铵溶液20％～30％，氢氟酸3％～6％，余量为超纯水。本发明提供的二氧化硅蚀刻液及其制备方法，称取一定量的氟化铵溶液，在搅拌下加入氢氟酸，充分搅拌15分钟；然后加超纯水，搅拌45分钟。接着将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得二氧化硅蚀刻液。本发明蚀刻液经过精密混配，去除产品中的杂质，蚀刻精度高，速度快。
【专利说明】一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种蚀刻液及其制备方法，尤其涉及一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法。
【背景技术】
[0002]电子化学品一般是指为电子工业配套的专用化学品，而超高纯湿电子化学品主要包括集成电路和分立器件用化学品、晶体硅太阳能用化学品和平板显示用化学品等，其具有质量要求高、功能性强、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更精纯。现有的二氧化硅蚀刻液，存在很多缺陷，如蚀刻速度慢，精度低，不能满足客户需求。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法，能够提高蚀刻速度和精度，来满足不同客户的需求，包括以下重量百分比的组合物:氟化铵溶液20%~30%，氢氟酸3%~6%,余量为超纯水。
[0004]上述二氧化硅蚀刻液，其中，所述氟化铵溶液的浓度为40% (重量百分比)。
[0005]上述二氧化硅蚀刻液，其中，所述氢氟酸的浓度为49% (重量百分比)。
[0006]本发明还提供了一种二氧化硅蚀刻液的制备方法，包括如下步骤:称取一定量的氟化铵溶液，在搅拌下加入氢氟酸，充分搅拌15分钟；然后加超纯水，搅拌45分钟；
[0007]其中氟化铵的重量百分比为20 %~30 %，氢氟酸的重量百分比为3 %~6 %，余量为水；
[0008]接着将制得的混合物经0.5 μ m的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5 μ m的有害粒子，即得二氧化硅蚀刻液。
[0009]本发明提供的一种蚀刻液经过精密混配，过滤等操作,去除产品中的杂质,蚀刻精度高，速度快，完全满足极大规模集成电路的生产工艺。
【具体实施方式】
[0010]下面通过实施例描述本发明，但不限于所举实施例。
[0011](I)将电子级硝酸电加热精馏，温度控制在110°C ±10°C ；
[0012](2)将步骤(1)所得产物通过吹白反应釜用氮气去除馏分中的二氧化氮，使其透明无色；
[0013](3)将步骤(2)所得产物放入混配罐，加适量超纯水，搅拌30分钟；
[0014](4)将步骤(3)所得产物通过0.2μπι的过滤器过滤，以除去混合物中粒径大于
0.2 μ m的有害粒子，即得此超高纯硝酸；
[0015]上述一种超高纯硝酸的制备方法，其中:所述步骤(1)中硝酸相对密度为1.40~
1.42。
[0016]所述步骤(3)中硝酸浓度控制在65±0.5%。
[0017]本发明提供一种超高纯硝酸的制备方法，采用上述方式制得的超高纯硝酸杂质少，纯度高的硝酸，能达到PPT等级，完全满足极大规模集成电路的生产工艺。
【权利要求】
1.一种二氧化硅蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物:氟化铵溶液20%~30%，氢氟酸3%~6%，余量为超纯水。
2.根据权利要求1所述的一种二氧化硅蚀刻液，其特征在于，所述氟化铵溶液的浓度为40% (重量百分比)。
3.根据权利要求1所述的一种二氧化硅蚀刻液，其特征在于，所述氢氟酸的浓度为49% (重量百分比)。
4.根据权利要求1所述的一种二氧化硅蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)称取一定量的氟化铵溶液，在搅拌下加入氢氟酸，充分搅拌15分钟；然后加超纯水，搅拌45分钟；其中氟化铵的重量百分比为20%~30%，氢氟酸的重量百分比为3%~6%,余量为水； (2)将制得的混合物经0.5 μ m的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μπι的有害粒子，即得二氧化硅蚀刻液。
【文档编号】C09K13/08GK104164237SQ201310180562
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年5月16日 优先权日:2013年5月16日
【发明者】殷福华, 朱龙, 邵勇 申请人:江阴江化微电子材料股份有限公司