蚀刻剂组成物及利用此的透明电极形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种蚀刻剂组成物、利用此的透明电极的形成方法及显示基板制造方 法。尤其，涉及一种可以蚀刻金属氧化物层的蚀刻剂成分、利用此的透明电极及显示基板制 造方法。
【背景技术】
[0002] 通常，用于显示装置的显示基板包括：作为用于驱动各个像素区域的开关元件的 薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的信号配线以及像素电极。所述信号线包括：栅极线， 传递栅极的驱动信号；数据配线，与所述栅极线交叉并传递数据驱动信号。
[0003] 所述像素电极包含铟锡氧化物、铟锌氧化物等之类的金属氧化物，且为了形成所 述像素电极，使用蚀刻剂组成物。为了蚀刻所述金属氧化物，现有的蚀刻剂组成物包含硫 酸。包含硫酸的蚀刻剂组成物会产生有害物质而会引起环境问题。而且，可能会损伤包括 铜、铝、钼或钛等金属的其他金属膜。
[0004] 为了解决上述问题，若从蚀刻剂组成物中去掉硫酸成分，并提高硝酸的含量，则会 因氮总量的增加，导致废水处理量的增加。
【发明内容】
[0005] 为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种减少对环境有害的物质的产生， 且通过选择性地蚀刻金属氧化层来防止其他金属层的损伤的蚀刻剂组成物。
[0006] 本发明的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法。
[0007] 本发明的另一目的在于提供一种利用所述蚀刻剂组成物的显示基板的制造方法。
[0008] 为了实现所述的本发明的目的，根据一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重 量％以上且小于10重量％ ;氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重 量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；其余重量％ 的水。
[0009] 一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
[0010] -实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
[0011] 一实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
[0012] -实施例中，所述环状氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、恶挫（oxazole)、 异恶挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者异噻唑（isothiazole)。
[0013] 一实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑&
[0014] 根据为了实现所述本发明的另一目的的一实施例的透明电极的形成方法在基板 上形成包括金属氧化物的透明电极层。在所述透明电极层上形成光致抗蚀剂图案。将所述 光致抗蚀剂图案利用为掩膜，向包括所述金属氧化物的透明电极层提供蚀刻剂组成物，以 蚀刻所述透明电极层，其中，所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％ ; 氯化物，0.01重量％以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；环状 氨基化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
[0015] -实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。
[0016] 一实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
[0017] 一实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
[0018] -实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
[0019] -实施例中，所述环状氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、恶挫（oxazole)、 异恶挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者异噻唑（isothiazole)。
[0020] -实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑。
[0021] 根据为了实现所述本发明的另一目的的实施例的显示基板的制造方法在基板上 形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极；半导体层，与所述栅电极重叠；源电极，与所 述半导体层接触；漏电极，与所述半导体层接触且与所述源电极分开。形成覆盖所述薄膜晶 体管的保护膜。对所述保护膜进行图案化，以漏出所述漏电极。在所述保护膜上形成金属 氧化物层。利用蚀刻剂组成物来蚀刻所述金属氧化物层，以形成与所述漏电极连接的像素 电极。所述蚀刻剂组成物包括：硝酸，3重量％以上且小于10重量％ ;氯化物，0. 01重量％ 以上且5重量％以下；氨化合物，0. 1重量％以上且5重量％以下；环状氨基化合物，0. 1重 量％以上且5重量％以下；其余重量％的水。
[0022] -实施例中，所述透明电极可以包括铟锌氧化物或者铟锡氧化物。
[0023] -实施例中，所述硝酸可以包括硝酸或者亚硝酸。
[0024] -实施例中，所述氯化物可以包括氯化钠、氯化钾或者氯化氨。
[0025] -实施例中，所述氨化合物可以包括硫酸铵或者硫化铵。
[0026] -实施例中，所述环状氨基化合物可以包括R比略（pyrrole)、R比唑（pyrazole)、咪 P坐（imidazole)、三挫（triazole)、四挫（tetrazole)、五挫（pentazole)、恶挫（oxazole)、 异恶挫（isoxazole)、噻唑（thiazole)或者异噻唑（isothiazole) 〇
[0027] -实施例中，所述环状氨基化合物可以包括苯并三唑、5-氨基四唑、3-氨基四唑、 5-甲基四唑。
[0028] 根据本发明的实施例的蚀刻剂组成物可以选择性地蚀刻金属氧化层，从而防止对 含铜、钛、钼或者铝的金属层的蚀刻。
[0029] 而且，因为蚀刻液中不包含硫酸，所以可以通过防止硫酸引起的有害物质的产生 来防止环境污染。
【附图说明】
[0030] 图1至图6是表示显示基板制造方法的截面图。
[0031] 符号说明
[0032] GL:栅极线 GE:栅电极
[0033] SE:源电极 DE:漏电极
[0034] AP :有源图案 0C:欧姆接触层
[0035] PE:像素电极 110:基板
[0036] 120 :栅绝缘层 140 :钝化层
[0037] 160 :有机绝缘层
【具体实施方式】
[0038] 下面，首先对于根据本发明第一实施例的蚀刻剂组成物进行说明，然后参考附图 对于利用所述蚀刻剂组成物的透明电极的形成方法以及显示基板的制造方法进行更为详 细的说明。
[0039] 蚀刻剂组成物
[0040] 根据本发明第一实施例的蚀刻剂组成物包括：硝酸、氯化物、氨化合物、环状氨基 化合物及作为其余成分的水。所述的蚀刻剂组成物可以用于选择性地蚀刻金属氧化层。 具体来说，所述蚀刻剂组成物可以用于铟锡氧化物（indium tin oxide ;ΙΤ0)、铟锌氧化物 (indium zinc oxide ;ΙΖ0)、氧化锌（zinc oxide ;ΖΝ0)等透明导电性氧化物的蚀刻。所述 的铟锡氧化物或者铟锌氧化物可以是晶体结构也可以是非晶体结构。所述蚀刻剂组成物可 以防止或者最小化对含铜、铝、钼或钛的金属膜的损伤。下面，对各组成物进行具体的说明。
[0041] 硝酸
[0042] 所述蚀刻剂组成物所包含的硝酸可以蚀刻金属氧化层。比如，硝酸包括硝酸 (HNO3)及亚硝酸（HNO2)。
[0043] 如果硝酸的含量相对于所述蚀刻剂组成物总质量小于3重量％，则会减少所述蚀 刻剂组成物对所述金属氧化层的蚀刻速度，且存在所述金属氧化层被不均匀地蚀刻的问 题。如果所述金属氧化层被不均匀地蚀刻，则可能会被视为是斑点。相反，如果硝酸的含量 超过约10重量％的话，则导致蚀刻速度过快，使蚀刻工艺的调整变得困难。而且，因为氮总 量增加，导致废水处理量的增加。所以，硝酸的含量优选为总重量的约3重量％以上且小于 约10重量％，更优选为5重量％以上且约8重量％以下。
[0044] 本发明的蚀刻剂组成物优选为不包括磷酸、盐酸或者硫酸。如果蚀刻剂组成物中 包含有磷酸、盐酸或者硫酸，则会导致蚀刻剂的PH值降低，进而可能在蚀刻金属氧化层时， 对铜、钛、钼或铝等的金属层造成损伤。
[0045] 氯化物
[0046] 所