专利名称：基片转移装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于以立式(standing-up)状态转移基片的基片转移装置。
技术背景在平板显示器、半导体晶片、用于光掩模的玻璃等中使用的基片要经历 一系列处理，诸如蚀刻、剥离和冲洗，并最终,皮清洗。在制itt片过程中，用于在生产线之间转移基片的基片转移装置是必需 品。通常，基片转移装置以7jc平状态转移基片。近年来，采用大尺寸基片的需求日益增长以降^f良基片的制造成本。为有 效利用转移这样的大尺寸基片所需的空间，基片倾向于以其直立或倾斜的状 态被传送到设备。基片处理的均匀性是决定显示设备(诸如平板显示器或类似物)质量的 重要因素之一。因此，优选将待处理的基片表面完全暴露以均匀处理该基片。 然而，^^基片的一侧安装支承单元并不足以以直立状态稳定转移基片，因 此，要求在基片的两侧均安装支承单元。然而，在这种情况下，基片被例如 支承辊的支承单元部分覆盖，结果在处理基片的时候基片可能被不均匀地处 理。换句话说，当如传统技术领域中一样在基片的两侧都安装支承辊时，基 片未完全暴露，结果在处理基片(例如蚀刻或剥离基片)的时候，难以均匀 处理基片，因此难以制造高质量的基片。为此，已经开发了一种基片转移装置，其包括^基片的一侧i殳置的支 承辊，用于以倾斜状态向设^ft逸基片。然而，即使在这种情况下，基片与 支承皿触，因此其中基片与支承,触的基片部分可能会被损坏。而且， 在基片和支承辊之间没有吸引，因此在基片转移期间当基片向支承辊的相反 侧即使稍稍倾斜时，基片都有很大可能滑落。当以较大程度倾斜基片的状态 转移基片时，基片的稳定性增加。然而，在这种情况下，相比于当基片保持 直立状态的情况增加了安装空间。因此，非常需要这样一种基片转移装置，其能够通过仅设置在基片一侧的支承单元而以立式状态稳定地转移基片，使得可以相对于基片均匀地进行 各种处理。发明内容因此，鉴于上述问题做出了本发明，本发明的目的在于提供一种能够通 过M基片的一側设置的基片立式保持单元而以立式状态稳定转移基片的 基片转移装置。根据本发明，通过提供这样一种基片转移装置可以实现上述以及其它目 的，所述基片转移装置包括基片转移单元和基片立式保持单元，所述基片转 移单元用于在水平方向上以立式状态转移基片，所述基片立式保持单元置于 所述基片转移单元上方，用于在不接触基片的情况下保持基片的立式状态。在传统的基片转移装置中，以基片与基片立式保持单iM目接触的状态来 转移基片，因此可能会损坏基片。而且，在基片的每一侧均安M片立式保 持单元，因此在处理基片的时候，由基片立式保持单元^^的基片部分没有 被充分处理，或者基片的，处理被不均匀地执行。然而，根据本发明，基 片立式保持单元被安^基片 一侧而不与基片接触，因此防止了在基片转移 期间对基片的损坏，并且实现了基片的均匀处理。优选地，基片立式保持单元包括具有面向基片的平坦表面的至少一个基 片立式保持模块以及穿过基片立式保持模块形成的至少一个流体供给孔。具 有穿过其中形成的一个或多个流体供给孔的一个或多个基片立式保持^ 被用作基片立式保持单元。当将基片立式保持模块彼此靠a布置时，基片 立式保持模块的吸引力就过度增加，因》傳以转移基片。为此，优选将基片 立式保持模块布置为使得邻近的基片立式保持模块彼此间隔预定距离，由此 在保持基片的立式状态的同时顺利实现基片的转移。在基片和基片立式保持 单元之间提供流体，以m4片不会落到与基片立式保持单;U目对的另 一侧 上，但仍保持立式状态。有必要提供流体供给喷嘴和流体供给管线，以使在 基片转移期间在基片和基片立式保持单元之间提供流体。优选地，基片立式保持单元包括具有面向基片的平坦表面的至少一个基 片立式保持皿，该基片立式保持*由多孔材料制成。尽管具有流体供给 喷嘴的基片立式保持模块如先前所描述的被用作基片立式保持单元，但是当 基片立式保持*是由多孔材料制成时，可以在基片和基片立式保持^之4间供应流体而无需形成流体供给喷嘴。优选地，基片立式保持单元包括彼此间隔布置的多个喷气口以及安M 各个喷气口的出口中心的多个气流导向器。通过喷气口中心的气流被安^ 各个喷气口的出口中心的气流导向器阻断，因此，气流在喷气口的径向方向 上被向外引导。因此，从喷气口喷出的气体并不流向基片，而是与基片平行， 并且之后气体可以通#基片和喷气口之间限定的空间出去。由于从喷气口 喷出的气流，使得在基片和喷气口之间限定的空间的密度低于未设置喷气口 的基片那一侧的密度。因此，设置喷气口的一侧的基片压力低于未设置喷气 口的那一侧的基片压力，因此力^D^加到基片上，使得基片被推向基片立式 保持单元，因此，基片以立式状态被稳定保持。优选地，每个喷气口在其出口的横截面积都大于每个喷气口在其入口的 横截面积。当喷气口的出口被加宽时，气流在喷气口的径向方向上被更好地 引导，因此，气体的^ii增大得越来越快。因此，基片和基片立式保持单元之间的压力进一步降低，并且因此，更大的力被;^n到基片，使得基片被推 向基片立式保持单元。因此，基片被更加稳定地转移，同时基片不会落在与 基片立式保持单元相对的另 一侧。
结合附图，由下面的详细描述将更清晰的理解本发明的上#其它目的、特征以及其它优点，其中图l是示出才緣本发明的基片转移装置的工作的视图；图2是示出根据本发明的基片立式^#^的实施方案的视图；图3是示出賴换本发明的包括具有穿过其中形成的流体供给孔的基片立式^f狭的基片转移装置的视图；图4是示出才緣本发明的包括由多孑1#^^成的基片立式 #^的基片转移装置的视图；以及图5是示出根据本发明的包括喷气口的基片^f多装置。
具体实施方式
现在，将参照附图详细描述本发明的优选实施方案。图l是示出根据本发明的基片转移装置的实施方案的视图。根据该实施方案的基片转移装置包括基片转移单元100和基片立式保 持单元200。基片S在由基片立式保持单元200保持立式的同时，在水平方 向上由基片转移单元100转移。在传统技术领域中，支承辊用于以基片直立或与基片立式保持单元成特定角度倾斜的状态(即，以立式状态)iMI定转移基片。然而，当支承辊仅被置于基片的一侧时，在转移基片期间，基片可能会落在其中没有设置支承 辊的基片的另一侧，因此损坏基片(通常是玻璃基片)的可能性大大增加。 另 一方面，当支承^^皮置于基片的相对侧以稳定转移基片时，在处理基片时， 基片被支承辊部分M,因此不可能均匀处理基片。然而，本发明的特M于基片S的立式状态由基片S和基片立式保持单元200之间的引力所保持。 具体地，在基片S和基片立式保持单元200之间提供流体，并且基片S的立 式状态是由所提供流体的表面张力来保持的。当基片S向基片立式保持单元 200的相对另一侧倾斜时，基片S和基片立式保持单元200之间的距离增加， 因此流体的表面面积增加。通常，当流体的表面面积增加时，流体呈现出减 少其表面面积的性质。为此，引力通过流体的表面张力作用在基片S和基片 立式保持单元200之间，因此基片S并不会落在基片立式保持单元200的对 侧，而是保持立式状态。因此，尽管基片S的一侧完全暴露，但是还可以稳 定转移基片S。基片转移单元100是用于在水平方向上转移立式基片S的组件。在该实 施方案中，基片转移单元100包括多个可旋转的辊。这些皿触基片S的下 端旋转以在水平方向上转移基片S。在该实施方案中，如图l所示，在每个 辊中形成凹槽以防止基片s与辊分离。尽管在该实施方案中这些,成了基 片转移单元200，但是也可以使用传送带、球、流体喷射设备等#^片 转移单元200。如图l所示，在转移基片S期间，基片立式保持单元200位于基片转移 单元100上方。而且，基片立式保持单元200面向置于基片转移单元100上 的基片S的一侧，而基片立式保持单元200并不接触基片S。基片S不会落 在未设置基片立式保持单元200的一侧，而是通it&片S和基片立式保持单 元200之间的流体的表面张力被稳定保持在立式状态。因此，根据本发明， 尽管M基片S的一侧设置基片立式保持单元200,但仍可以稳定地转移基 片S。而且，由于基片的另一側被完全暴露，所以可以对基片均勻地执行各种处理。在该实施方案中，M基片S的一侧设置基片立式保持单元200,并且因此与在基片s的两侧均设置基片立式保持单元200的情;;U目比，可以 减少基片转移装置的安装面积和安装成本。而且，基片s不接触基片立式保 持单元200而被转移，因此，可以在不损坏基片s的情况下稳定地转移立式 基片s。图2是示出根据本发明的基片立式^#单元200的实施方案的视图。在该 实施方案中，基片立式保持单元200包括基片立式^N^220a、穿it^片 立式 ^夹220a形成的流^^^^孔230a、底板210以及流体供给管线240。 如上所述，基片立式,单元200包括至少一个基片立式^M^块220a。当 将基片立式^^块220a彼jtb^i^布置时，可以更稳定J4W^基片的立式 状态。然而，基片的转移可能会^L^片立式^^^:220a的形巨离布置所干 扰。为此，如图2所示，优选将基片立式^^块220a布置为使得邻近的基 片立式 #^: 220a彼此间隔预定的距离。可以根据基片的大小调节基片立 式^#^ 220a的大小以M片立式^^ 220a之间的距离。面对基片的 每个基片立式 #^: 220&的平面是平坦的，并且穿过每个基片立式保械 块220a形成了所述至少一个流体供给孔230a，使得通it^斤述至少一个流体供 给孔230a在基片和每个基片立式^#^: 220a之间提供流体。如图2和3所示,通过流体^^给孔230a在基片S和基片立式^#^块220a 之间提供流体。替4狄，如图4所示，还可以通过多孑UL件提供流体。糾地， 基片立式保##块2201)可以由多孑1#料制成。在这种情况下，可以不必形成 穿过^h基片立式^^: 220b的流体供给孔而在基片S和基片立式##^ 块220b之间提供流体。本发明的实施方案并不限于形成流体供给孑L^提供多孑L基片立式 #^ 块。也^tA说，可以采用其它不同的方式在基片和基片立式,单元之间提供 流体。另夕卜，如图5所示，基片立式^#单元可以包括多个喷气口 250以及多个 气流导向器260。如图5所示，喷气口 250形成于各个基片立式^M^块220c 中。替代地，在没有设置基片立式^^i块220c的情况下，可以单独设置喷 气口 250。喷气口 250用作向基片S喷射通过供气管线240提供的气体。每个 气流导向器260被安^^t应的喷气口 250的中心，用于在径向方向上向外引 导对应喷气口 250的气流。在不^^供气流导向器260的情况下，从喷气口 2507排出的气^Ll接喷向基片S。为此，提供气流导向器260并不^了沿其中 直##气体导向基片S的方向上引导喷射的气流，而是为了沿其中通it^基片 S和喷气口 250之间P艮定的各个空间向喷气口 250"卜排出喷射气体的方向上 引导喷射的气流。也lfc^说，通过喷气口 250中心的气流被安f^E各个喷气口 250中心的气流导向器260所阻断。因此，气体并没有直接流出，而是流向其 中并未安装气流导向器260的空间。因此，如图5所示，在喷气口 250的径向 方向上向外引导气流。如图5所示，气流导向器260形成为锥形形状。然而， 只要气流导向器260可以在径向方向上向外引导气流，就并不特别限制气流导 向器260的形状。例如，气流导向器260可以形成为平板、三棱锥等的形状。 由于通过气流导向器260在径向方向上向喷气口 250 "卜引导气流，如图 5所示，所以气流并不在基片S和喷气口 250之间限定的空间内积聚，而是在 径向方向上快速流向喷气口 250 "卜。在气体快速流动的地方，气体的密度降 低，因jH^力就降低。因此，由于这样的压力差，力g气体慢速流动的地方 ;^a到气体快速流动的地方。由于气流在径向方向上流向喷气口O卜，所以在 喷气口一侧的基片压力变得低于未设置喷气口那一侧的基片压力。因此，力被施加到基片，使得基片被推向喷气口，因此基片并不落在与喷气口相对的另一 侧，而^_稳定地##立式状态。在喷气口和基片之间的气流^i4^快，在基片和喷气口之间限定的空间压力就越低。因此，当喷气口形成在各个基片立式保持模块中时，优选将基 片立式保持皿布置为使得基片立式保持模块并不彼此接近，而是彼此间隔足够的距离。也就是说，和基片立式保持模块并不彼此接近时的情》;u目比，当基片立式保持*彼此间隔足够的距离时，气体可以更顺利地^A在相邻 基片立式保持模块之间限定的空间内。因此，从喷气口喷射的气体并不会积 聚，而是快速流向喷气口O卜，因此被施加到基片使得基片被推向喷气口的 力增大，因此基片更稳定地保持立式状态。而且，优选#^个喷气口 250形成为使得每个喷气口 250在其出口的横 截面积大于每个喷气口 250在其入口的横截面积。当使用分别具有大出口的 各喷气口时，由气流导向器快速引导的气体可以更快速向外流动。因此，基 片立式保持单元一侧的基片压力和与基片立式保持单元相对一侧的基片压 力之间的压力差进一步增加，并且因此，可以在更稳定保持基片的立式状态 的同时转移基片。如M述描述所显而易见的，根据本发明的基片转移装置能够在处理基 片时完全暴露基片的一侧，同时通迚基片立式保持单元保持基片的立式状 态。因此，本发明具有改善基片处理的均匀性并且因此实现生产高质量基片的效果。对于大尺寸基片来说，和以水平状态转移大尺寸基片的情;;U目比， 当以立式状态转移大尺寸基片时，降低了基片转移装置的安装面积。而且， 降低了基片和处理溶液之间的^Ji时间，由此减少了基片处理时间，并且因 此改进了生产率。尽管已经出于说明的目的公开了本发明的优选实施例，但是本领域的普 通技术人员将理解，在不偏离如所附权利要求所公开的本发明的范围和精神 的情况下，可以进行各种修改、添加和替换。
权利要求
1.一种基片转移装置，包括用于在水平方向上以立式状态转移基片的基片转移单元；以及设置于所述基片转移单元上方用于以不接触基片的方式保持基片立式状态的基片立式保持单元。
2. 根据权利要求1所述的基片转移装置，其中所述基片立式保持单元 包括具有面向所逸基片的平坦表面的至少一个基片立式保持模块；以及 通过所述基片立式保持模块形成的流体供给孔。
3. 根据权利要求1所述的基片转移装置，其中所述基片立式保持单元 包括具有面向所ii^片的平坦表面的至少一个基片立式保持模块，所逸基片 立式保持模块由多孔材料制成。
4. 根据权利要求1所述的基片转移装置，其中所述基片立式保持单元 包括彼此间隔布置的多个喷气口；以及 安^各个喷气口的出口中心的多个气流导向器。
5. 根据权利要求4所述的基片转移装置，其中每个喷气口在其出口的 横截面积大于每个喷气口在其入口的横截面积。
全文摘要
在此公开了一种基片转移装置，包括基片转移单元和基片立式保持单元，所述基片转移单元用于在水平方向上以立式状态转移基片，所述基片立式保持单元置于所述基片转移单元上方，用于以不接触基片的方式保持基片的立式状态。根据本发明的基片转移装置能够在处理基片时完全暴露基片的一侧，同时通过基片立式保持单元保持基片的立式状态，从而改善了基片处理的均匀性并因此实现了高质量基片的生产。对于大尺寸基片来说，和以水平状态转移大尺寸基片时的情况相比，当以立式状态转移大尺寸基片时，降低了基片转移装置的安装面积。而且，降低了基片和处理溶液之间的反应时间，由此减少了基片处理时间，并且因此改进了生产率。
文档编号B65G47/00GK101330031SQ20081011146
公开日2008年12月24日 申请日期2008年6月19日 优先权日2007年6月20日
发明者张大铉, 金八坤 申请人:Fns科技株式会社