Dmos圆片传输履带速度控制装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体用圆片加工装置，尤其是一种DMOS圆片传输履带速度控制
目.ο
【背景技术】
[0002]DMOS圆片在加工过程中用于进行传输的传输履带通常由驱动电机驱动辊轮以使其传动，同时通过多个滚轮轴以实现传输履带的前行或转向。现有技术方案中，用于对传输履带的转速进行控制的控制装置往往安装于驱动电机的输出端，即其所监测的转速实际为电机转速，而对于履带传动过程中发生的异变则无法进行及时监测与控制。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种DMOS圆片传输履带速度控制装置，其可有效监测履带传输速度与状态。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种DMOS圆片传输履带速度控制装置，其包括有传输履带，传输履带内部设置有多个辊筒与滚轮轴，传输履带在多个辊筒与滚轮轴之间进行延伸，所述辊筒均由驱动电机进行驱动;所述传输履带延伸至用于对DMOS圆片加工的工艺腔室、冷却腔室、蚀刻腔室以及超声波腔室之中；所述传输履带中，至少一个滚轮轴之上设置有光电检测装置，光电检测装置包含有设置在滚轮轴之上的光电检测盘，以及与光电检测盘相对的光电传感器。
[0005]作为本发明的一种改进，所述冷却腔室与工艺腔室位于同一水平位置，且其相互连接，冷却腔室中包含有出料口，所述传输履带经由出料口朝向蚀刻腔室进行延伸，所述蚀刻腔室位于冷却腔室的下方;所述冷却腔室与蚀刻腔室之间包含有检测滚轮轴，所述光电检测装置设置于检测滚轮轴之上。采用上述设计，其可通过冷却腔室与蚀刻腔室的相对位置，以及光电检测装置的位置设置，避免蚀刻腔室工作过程中产生的氢氟酸以及粉尘对检测装置造成影响。
[0006]作为本发明的一种改进，所述检测滚轮轴与冷却腔室之间的距离小于检测滚轮轴与蚀刻腔室之间的距离，其可有效控制检测装置与蚀刻腔室之间的距离，从而进一步避免检测装置收到影响。
[0007]作为本发明的一种改进，位于检测滚轮轴所在位置进行延伸的传输履带，其与冷却腔室之间的距离至多为10厘米。
[0008]作为本发明的一种改进，所述检测滚轮轴的对应位置设置有防护挡板，其设置于检测滚轮轴与蚀刻腔室之间。采用上述设计，其可通过防护挡板有效遮挡蚀刻腔体内的反应产物，从而使得检测装置的工作稳定性达到最佳。
[0009]采用上述技术方案的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其可通过光电检测装置对于滚轮轴的旋转速度进行监测；由于滚轮轴用于控制传输履带的前行与转向，滚轮轴的转速即为传输履带，故而上述技术方案可通过光电检测装置实时检测滚轮轴的转速，从而对传输履带的速度进行监测，并对其进行相应控制，以确保圆片加工的稳定性。
【附图说明】
[00?0]图1为本发明不意图；
图2为本发明实施例2示意图；
附图标记列表:
I 一传输履带、2—辊筒、3—滚轮轴、31—检测滚轮轴、4 一工艺腔室、5—冷却腔室、6—蚀刻腔室、7—超声波腔室、8—光电检测装置、81 —光电检测盘、82—光电传感器、9 一防护挡板。
【具体实施方式】
[0011]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0012]实施例1
如图1所示的一种DMOS圆片传输履带速度控制装置，其包括有传输履带1，传输履带I内部设置有多个辊筒2与滚轮轴3，传输履带I在多个辊筒2与滚轮轴3之间进行延伸，所述辊筒2均由驱动电机进行驱动;所述传输履带I延伸至用于对DMOS圆片加工的工艺腔室4、冷却腔室5、蚀刻腔室6以及超声波腔室7之中；所述传输履带I中，至少一个滚轮轴3之上设置有光电检测装置8，光电检测装置8包含有设置在滚轮轴3之上的光电检测盘81，以及与光电检测盘81相对的光电传感器8 2。
[0013]作为本发明的一种改进，所述冷却腔室5与工艺腔室4位于同一水平位置，且其相互连接，冷却腔室5中包含有出料口 8，所述传输履带I经由出料口 8朝向蚀刻腔室6进行延伸，所述蚀刻腔室6位于冷却腔室5的下方;所述冷却腔室5与蚀刻腔室6之间包含有检测滚轮轴31，所述光电检测装置8设置于检测滚轮轴31之上。采用上述设计，其可通过冷却腔室与蚀刻腔室的相对位置，以及光电检测装置的位置设置，避免蚀刻腔室工作过程中产生的氢氟酸以及粉尘对检测装置造成影响。
[0014]作为本发明的一种改进，所述检测滚轮轴31与冷却腔室5之间的距离小于检测滚轮轴31与蚀刻腔室6之间的距离，其可有效控制检测装置与蚀刻腔室之间的距离，从而进一步避免检测装置收到影响。
[0015]作为本发明的一种改进，位于检测滚轮轴31所在位置进行延伸的传输履带I，其与冷却腔室5之间的距离为8厘米。
[0016]采用上述技术方案的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其可通过光电检测装置对于滚轮轴的旋转速度进行监测；由于滚轮轴用于控制传输履带的前行与转向，滚轮轴的转速即为传输履带，故而上述技术方案可通过光电检测装置实时检测滚轮轴的转速，从而对传输履带的速度进行监测，并对其进行相应控制，以确保圆片加工的稳定性
实施例2
作为本发明的一种改进，所述检测滚轮轴31的对应位置设置有防护挡板9，其设置于检测滚轮轴31与蚀刻腔室6之间。采用上述设计，其可通过防护挡板有效遮挡蚀刻腔体内的反应产物，从而使得检测装置的工作稳定性达到最佳。
[0017]本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
【主权项】
1.一种DMOS圆片传输履带速度控制装置，其包括有传输履带，传输履带内部设置有多个辊筒与滚轮轴，传输履带在多个辊筒与滚轮轴之间进行延伸，所述辊筒均由驱动电机进行驱动;所述传输履带延伸至用于对DMOS圆片加工的工艺腔室、冷却腔室、蚀刻腔室以及超声波腔室之中；其特征在于，所述传输履带中，至少一个滚轮轴之上设置有光电检测装置，光电检测装置包含有设置在滚轮轴之上的光电检测盘，以及与光电检测盘相对的光电传感器。2.按照权利要求1所述的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其特征在于，所述冷却腔室与工艺腔室位于同一水平位置，且其相互连接，冷却腔室中包含有出料口，所述传输履带经由出料口朝向蚀刻腔室进行延伸，所述蚀刻腔室位于冷却腔室的下方;所述冷却腔室与蚀刻腔室之间包含有检测滚轮轴，所述光电检测装置设置于检测滚轮轴之上。3.按照权利要求2所述的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其特征在于，所述检测滚轮轴与冷却腔室之间的距离小于检测滚轮轴与蚀刻腔室之间的距离。4.按照权利要求3所述的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其特征在于，位于检测滚轮轴所在位置进行延伸的传输履带，其与冷却腔室之间的距离至多为10厘米。5.按照权利要求4所述的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其特征在于，所述检测滚轮轴的对应位置设置有防护挡板，其设置于检测滚轮轴与蚀刻腔室之间。
【专利摘要】本发明公开了一种DMOS圆片传输履带速度控制装置，其包括有传输履带，传输履带内部设置有多个辊筒与滚轮轴，传输履带在多个辊筒与滚轮轴之间进行延伸；所述传输履带中，至少一个滚轮轴之上设置有光电检测装置，光电检测装置包含有设置在滚轮轴之上的光电检测盘，以及与光电检测盘相对的光电传感器；采用上述技术方案的DMOS圆片传输履带速度控制装置，其可通过光电检测装置对于滚轮轴的旋转速度进行监测；由于滚轮轴用于控制传输履带的前行与转向，滚轮轴的转速即为传输履带，故而上述技术方案可通过光电检测装置实时检测滚轮轴的转速，从而对传输履带的速度进行监测，并对其进行相应控制，以确保圆片加工的稳定性。
【IPC分类】B65G23/04, B65G43/00
【公开号】CN105564904
【申请号】CN201510806224
【发明人】史进, 伍志军
【申请人】苏州赛森电子科技有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年11月20日