本发明涉及一种多晶片料清洗方法,应用于料理工序半自动岗位。
背景技术:
多晶片料为多晶小方锭经过砂浆切割或者金刚线切割后形成的碎片,其碎片中含有大量非硅杂质(玻璃、胶条、钢线,螺丝等),表面还附着浆料、金属离子、氧化层,传统方法统一采取碱洗——漂洗——混酸中和——漂洗——烘干——分选——包装,通常这种方法清洗出来的碎片表面存在碱斑,水斑,以及玻璃、胶条、钢线,螺丝等非硅杂质,工人分选难度大,且难以全部分选出,碎片料质量无法达到高纯度要求,再回炉质量波动大。
技术实现要素:
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种针对多晶碎片料中存在的非硅杂质逐一去除的清洗方法,以提高多晶片料纯度。
本发明具体采用如下技术方案:
第一步:碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有的铁磁性杂质;
第二步:经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器,将碎片中的金属杂质去除;
第三步:使用800-850度高温煅烧,将碎片料中含胶物质分解成粉末状;
第四步:使用70%浓度以上的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h-48h,将碎片料中玻璃溶解且去除碎片料表面氧化层;
第五步:使用99%纯度以上的氢氧化钠水溶液腐蚀碎片料,用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg,去除碎片料表面附着的浆料、杂质等,腐蚀时间控制在3-4分钟;
第六步:使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗,然后进行烘干、分选、包装。
通过本发明对多晶碎片料清洗方法的改进,针对碎片料中各种非硅杂质逐一去除,不仅可以有效去除多晶碎片料中含有的杂质以及表面附着的浆料,金属等,提升碎片料的清洗质量,使得多晶碎片料的质量达到高纯度硅料要求,同时可降低分选工人劳动强度,提高生产效率和经济效益。
具体实施方式
实施例一
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤:
第一步:碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质,磁辊的磁场强度为背景14000gs,梯度18000gs;
第二步:经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器,将碎片中的金属杂质去除;
第三步:使用800度高温煅烧,将碎片料中含胶物质分解成粉末状;
第四步:使用70%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料48h,将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层;
第五步:使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料,用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg,去除碎片料表面附着的浆料、杂质等,腐蚀时间控制在3-4分钟,理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米。
第六步:使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗,然后进行烘干、分选、包装。
实施例二
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤:
第一步:碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质,磁辊的磁场强度为背景14000gs,梯度18000gs;
第二步:经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器,将碎片中的金属杂质去除;
第三步:使用825度高温煅烧,将碎片料中含胶物质分解成粉末状;
第四步:使用73%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料36h,将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层;
第五步:使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料,用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg,去除碎片料表面附着的浆料、杂质等,腐蚀时间控制在3-4分钟,理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米;
第六步:使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗,然后进行烘干、分选、包装。
实施例三
本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤:
第一步:碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质,磁辊的磁场强度为背景14000gs,梯度18000gs;
第二步:经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器,将碎片中的金属杂质去除;
第三步:使用850度高温煅烧,将碎片料中含胶物质分解成粉末状;
第四步:使用75%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h,将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层;
第五步:使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料,用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg,去除碎片料表面附着的浆料、杂质等,腐蚀时间控制在3-4分钟,理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米。
第六步:使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗,然后进行烘干、分选、包装。