一种UASB三相分离器的制作方法

本发明及一种水处理装置，具体涉及一种厌氧污水处理的UASB三相分离器。

背景技术：

UASB(上流式厌氧污泥床)由于在处理高浓度有机废水具有独特的优势，已被广泛用于食品废水、屠宰废水和养殖废水等领域，其处理效率和出水水质受UASB三相分离器影响较大。

三相分离器是UASB核心部件，主要用于气－固－液三相分离。目前很多三相分离器由于设计不合理，导致UASB经常跑泥，对污水处理效果较差，严重时导致UASB 无法运行，浪费业主大量投资。还有一部分三相分离器设计过于复杂，安装制作高，费用高。

技术实现要素：

鉴于现有技术中存在上述不足之处，本发明的研究人员通过大量深入研究工作，研究出了一种新的UASB三相分离器。

本发明的目的在于提供一种UASB三相分离器。

本发明提供了一种UASB三相分离器，其特征在于，所述UASB三相分离器包括集气罩、集气箱、沼气排放管、沉淀区、导流布、清水区；其中所述集气罩一端固定密封在UASB池壁上，另一端固定密封在集气箱的侧壁上；所述沼气排放管一端安装于集气箱顶盖上，另一端伸出至清水区液面上；所述沉淀区位于集气箱的上部，清水区位于沉淀区上部；所述导流布内置于沉淀区内。

在一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述集气罩分为上下两层，两层集气罩下端重叠投影量大于200mm，上下两层集气罩水平夹角均为

55°～60°。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述下层集气罩间和上下两层集气罩间形成的污泥回流缝间距大于200mm。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述集气箱底部敞开，其两边侧壁与上下两层集气罩一端通过孔洞连接。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述沉淀区上升流速不超过2m/h，高度不小于1.5m。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述导流布间距为 200～500mm，高度与沉淀区高度一致，通过绳索悬挂的方式固定在沉淀区内。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述清水区高度不小于500mm。

附图说明

图1为UASB三相分离器集气罩、集气箱、沼气排放管平面布置图。

图2为UASB三相分离器结构示意图。

图中各标号分别为：1、集气罩；2、集气箱；3、沼气排放管、4、沉淀区、5、导流布、6、清水区。

具体实施方式

为了便于本发明内容的理解，下面结合附图和具体实施例对本发明的实施过程作进一步的说明。

图1为UASB三相分离器集气罩、集气箱、沼气排放管平面布置图。

图2为UASB三相分离器结构示意图。

请参阅图1所示，本发明提供了一种UASB三相分离器，所述UASB三相分离器包括集气罩1、集气箱2、沼气排放管3、沉淀区4、导流布5、清水区6；其中所述集气罩1一端固定密封在UASB池壁上，另一端固定密封在集气箱2的侧壁上；所述沼气排放管3一端安装于集气箱2顶盖上，另一端伸出至清水区6液面上；所述沉淀区 4位于集气箱的上部，清水区6位于沉淀区4上部；所述导流布5内置于沉淀区4内。

在一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述集气罩1分为上下两层，两层集气罩1下端重叠投影量大于200mm，上下两层集气罩1水平夹角均为 55°～60°。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述下层集气罩1 间和上下两层集气罩1间形成的污泥回流缝间距大于200mm。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述集气箱2底部敞开，其两边侧壁与上下两层集气罩1一端通过孔洞连接。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述沉淀区4上升流速不超过2m/h，高度不小于1.5m。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述导流布5间距为200～500mm，高度与沉淀区4高度一致，通过绳索悬挂的方式固定在沉淀区4内。

在另一个优选例中，所述的UASB三相分离器，其特征在于，所述清水区6高度不小于500mm。

本发明UASB三相分离器工作原理如下：

(1)污水在UASB反应区和厌氧污泥接触后会产生沼气，沼气携带污泥与污水向上流；

(2)当沼气泡碰到集气罩1后被集气罩1收集；由于集气罩1和集气箱2相通，被集气罩捕捉到的沼气到达一定量后向集气箱2聚集；集气箱1收集的沼气通过沼气排放管3向外输送。

(3)厌氧污泥中的沼气被集气罩1剥离后，一部分返回UASB反应区，一部分继续随水流通过污泥回流缝上升至沉淀区4；泥水混合物在沉淀区4内的导流布5 导流作用下上升流动；在上升流动过程中，污泥下沉，从污泥回流缝中返回 UASB反应区，污水流到清水区，完成泥水分离过程。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。