一种用作光电催化析氢材料的MoS2/In2S3复合催化剂及其制备方法与流程

文档序号:12353305阅读:585来源:国知局
一种用作光电催化析氢材料的MoS2/In2S3复合催化剂及其制备方法与流程

本发明属于能源材料领域,具体涉及一种用作光电催化析氢材料的MoS2/In2S3复合催化剂及其制备方法。



背景技术:

化石燃料燃烧释放大量有毒气体,造成了严重的环境污染和危害了人们的身体健康,因此开发利用新型的清洁能源是我们面临的迫切任务。相对于风能、核能等新型可再生清洁能源,氢气具有制备条件简单、设备价格相对低廉、绿色环保等优点,且具有燃烧热值高、产物为水,没有有害气体物质生成,不污染环境,因此绿色环保可再生能源氢气具有广泛的应用前景。传统制氢方法有石油裂解法和水煤气法等,这些方法需要消耗化石原料且制备的氢气纯度低。而光电解水制氢以水为原料,原料水来源广、价格低廉且可循环使用。单纯的电解水往往消耗巨大的电能,光电析氢材料能够吸收太阳光,将光能转化为电能,减少了对电能的消耗。析氢电极材料需要具有高的电化学稳定性和较低的过电位,过电位低意味着电解水时消耗较低的电功。因此,析氢性能可以用塔菲尔斜率来衡量,塔菲尔斜率反映了参与电子数和动力学过程。塔菲尔斜率越小,则析氢性能越好。

贵金属如Pt已经被广泛证实是优异的析氢催化剂,具有接近于零伏的低过电位(相对于可逆氢电极)和小的塔菲尔斜率,催化活性高且稳定,但价格昂贵且稀少限制了它的广泛应用,因此开发无贵金属的析氢催化剂迫在眉睫。

MoS2是一种非常优异的析氢阴极催化剂,价格低廉,具有优越的化学稳定性和析氢活性,但是,单独的MoS2边缘析氢活性位点比较少,光生电子和空穴容易复合,严重降低了MoS2的光电析氢性能。



技术实现要素:

为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供一种用作光电催化析氢材料的MoS2/In2S3复合催化剂及其制备方法,采用水热法制备了MoS2/In2S3复合催化剂,In2S3的加入能够增加MoS2的析氢活性位点,降低光生电子和空穴的复合几率,极大的提高了光电催化析氢性能。并且水热法制备工艺简单,易于操作。

本发明采用如下技术方案,一种用作光电催化析氢材料的MoS2/In2S3复合催化剂的制备方法,将钼源、铟源和硫源配置成溶液,经混合搅拌,超声分散均匀后,利用一步水热法在ITO玻璃基底上制备出所述的MoS2/In2S3复合催化剂。

在本发明优选的实施方式中,所述的制备方法具体包括以下步骤:

(1)将钼源和铟源溶于水得到溶液,其中钼和铟的摩尔比为1:(0.5-10);

(2)在步骤(1)中配置的溶液中加入硫源,并超声分散均匀;

(3)将步骤(2)得到的溶液和预处理过的基底ITO置于水热釜中,水热温度控制在150-220ºC,水热时间控制在15-24h;

(4)反应结束冷却到室温,取出基底ITO,分别在无水乙醇和去离子水浸泡,烘干,最后在ITO玻璃上得到MoS2/In2S3复合催化剂。

在本发明优选的实施方式中,所述的钼源为钼酸钠、钼酸铵、氧化钼。

在本发明优选的实施方式中,所述的铟源为氯化铟、硝酸铟、氧化铟。

在本发明优选的实施方式中,所述的硫源为硫代乙酰胺、硫脲、硫化钠。

在本发明优选的实施方式中,所述的超声分散的时间为10-30min。

在本发明优选的实施方式中,钼和铟的摩尔比为1:(2-5),更优选为1:(2-3),最优选为1:2。

在本发明优选的实施方式中,钼和硫的摩尔比为1: (5-10),更优选为1: 6.67。

在本发明优选的实施方式中,基底ITO的预处理为:将切割好ITO玻璃依次在丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗15min,烘干待用,以去除表面的杂质避免影响实验。

在本发明优选的实施方式中,步骤4)中的浸泡时间为10-60min。

本发明还保护上述的制备方法制备得到的MoS2/In2S3复合催化剂。

另外,作为比较,单纯的MoS2的制备工艺与上述MoS2/In2S3复合催化剂的制备工艺相同,除了体系中不加铟盐外。

本发明制备的MoS2/In2S3复合催化剂,与现有技术相比具有以下有益效果:

(1)本发明利用一步水热法制备MoS2/In2S3复合催化剂,用硫代乙酰胺替代传统的硫脲、尿素为硫源。反应中没有任何表面活性剂和其他添加剂,对环境无污染。水热制备工艺简单、易于操作和实验重复性好。

(2)在ITO玻璃基底上直接生长出MoS2/In2S3复合催化剂,样品致密且连续。

(3)本发明中制备的MoS2/In2S3复合催化剂具有优异的光电催化性能,在光电催化制氢方面具有广泛的应用前景。

附图说明

以下结合附图对本发明作进一步说明:

图1是实施例1中制备的MoS2/In2S3复合催化剂的X射线光电子能谱图(XPS)

其中,a图为XPS全谱图,b图为In元素的XPS谱图,c图为Mo元素的XPS谱图,d图为S元素的XPS谱图;

图2是实施例1中制备的MoS2的扫描电子显微镜图;

图3是实施例1中制备的MoS2/In2S3复合催化剂的扫描电子显微镜照片;

图4是实施例1中制备的MoS2和MoS2/In2S3复合催化剂的塔菲尔斜率图;

图5是实施例2中制备的MoS2/In2S3复合催化剂的扫描电子显微镜照片。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,而不构成对本发明的限制。

实施例1

(1)分别称取0.015g二水合钼酸钠和0.0266g氯化铟(摩尔比为1:2)溶于20ml去离子水中;

(2)称取0.03g硫代乙酰胺于步骤(1)溶液中,搅拌均匀后超声30min;

(3)将步骤(2)配置的溶液转移到25ml水热釜的聚四氟乙烯内衬中,将预处理好的ITO玻璃导电面朝下斜放在于内胆中,把水热釜和内衬密封后,将水热釜的温度控制在220ºC,水热时间控制在20h,得到附着力良好的MoS2/In2S3复合催化剂;

(4)取出ITO玻璃分别在无水乙醇和去离子水浸泡15min,烘干,得到MoS2/In2S3复合催化剂。

单纯MoS2的制备:称取0.015g二水合钼酸钠和0.03g硫代乙酰胺溶于20ml去离子水中,搅拌均匀后超声30min;将超声好的溶液转移到25ml水热釜的聚四氟乙烯内衬中,将预处理好的ITO玻璃导电面朝下斜放在于内胆中,把水热釜和内衬密封后,将水热釜的温度控制在220ºC,水热时间控制在20h,得到附着力良好的MoS2催化剂。

图1的XPS谱图说明制备的复合催化剂中确实存在MoS2和In2S3,没有杂质物质生成。制备的单纯MoS2的Mo元素和S元素的XPS谱图与图1的基本一致,也证实了单纯MoS2的存在。图2的扫描电镜图可知单纯MoS2为片层结构,图3 MoS2/In2S3复合催化剂的扫描电镜图说明In2S3的加入没有改变MoS2的片层结构且片层厚度减小。从图4的塔菲尔斜率图可知,MoS2/In2S3复合催化剂在无光和有光下的塔菲尔斜率分别为87mV/dec和65mV/dec,明显小于MoS2在无光和有光下的塔菲尔斜率,说明与单纯的MoS2相比,MoS2/In2S3复合催化剂具有优异的光电催化性能。

实施例2

(1)分别称取0.015g二水合钼酸钠和0.0665g氯化铟(摩尔比为1:5)溶于20ml去离子水中;

(2)称取0.03g硫代乙酰胺与步骤1)溶液中,搅拌均匀后超声30min;

(3)将步骤2)配置的溶液转移到水热釜的聚四氟乙烯内衬中,将预处理好的ITO玻璃导电面朝下斜放在于内胆中,把水热釜和内衬密封后,将水热釜的温度控制在220ºC,水热时间控制在20h,得到附着力良好的MoS2/In2S3复合催化剂;

(4)取出ITO玻璃分别在无水乙醇和去离子水浸泡15min,烘干,得到MoS2/In2S3复合催化剂。

MoS2/In2S3复合催化剂的扫描电镜图(图5)说明得到的薄膜是均匀连续的,与实施例1相比In2S3出现了明显团聚现象,团聚会影响In2S3与MoS2的复合程度,也会影响MoS2边缘活性位点的暴露,进而对催化性能产生影响,当钼和铟的摩尔比为1:2(见实施例1)时性能最好。塔菲尔斜率与实施例1的基本一致,样品也具有高的光电催化活性。

当然,上述说明并非对本发明的限制,本发明也并不限于上述举例,本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内作出的变化,都应属于本发明的保护范围。

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