本实用新型涉及扩散源涂布装置，具体地说是一种利用雾化法对扩散源进行涂布的装置。
背景技术：
常见的晶体硅电池扩散形式为管式扩散，少数设备采用先在硅片表面制备扩散源再进入扩散炉中进行扩散。目前有采用喷涂工艺在硅片表面制备扩散源，例如申请号为200810000056.1的专利提供了一种扩散工艺中用于涂覆扩散源的装置，其包括一个喷枪结构，利用高压空气将容器内的液态扩散源吸出并喷成雾状涂覆于硅片表面，但是由于喷枪结构过于简单，喷出的溶液多少差异较大，很容易造成涂覆溶液不均匀。申请号为201410809882.6的专利提供了一种硼扩散源双面喷涂装置及方法，其通过射流器对承载底座上的硅片进行喷涂，工艺连续性比较好，成本也比较低，但是同样喷涂过程中喷涂速度比较快，水雾的量不容易控制，使得喷涂的均匀性较低。有将喷涂装置运用到晶体硅电池流水生产线上，例如申请号为200820005020.8的专利提供了一种喷淋式扩散源输送装置，该装置包括：石英扩散管和至少一根具有至少一个开孔的石英进气管，待扩散基片放置在石英扩散管内的石英舟内，利用该装置可以减小石英扩散管内杂质源浓度分布的差异，避免基片对气流的运动产生阻挡。该装置较普通管式扩散能改善扩散的均匀性，但是装置复杂性与工艺复杂性造成了工艺耗时高、装置维修难度高、工艺成本高。申请号为201510105059.1的专利提供了一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，该工艺在双面减薄后的硅片一面旋转涂覆液态硼源，进行烘烤，然后再旋转涂覆液态磷源，烘烤后进行叠片，磷源面和磷源面，硼源面和硼源面两两相对叠放在硅舟上进行一次全扩散。工艺简单，均匀性也比较好，但是生产效率太低，难以满足市场需求。因此，传统的管式扩散以及基于管式扩散的改进类型均具有工艺复杂成本高等缺点；而以往的喷涂扩散源的扩散方式均工艺粗糙，喷涂均匀性较低。
技术实现要素：
本实用新型的目的就是提供一种利用雾化法对扩散源进行涂布的装置，该装置可将扩散源雾化为极小的液滴并沉积在硅片上，工艺简单且沉积均匀性好，无污染能耗低，可应用于辊式扩散炉连续扩散。
本实用新型是这样实现的：一种利用雾化法对扩散源进行涂布的装置，包括溶液杯、雾化器、雾化气体导管和雾化气体缓冲器；所述溶液杯置于所述雾化器内，所述溶液杯用于盛放扩散源溶液，所述雾化器可将溶液杯内的扩散源溶液进行雾化；所述雾化气体导管连接所述雾化器和所述雾化气体缓冲器，扩散源溶液被雾化后所形成的雾化气体可沿雾化气体导管进入雾化气体缓冲器内，由雾化气体缓冲器出来的雾化气体可涂布在硅片上。
所述雾化气体导管的一端连接所述雾化器，所述雾化气体导管的另一端通过倒置的锥形漏斗连接雾化气体缓冲器顶部的开口；在所述雾化气体缓冲器的底部开有可容纳硅片的开口；硅片置于所述雾化气体缓冲器的底部开口处，雾化气体缓冲器内的雾化气体可直接涂布在硅片上。
所述雾化气体导管的一端连接所述雾化器，所述雾化气体导管的另一端通过倒置的锥形漏斗连接雾化气体缓冲器顶部的开口；在所述雾化气体缓冲器的底部设置一喷嘴，硅片置于所述喷嘴下方，雾化气体缓冲器内的雾化气体经喷嘴后涂布在硅片上。
所述雾化器为超声雾化器、空气压缩式雾化器或网式雾化器。
本实用新型中的雾化器可将扩散源溶液雾化成气体，雾化气体经雾化气体导管进入雾化气体缓冲器，雾化气体缓冲器能够缓和雾化气体的喷出速度，因此通过雾化气体缓冲器后的雾化气体再涂布于硅片上，能够保证涂布的均匀性，从而解决了现有喷涂均匀性差的问题，还解决了传统管式扩散工艺复杂、连续性差的问题。
本实用新型给出了一种均匀性高的扩散源喷涂方式，且雾化沉积操作简单、无污染、成本低，可与辊式扩散炉结合应用到生产线，具有广阔的应用前景。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图中：1、雾化器，2、溶液杯，3、雾化气体导管，4、雾化气体缓冲器，5、硅片，6、倒置的锥形漏斗。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型所提供的利用雾化法对扩散源进行涂布的装置包括溶液杯2、雾化器1、雾化气体导管3和雾化气体缓冲器4。溶液杯2置于雾化器1内，溶液杯2用于盛放扩散源溶液，扩散源溶液例如可以是含有磷的化合物溶液或含有硼的化合物溶液；扩散源溶液可以为酸性溶液，也可以为碱性溶液；扩散源溶液可以为水溶液，也可以为醇溶液。雾化器1用于对溶液杯2内的扩散源溶液进行雾化以形成雾化气体。雾化器1可以为超声雾化器、空气压缩式雾化器或网式雾化器等。超声雾化器是通过陶瓷雾化片的高频谐振（频率可以是千赫兹到兆赫兹），将液态分子结构打散而产生雾化气体。空气压缩式雾化器是将高压气体由喷气口喷出来冲击溶液杯内的液体使其成为雾状。网式雾化器是通过振动子的上下震动，通过喷嘴型的网式喷雾头的孔穴将溶液挤出，利用微小的超声波振动和网式喷雾头构造来喷出雾化气体。
雾化气体缓冲器4是一个洁净无污染的封闭容器，在其顶部开有可通入雾化气体的开口。雾化气体导管3的一端连接雾化器1，雾化气体导管3的另一端通过倒置的锥形漏斗6连接雾化气体缓冲器4顶部的开口。溶液杯2内的扩散源溶液被雾化后形成的雾化气体经雾化气体导管3进入雾化气体缓冲器4内并充满雾化气体缓冲器4。可在雾化气体缓冲器4的底部设置一个较小的开口，并在该开口处接喷嘴，将硅片置于喷嘴下方，这样，雾化气体缓冲器4内的雾化气体可由喷嘴喷出进而涂布在硅片上。还可以如图1所示，在雾化气体缓冲器4的底部设置一个跟硅片5大小相当、且能容纳硅片5的开口，并将硅片5置于雾化气体缓冲器4底部的开口处，这样，雾化气体缓冲器4内的雾化气体会在硅片5上附着，形成一层均匀小液滴，即实现将扩散源溶液涂布在硅片上。通过控制雾化气体在硅片上的沉积时间可控制硅片上液滴的厚度。