技术特征：
技术总结
本发明涉及一种富硫空位的光催化剂CdIn2S4的制备方法，属于光催化材料的制备方法技术领域。本发明针对传统CdIn2S4光催化材料可见光利用率低，且相对稳定性差等缺点，利用低温等离子体，在氩气气氛下，对CdIn2S4进行处理，制备富硫空位的CdIn2S4光催化剂，扩大了光催化剂的光吸收范围，抑制光生载流子的复合，提高了催化剂的稳定生，进而使光催化CO2还原能力得到提升。
技术研发人员：朱兴旺;许晖;杨金曼;李华明;周固礼;李启笛
受保护的技术使用者：江苏大学
技术研发日：2019.03.11
技术公布日：2019.06.14