1.一种微电极芯片制作工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
s1.制作微电极模板和微流道模板；
s2.利用高分子聚合物材料软刻蚀制作具有微电极流道的微电极基片和具有微流道的微流道基片；
s3.使用能增加微电极基片与熔融合金之间的粘合性的表面处理液对微电极基片上的微电极流道进行表面处理，采用熔融合金的方法浇筑微电极，获得具有微电极的微电极基片；
s4.将具有微电极的微电极基片和步骤s2中制得的微流道基片进行键合处理制得微电极芯片，微电极完全或部分位于微流道中。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述表面处理的具体步骤是：
将盖片盖在微电极基片具有微电极流道的一面上，用手按压盖片将微电极基片与盖片进行可逆性粘合；
在通风橱中使用注射器将表面处理液由任意一个电极孔注入微电极流道中，直到表面处理液充满整个微电极流道，并对微电极流道浸泡处理5min；
然后将注射器中表面处理液排空，并使注射器内充满空气；再将注射器的针头端对准任意一个电极孔，推动注射器的活塞挤出空气，排出微电极流道中的表面处理液，直到表面处理液排尽。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述表面处理液采用浓度为98％的γ-巯基三甲氧基硅烷溶液与浓度为99.5％的乙腈溶液以1:10的比例配置而成。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述工艺制得的微电极芯片的尺寸为25*75*10mm，微电极流道和微流道的深度均为35μm。
5.一种权利要求1所述的微电极芯片的应用，其特征在于，该微电极芯片能用于介电泳实验。