用气流进行搅拌的反应釜的制作方法

文档序号:9513751阅读:202来源:国知局
用气流进行搅拌的反应釜的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种反应釜,具体涉及一种用气流进行搅拌的反应釜。
【背景技术】
[0002]为了使反应釜里的物料充分混合,常采用的技术是在反应釜体上加装搅拌机,这样,搅拌机的叶轮上常常会沾上污染物,影响产品的质量,它还具有洗刷不便、造成浪费的缺点。
[0003]本发明提供一种气体搅拌的反应釜,能克服常用搅拌机的叶轮上粘上污染物的问题,并且不会使污染物进入搅拌头内部。

【发明内容】

[0004]本发明提供了一种用气流进行搅拌的反应釜。
[0005]为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种用气流进行搅拌的反应釜,包括釜体、所述釜体下方中间设有空心气喷头1,空心气喷头1为圆柱体,圆柱体顶面具有0.l-0.5mm厚度的聚四氟乙稀涂层,空心气喷头1下端穿出反应釜并与电机2连接,空心气喷头1内的空心构成气管与气体循环栗3连接,气体循环栗的另一端通过气管连接出气管4,其特征在于,所述空心气喷头1侧面设置若干个孔,且内部设有贴合空心气喷头的圆柱筒5,圆柱筒5的下端连接汽缸升降装置6。
[0006]进一步的,气管还接有调温装置7。
[0007]进一步的,所述气孔上设置曝气头。
[0008]进一步的,所述圆柱筒5外壁上具有0.1-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层。
[0009]当要使用反应釜时,加入材料,开启汽缸升降装置同时打开电机和气体循环栗,通过汽缸升降装置使圆柱筒上下升降,将圆柱筒下降,气体循环栗将气体抽向空心喷头,空心喷头一边旋转一边喷出气体进行搅拌。
[0010]本发明的有益效果是:减小物料与搅拌装置的接触面积,解决了搅拌机的叶轮上沾上污染物,影响产品的质量,且洗刷不便、造成浪费的问题。并且不会使污染物进入搅拌头内部。
【附图说明】
[0011]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步描述:
图1是本发明的示意图;
图2是本发明空心喷头的示意图;
图3是空心喷头和内部圆柱筒的剖视图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明作进一步描述: 一种用气流进行搅拌的反应釜,包括釜体、所述釜体下方中间设有空心气喷头(1),空心气喷头(1)为圆柱体,圆柱体顶面具有0.l-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层,空心气喷头(1)下端穿出反应釜并与电机(2)连接,空心气喷头(1)内的空心构成气管与气体循环栗(3)连接,气体循环栗的另一端通过气管连接出气管(4),其特征在于,所述空心气喷头
(1)侧面设置若干个孔,且内部设有贴合空心气喷头的圆柱筒(5),圆柱筒(5)的下端连接汽缸升降装置(6),气管还接有调温装置(7),所述气孔上设置曝气头,所述圆柱筒(5)外壁上具有0.1-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层。
[0013]当要使用反应釜时,加入材料,开启汽缸升降装置同时打开电机和气体循环栗,通过汽缸升降装置使圆柱筒上下升降,将圆柱筒下降,气体循环栗将气体抽向空心喷头,空心喷头一边旋转一边喷出气体进行搅拌。
【主权项】
1.一种用气流进行搅拌的反应釜,包括釜体、所述釜体下方中间设有空心气喷头(1),空心气喷头(I)为圆柱体,圆柱体顶面具有0.1-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层,空心气喷头(I)下端穿出反应釜并与电机(2)连接,空心气喷头(I)内的空心构成气管与气体循环栗(3)连接,气体循环栗的另一端通过气管连接出气管(4),其特征在于,所述空心气喷头(I)侧面设置若干个孔,且内部设有贴合空心气喷头的圆柱筒(5),圆柱筒(5)的下端连接汽缸升降装置(6)。2.根据权利要求1所述的一种用气流进行搅拌的反应釜,其特征在于,气管还接有调温装置(7)。3.根据权利要求1所述的一种用气流进行搅拌的反应釜,其特征在于,所述气孔上设置曝气头。4.根据权利要求1所述的一种用气流进行搅拌的反应釜,其特征在于,所述圆柱筒(5)外壁上具有0.1-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层。
【专利摘要】本发明提供了一种用气流进行搅拌的反应釜,包括釜体、所述釜体下方中间设有空心气喷头,空心气喷头为圆柱体,圆柱体顶面具有0.1-0.5mm厚度的聚四氟乙烯涂层,空心气喷头下端穿出反应釜并与电机连接,空心气喷头内的空心构成气管与气体循环泵连接,气体循环泵的另一端通过气管连接出气管,其特征在于,所述空心气喷头侧面设置若干个孔,且内部设有贴合空心气喷头的圆柱筒,圆柱筒的下端连接汽缸升降装置。本发明的有益效果是:减小物料与搅拌装置的接触面积,解决了搅拌机的叶轮上沾上污染物,影响产品的质量,且洗刷不便、造成浪费的问题。并且不会使污染物进入搅拌头内部。
【IPC分类】B01J19/00
【公开号】CN105268383
【申请号】CN201510802450
【发明人】范祥荣
【申请人】苏州市金翔钛设备有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月19日
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