晶粒标示方法及晶粒标示设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶粒标示技术，尤其涉及一种晶粒标示方法及晶粒标示设备。
【背景技术】
[0002]目前常见应用于LED晶粒的过程包括下列步骤:点测(probing)、自动化光学检测(Automated Optical Inspect1n，简称 AOI)、分选(sorting)、人工目检及坏晶挑除。
[0003]点测是指对LED晶粒的光电特性进行测试。自动化光学检测是通过自动化光学检测机来观测晶粒的外观是否有损伤。分选是依照点测及自动化光学检测所获得的结果将好的晶粒(即外观损伤程度较低的晶粒)依照光学特性转移到分选载体(sort page)，其例如是具有粘性的蓝膜。人工目检则是通过人工及显微镜来逐一地观测在分选载体上的所有晶粒的外观是否有损伤。坏晶挑除则是依照人工目检的人为判断来人工挑除有损伤的晶粒。
[0004]在人工目检以前的任何步骤中，晶粒的外观都可能受到程度不一的损伤。因此，在人工目检的步骤中，依照人为判断此晶粒是否有损伤。然而，当晶粒是否有损伤完全依赖人为判断时，晶粒损伤与否很难有统一标准。也因此，人工目检严重地影响到晶粒选择的均一性。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种晶粒标示方法，用以标示出分选载体上的晶粒。
[0006]本发明提供一种晶粒标示设备，用以标示出分选载体上的晶粒。
[0007]本发明的一种晶粒标示方法，其适于标示在分选载体上的多个晶粒的位置。晶粒标示方法包括下列步骤。通过重叠于分选载体下方的显示装置的像素阵列显示出晶粒地图。晶粒地图包括背景及多个标示区域，这些标示区域对应于这些晶粒的预设位置分布在背景上，且各标示区域经由显示装置的像素阵列的多个像素显示并环绕对应的晶粒。对应被判定受损的晶粒的标示区域的垂直宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的垂直宽度的三倍，且对应晶粒的标示区域的水平宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的水平宽度的三倍。
[0008]本发明的一种晶粒标示设备，适于标示在分选载体上的多个晶粒的位置。晶粒标示设备包括显示装置，用以重叠于分选载体下方并具有像素阵列以显示出晶粒地图。晶粒地图包括背景及多个标示区域，这些标示区域对应于这些晶粒的预设位置分布在背景上，且各标示区域经由显示装置的像素阵列的多个像素显示并环绕对应的晶粒。对应被判定受损的晶粒的标示区域的垂直宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的垂直宽度的三倍，且对应晶粒的标示区域的水平宽度大于或等于显示装置的像素阵列的像素的水平宽度的三倍。
[0009]基于上述，在本发明的上述实施例中，经由显示装置来显示出晶粒地图，并可通过标示区域来标示出分选载体上的被判定受损的晶粒。
[0010]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0011]图1是本发明一实施例的显示装置与分选载体的分解图；
[0012]图2是图1的显示装置所显示的标示区域与分选载体上的晶粒的预设分布示意图；
[0013]图3是图1的显示装置所显示的标示区域与分选载体上的晶粒有偏移的实际分布示意图；
[0014]图4是本发明另一实施例的显示装置所显示的标示区域与分选载体上的晶粒有偏移的实际分布示意图。
[0015]附图标记说明:
[0016]100:分选载体；
[0017]200:晶粒；
[0018]200’:预设位置；
[0019]300:显示装置；
[0020]310:像素阵列；
[0021]312:像素；
[0022]400:晶粒地图；
[0023]410:背景；
[0024]420:标示区域；
[0025]420’:预设位置；
[0026]Hl:像素的水平宽度；
[0027]H2:晶粒的水平宽度；
[0028]H3:标示区域的水平宽度；
[0029]HP:标示区域的水平间距；
[0030]Vl:像素的垂直宽度；
[0031]V2:晶粒的垂直宽度；
[0032]V3:标示区域的垂直宽度；
[0033]VP:标示区域的垂直间距。
【具体实施方式】
[0034]对于人工目检的不一致性，可利用另一道自动化光学检测及标准值过滤器来决定在分选载体上的晶粒是否合格。具体而言，可通过标准值过滤器来比对自动化光学检测对于晶粒的观测结果是否在预设的标准值以内，以判断晶粒是否合格。举例而言，可比对晶粒受损伤的面积是否在预设的标准值以内，以判断晶粒是否合格。或者，可比对晶粒上面的线路的粗细是否在预设的标准值以内，以判断晶粒是否合格。不合格的晶粒定义为坏晶，并依照坏晶的位置建立坏晶地图。在坏晶挑除的步骤中，将分选载体与对应的坏晶地图重叠来标示出坏晶的位置，以利于人工挑除坏晶。
[0035]请参照图1及图2，在本实施例中，晶粒标示方法适于标示在分选载体100上的多个晶粒200的位置。晶粒标示方法包括通过重叠于分选载体100下方的显示装置300显示出晶粒地图400，而分选载体100与显示装置300的定位方式可以比对分选载体100上晶粒分布的外观，或者以对位定位标记的方式来进行，并不以此为限。具体而言，晶粒地图400包括背景410及多个标示区域420，这些标示区域420对应于这些晶粒200的预设位置分布在背景410上，各标示区域420经由显示装置300的像素阵列310的多个像素312显示并环绕对应的晶粒200。各标示区域420可经由排列成面状的多个像素312显示，以环绕对应的晶粒200。或者，各标示区域420可经由排列成框状的多个像素312显示，以环绕对应的晶粒200。
[0036]在本实施例中，在对应被判定受损的晶粒200 (即坏晶)的标示区域420呈现与背景410不同的颜色，以便通过与背景410不同颜色的标示区域420在视觉上标示出被判定受损的晶粒200。同时，在对应被判定未受损的晶粒200的标示区域420则可呈现与背景410相同的颜色，以在视觉上不特别标示出这些被判定为未受损的晶粒200 (即好晶)。
[0037]请参照图2，在本实施例中，各晶粒200的垂直宽度V2大于或等于显示装置300的像素阵列310的一像素312的垂直宽度Vl，且各晶粒200的水平宽度H2大于或等于显示装置300的像素阵列310的一像素312的水平宽度Hl。对应被判定受损的晶粒200的标示区域420的垂直宽度V3大于对应的晶粒200的垂直宽度V2，且对应晶粒200的标示区域420的水平宽度H3大于对应的晶粒200的水平宽度H2。对应被判定受损的晶粒200的标示区域420的垂直宽度V3大于或等于显示装置300的像素阵列310的像素312的垂直宽度Vl的三倍，且对应晶粒200的标示区域420的水平宽度H3大于或等于显示装置300的像素阵列310的像素312的水平宽度Hl的三倍。在上述的参数设定下，可确保对应欲标示的晶粒200 (例如被判定受损的晶粒200)的标示区域420能环绕或者完全覆盖对应的晶粒200，以提高人工挑除的准确率。
[0038]然而，请参照图1及图2，分选载体100(例如蓝膜)本身的收缩或膨胀可能造成在分选载体100上的晶粒200的偏移。在本实施例中，任两相邻的这些标示区域420之间的间距大于或等于显示装置300的一像素312的宽度。具体而言，任两相邻的这些标示区域420的垂直间距VP及水平间距HP分别大于或等于显示装置300的一像素312的垂直宽度Vl及水平宽度Hl。因此，对应被判定受损且偏移的晶粒200的标示区域420随着对应的晶粒200的移动不易标示出其他邻近未被判定受损且偏移的晶粒200。
[0039]举例而目，请参照图3，仅以两个晶粒200作为不意。在图3中，左侧的晶粒200是被判定受损的晶粒200，而右侧的晶粒200是判定未受损的晶粒200。需要注意的是，只有被判定受损的晶粒200才会显示标示区域420，因此，当对应被判定受损的晶粒200 (即图3的左侧的晶粒200)的位置偏离如图2所示的对应的预设位置200’时，对应晶粒200的标示区域420也从其预设位置420’移动至对准所对应的晶粒200，使得标示区域420仍可围绕对应的晶粒200。同时，当对应被判定未受损的晶粒200 (即图3的右侧的晶粒200)的位置偏离如图2所示的对应的预设位置200’时，原先对应晶粒200(即图3的右侧的晶粒200)的标示区域420 (类