一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法与流程

技术特征：

1.一种高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）在金刚石表面第一介质层上形成凹凸图案；

2）在步骤1）中的凹凸图案表面沉积金属层；

3）剥离第一介质层凸起部分及凸起部分表面的金属层，留下直接沉积在凹槽中的金属层；

4）对步骤3）中留下的金属层进行化学电镀处理，在该金属层的基础上获得电镀加厚层；

5）对金属层周侧的金刚石表面进行反应等离子体刻蚀，然后去除电镀加厚层和金属层，获得金刚石微纳米结构。

2.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤1）中，在第一介质层上形成凹凸图案的方法包括紫外压印、热压印、电子束曝光、自组装等方法中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，在步骤1）和步骤2）之间，还包括去除金刚石表面的第一介质层残留层的步骤。

4.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤2）中，沉积金属层的方法为磁控溅射、电子束蒸镀、热蒸发蒸镀中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤2）中，所述金属层包括过渡金属，优选地，所述过渡金属为Ti。

6.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤2）中，还包括热处理步骤，即待沉积完毕后，将金刚石置于450-550℃条件下，保温0.5-5h。

7.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤4）中，所述电镀加厚层包含Ni和/或Al。

8.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤5）中，通过酸洗的方法去除电镀加厚层和金属层。

9.根据权利要求1所述的高深宽比金刚石微纳米结构的制作方法，其特征在于，步骤5）之后还包括对金刚石微纳米结构进行反应离子刻蚀的步骤。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法制作的金刚石微纳米结构。