专利名称：电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法
技术领域：
本发明涉及一种电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法。
背景技术：
80年代以来，随着国际上表面安装技术的迅速发展，多层瓷介电容器、电阻器、多层电感器、滤波器、平衡转换器(巴仑)、稳频振荡器、鉴频器、天线、双工器、RF开关模块等叠层片式器件用途愈来愈广。实践证明可采用三层端头电极技术，能有效地提高耐焊接热和可焊性，适应表面安装技术要求。三层端头电极的基底电极是纯银层，中间电极是镍层，外部电极是锡或锡—铅合金层。形成三层端头电极结构的电镀，比一般的机械、塑料零件的镀覆要复杂得多，它集陶瓷、电子、化学工业技术于一体，既要使产品在提高耐焊接热和可焊性的同时，保持各项电性能不受损害，又要让电镀过程中镀液的化学成分不对介质本体产生不良影响。在电镀过程中，这些器件处在弱酸性的镀液并带电的恶劣环境中，由于叠层器件的端电极、端电极与瓷介质接触带为多孔质，在电镀过程中电镀液通过端电极和层电极缺陷向器件内部渗透，使器件内电极受到渗入的电镀液的腐蚀而导致其电性能下降，电镀液留在器件内也会影响器件的部分性能指标，电镀之后都会造成部分电性能指标的劣化。为防止器件性能劣化，针对器件和电镀进行了系列的试验，目前一般都通过提高瓷体烧结密度的方法和调整镀液配方的方法来减轻器件电性能下降幅度。
发明内容
本发明的目的是提供一种电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案如下方案1在盛有电子元器件的真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂，然后继续抽真空30～300分钟，清洗，在室温、大气条件下晾干，所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。
方案21)电子元器件进行抽真空处理，抽真空时间一般在10～60分钟之间；2)真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂，然后继续抽真空30～300分钟，清洗，在室温、大气条件下晾干，所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。
本发明与背景技术相比，具有的有益的效果是采用本发明的工艺方法在电镀前将具有疏水、疏油或双疏功能的溶剂引入电子元器件的缝隙和孔洞内，在电镀过程中利用溶剂的疏水、疏油或双疏作用防止电镀液中的介质水溶液和有机组分进入电子元器件内部，从而防止电子元器件电性能下降。本发明可在电容器、电感、滤波器、模块、电阻、片式磁性元件等各种功能器件进行电极电镀提高耐焊接热和可焊性时应用，能有效降低电镀对电子元器件电性能的影响。
具体实施例方式
实施例1将端印烧银完成后的滤波器放在密封容器中抽真空0.3小时，然后采用吸管利用容器真空吸力引入甲基硅油，继续抽真空2小时，排除叠层滤波器中气体，溶剂进入陶瓷内部，停止抽真空，取出滤波器采用四氯乙烯清洗，在室温、大气下晾干备用。器件电镀后器件差损降级0.1～0.3dB，未处理器件差损降低3～4dB，有效降低电性能劣化。
实施例2将端印烧银完成后的滤波器放在密封容器中抽真空0.3小时，然后采用吸管利用容器真空吸力引入CF2ClCF2Cl溶剂，继续抽真空2小时，排除叠层滤波器中气体，溶剂进入陶瓷内部，停止抽真空，取出滤波器采用四氯乙烯清洗，在室温、大气下晾干备用。器件电镀后器件差损降级0.1～0.2dB，未处理器件差损降低3～4dB，有效降低电性能劣化。
实施例3将端印烧银完成后的电容器放在密封容器中抽真空0.3小时，然后采用吸管利用容器真空吸力引入CF2ClCF2Cl溶剂，继续抽真空2小时，排除叠层滤波器中气体，溶剂进入陶瓷内部，停止抽真空，取出滤波器采用四氯乙烯清洗，在室温、大气下晾干备用。电镀后NPO电容器(0.1PF～0.22uF)损耗角正切小于0.8％(20℃，IMHz IVDC，75％)，未处理NPO电容器(0.1PF～0.22uF)损耗角正切小于3.5％(20℃，IMHz IVDC，75％)。
实施例4将端印烧银完成后的电容器放在密封容器中抽真空0.3小时，然后采用吸管利用容器真空吸力引入甲基硅油，继续抽真空2小时，排除叠层滤波器中气体，溶剂进入陶瓷内部，停止抽真空，取出电容器采用四氯乙烯清洗，在室温、大气下晾干备用。电镀后NPO电容器(0.1PF～0.22uF)损耗角正切小于1.2％(20℃，IMHz IVDC，75％)，未处理NPO电容器(0.1PF～0.22uF)损耗角正切小于3.5％(20℃，IMHz IVDC，75％)。
实施例5在盛有滤波器的密封容器中引入甲基硅油，抽真空2小时，排除叠层滤波器中气体，溶剂进入陶瓷内部，停止抽真空，取出滤波器采用四氯乙烯清洗，在室温、大气下晾干备用。器件电镀后器件差损降级0.1～0.3dB，未处理器件差损降低3～4dB，有效降低电性能劣化。
权利要求
1.电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法，其特征在于在盛有电子元器件的真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂，然后继续抽真空30～300分钟，清洗，在室温、大气条件下晾干，所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。
2.根据权利要求1所述的电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法，其特征在于该方法包括以下各步骤1)电子元器件进行抽真空处理，抽真空时间一般在10～60分钟之间；2)真空容器中引入疏水、疏油或双疏溶剂，然后继续抽真空30～300分钟，清洗，在室温、大气条件下晾干，所用的溶剂有硅油、硅氧烷、全氟代乙烷、含氟有机硅氧烷化合物及其混合物。
全文摘要
本发明公开了一种电子元器件电镀前处理防止电性能降低方法。先把电子元器件放在密封容器中抽真空保持一定时间，引入疏水、疏油或双疏溶剂浸没电子元器件抽真空2～5小时，清洗，在室温、大气下晾干。本发明在电镀前将具有疏水、疏油或双疏功能的溶剂引入电子元器件的缝隙和孔洞内，在电镀过程中利用溶剂的疏水、疏油或双疏作用防止电镀液中的介质水溶液和有机组分进入电子元器件内部，从而防止电子元器件电性能下降。本发明可在电容器、电感、滤波器、模块、电阻、片式磁性元件等各种功能器件进行电极电镀提高耐焊接热和可焊性时应用，能有效降低电镀对电子元器件电性能的影响。
文档编号C25D5/34GK1487123SQ0314228
公开日2004年4月7日 申请日期2003年8月13日 优先权日2003年8月13日
发明者王家邦 申请人:浙江大学