专利名称：Al合金构件、电子装置制造装置、以及带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种Al (铝)合金构件，特别涉及一种轻质且机械强度优异的Al合金 构件。本发明还涉及使用了该Al合金构件的电子装置制造装置。
背景技术：
半导体装置、平板显示器面板、以及其他的各种电子装置的制造装置通常来说是 由不锈钢构成的，然而例如当为了制造大型显示器而形成处理大型的基板(2. 88mX3. 08m) 的装置时，重量就会过大，因此正在研究使用轻质的金属，例如Al合金。但是，如上所述的 大型基板用的制造装置中因自重而使Al合金变形，用于维持气密性的0形环无法发挥作 用。所以，希望有强度优异的Al合金。另一方面，由于各种电子装置的制造装置，其内面暴露于腐蚀性的药液或腐蚀性 的气体、等离子体等中，因此即使用Al合金构成，也需要将其内面用牢固的钝态保护膜覆 盖。所以，特别希望有强度优异并且表面可以由牢固的钝态保护膜覆盖的Al合金。作为可以提高机械强度并且用牢固的钝态保护膜将表面覆盖的Al合金，例如已 知有专利文献1(日本特开平9-176772号公报)中所示的例子。但是，就该专利文献1中 公开的材料而言，强度不足以适用于最近的大型制造装置，另外该专利文献1中公开的氟 化钝态膜不足以耐受各种腐蚀性气体·等离子体。本发明人等也提出过，使用添加有Mg及^ 的Al合金，将其表面用非水溶液进行 阳极氧化而获得钝态保护膜(专利文献2 国际公开第W02006/134737号小册子)，然而就 该专利文献2中公开的材料而言，强度不足以适用于最近的大型制造装置，另外该专利文 献2中公开的阳极氧化膜对氯气的耐腐蚀性也不充分。专利文献3(日本特开平1-272739号公报)中，记载过添加包含了发色性元素的 发色用铝合金，然而是仅添加包含了提高铝合金的硬度的元素的不可避免杂质含量极小的 高纯度Al合金，对于获得维氏硬度大于30的高硬度构件的情况没有公开。专利文献3(日 本特开平1-272739号公报)中作为实施例给出的表1的试样No. 8的铝合金作为发色性元 素，不仅含有Ce、Mg及^ ，还含有4. 90wt %的Si。在先技术文献专利文献专利文献1 日本特开平9-176772号公报专利文献2 国际公开第W02006/134737号小册子专利文献3 日本特开平1-272739号公报
发明内容
发明所要解决的课题所以，本发明的目的在于，提供一种机械强度优异到可以用于大型制造装置中的程度的Al合金构件。此外，本发明的目的还在于，提供一种用耐腐蚀性优异的阳极氧化膜将表面的至 少一部分覆盖了的Al合金构件。另外，本发明的目的还在于，提供一种至少在一部分中使用了上述Al合金构件的 电子装置制造装置。此外，本发明的目的还在于，提供一种用耐腐蚀性优异的阳极氧化膜将表面的至 少一部分覆盖了的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法。为解决课题的手段本发明的Al合金构件、至少在一部分中使用了它的电子装置制造装置、以及带有 阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法如下所示。(1) 一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0%以下，Ce浓度为 15%以下，^ 浓度为0. 15%以下，余部由Al及不可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元 素分别为0. 01%以下，具有大于30的维氏硬度。(2) 一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度超过0.01%而在5.0% 以下，Ce浓度超过0. 01%而在5. 0%以下，Zr浓度超过0. 01%而在0. 15%以下，余部由Al 及不可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0. 01 %以下，具有大于30的维氏硬度。(3)根据上述(1)或(2)所述的Al合金构件，其特征在于，表面的至少一部分由借 助非水溶液的阳极氧化膜覆盖。(4)根据上述C3)所述的Al合金构件，其特征在于，上述借助非水溶液的阳极氧化 膜的厚度为0. Ιμπι 0. 6μπι。(5)根据上述(3)或(4)所述的Al合金构件，其特征在于，上述借助非水溶液的阳 极氧化膜是非晶体的Al2O3膜。(6) 一种电子装置制造装置，其特征在于，在容器或基板搭载载台(stage)的至少 一部分中使用了上述(1) (5)中任意一项所述的Al合金构件。(7) 一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度为5. 0%以下，Ce 浓度为15%以下，&浓度为0. 15%以下，余部由Al及不可避免杂质构成，上述不可避免杂 质的元素分别为0. 01%以下，具有大于30的维氏硬度；将上述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步
马聚ο(8) 一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度超过0. 01%而在 5. 0%以下，Ce浓度超过0. 01 %而在5. 0%以下，&浓度超过0. 01 %而在0. 15%以下，余部 由Al及不可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0. 01 %以下，具有大于30的维 氏硬度；将上述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步
马聚ο(9)根据上述(7)或(8)所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，上述借助非水溶液的阳极氧化膜的厚度为0. 1 μ m 0. 6 μ m。(10)根据上述(7) (9)中任意一项所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制 造方法，其特征在于，上述借助非水溶液的阳极氧化膜为非晶体的Al2O3膜。本申请中所说的“借助非水溶液的阳极氧化”是指专利文献2中公开的阳极氧化， 本申请中的所谓“借助非水溶液的阳极氧化膜”是进行“借助非水溶液的阳极氧化”而得到 的阳极氧化膜，是具有耐腐蚀性优异且在使用中水分放出量少等特性的阳极氧化膜。发明效果根据本发明，可以获得机械强度优异到可以用于大型制造装置中的程度的Al合 金构件。此外，根据本发明，可以获得用耐腐蚀性优异的借助非水溶液的阳极氧化膜将表 面的至少一部分覆盖了的Al合金构件。另外，根据本发明，可以获得至少在一部分中使用了上述Al合金构件的电子装置 制造装置。此外，根据本发明，可以获得用耐腐蚀性优异的借助非水溶液的阳极氧化膜将表 面的至少一部分覆盖了的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法。
图1是用于说明本发明的一个实施方式的Al合金构件的数值限定的临界的意义 的曲线图，是表示Al合金中Mg浓度与硬度的关系(室温)的曲线图。图2是用于说明上述实施方式的Al合金构件的数值限定的临界的意义的曲线图， 是表示所添加的Ce浓度与维氏硬度的关系的曲线图。图3是表示添加了 Ce的Al合金(上述实施方式的Al合金构件)的机械加工后 外观的照片。图4是表示Al-Mglr-Ce合金的显微组织(铸态)的表面的照片，是表示上述实 施方式的Al合金构件的表面的照片。图5是表示Al-Mglr-Ce合金的显微组织(铸态)的表面的照片，是表示上述实 施方式的Al合金构件的表面的照片。图6是用扫描型电子显微镜观察到的在添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式 的Al合金构件)及不含有Ce的Al合金构件的表面设置的借助非水溶液的阳极氧化覆盖膜 的表面的照片，右2列的照片是添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式的Al合金构件) 的表面的借助非水溶液的阳极氧化覆盖膜的照片，左2列的照片是不含有Ce的Al合金构 件的表面的阳极氧化覆盖膜的照片。图7是表示在添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式的Al合金构件)及不含 有Ce的Al合金构件的表面利用借助非水溶液的阳极氧化得到阳极氧化覆盖膜时的电压及 电流的经过时间特性的曲线图。图8是表示将添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式的Al合金构件)及不含 有Ce的Al合金构件的表面的上述阳极氧化覆盖膜暴露于氯气(Cl2气)中时的上述阳极 氧化覆盖膜的耐受性的曲线图。图9是表示将添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式的Al合金构件)及不含有Ce的Al合金构件的表面的上述阳极氧化覆盖膜暴露于氯气(Cl2气)中时的上述阳极 氧化覆盖膜的耐受性的另外的曲线图。图10是表示添加了 Ce的Al合金构件(上述实施方式的Al合金构件)及不含有 Ce的Al合金构件(S4M)的拉伸强度、0. 2%耐力、伸长率的曲线图。
具体实施例方式以下参照附图对本发明的一个实施方式的Al合金构件进行说明。本发明的一个实施方式的Al合金构件是如下的Al-Mglr-Ce合金，S卩，以质量％ 计，Mg浓度为5.0%以下，Ce浓度为15%以下，^ 浓度为0. 15%以下，余部由Al及不可避 免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0. 01 %以下。该实施方式中，上述不可避免杂 质的元素主要是Si、Fe、Cu，此外还从合金的熔炼时的原料粗金属锭、碎屑、工具等中不可避 免地混入Cr、Zn等。为获得此种纯度的合金，例如优选使用由利用偏析法或三层电解法等 得到的Al纯度为99. 98质量％以上的高纯度Al构成的粗金属锭来熔炼。该实施方式的Al合金构件优选以质量％计，Mg浓度超过0. 01%而在5. 0%以下， Ce浓度超过0. 01%而在5. 0%以下，Zr浓度超过0. 01%而在0. 15%以下，余部由Al及不 可避免杂质构成，上述不可避免杂质的元素分别为0. 01 %以下。在该优选的例子中，上述不 可避免杂质的元素也是例如为Sile及Cu等。这些杂质通常来说在常用的Al合金中混入 百分之零点几左右，然而这样的话就会造成损害利用阳极氧化处理生成的覆盖膜的均勻性 等不良影响，因此需要设为0. 01%以下。参照图1及图2对该实施方式的Al合金构件的数值限定的临界意义进行说明。图1中，从Mg添加量(质量％ )为1%、2%、3%、4%、4.5%、以及5%的6个 Al-Mg-^ 样品的维氏硬度可以清楚地看到，在添加5.0%以下的Mg时，机械强度提高。在 Mg添加量为4. 5%及5%的2个Al-Mg-^ 样品中，与以“1100”表示的铝相比，维氏硬度从 30提高到68左右，提高2倍以上。图1中，在Mg添加量为4. 5 %的Al-Mgjr样品的上方绘制的4个Al-Mg-Ce样品 是在Mg添加量为4. 5 %的Al-Mgjr样品中以质量％计添加了 1%、5%、10%及15%的Ce 的样品。这4个Al-Mg-Ce样品与Mg添加量为4. 5%的Al-Mglr样品相比，维氏硬度更高。图2中，表示出向Mg添加量为4. 5 %而&添加量为0. 1 %的Al合金样品中添加的 Ce浓度(质量％)与维氏硬度的关系。从图2中可以清楚地看到，通过将Ce添加到15.0% 左右，维氏硬度就会超过68，提高到105左右。通过添加0. 15%左右以下的Zr，即使进行350°C左右的热处理，也可以抑制粒子 生长，确保机械强度。图3的照片表示上述实施方式的Al合金构件的机械加工后外观。图4及图5的照片表示上述实施方式的Al合金构件的显微组织(铸态)的表面。从图3可以清楚地看到，由于当Ce添加量超过5. 0%时(参照图3的左下照片及 右下照片)，就会在构件中引入“气孔”(空隙)，因此Ce添加量优选为5. 0%以下(参照图 3的左上照片及右上照片)。即使添加5. 0%的Ce，维氏硬度也只提高到88左右(图1及 图2)。即使在Ce添加量超过5. 0%的构件中引入“气孔”(空隙)，也可以通过进行一边
6将该构件加热到350°C左右、一边进行在高纯度Ar气氛中加压到500 1800大气压的处理 (HIP (Hot Isostatic Pressing 加热各向同性加压)处理)，而得到没有“气孔”(空隙) 的构件。在如此得到的添加了 Ce的Al合金构件的表面，利用使用了非水溶液 (non-aqueous solution)的阳极氧化，作为阳极氧化覆盖膜设置0. 1 μ m 0. 6 μ m左右的 非晶体的Al2O3膜。所用的非水溶液作为溶剂含有乙二醇或二甘醇，作为溶质含有纯水及己 二酸。如果阳极氧化覆盖膜的厚度小于0. 1 μ m则效果小，即使超过0. 6 μ m，也无法获得明 显的效果，在经济上不利。图6的右2列中，表示出在上述添加Ce的Al合金构件的表面设 置的上述阳极氧化覆盖膜的扫描型电子显微镜照片，图6的左2列中，表示出在不含有Ce 的Al合金构件的表面设置的上述阳极氧化覆盖膜的扫描型电子显微镜照片。这里，对可以用于本发明中的非水溶液进行说明。本发明中所用的非水溶液含有 非水溶剂。如果使用含有非水溶剂的非水溶液，则与水溶液系的化成液相比，在恒电流化成 中所需的时间可以缩短，因此具有能够以高生产率处理的优点。本发明中，也可以使用专利文献2中公开的以下所说明的非水溶液。非水溶剂的种类只要是可以良好地进行阳极氧化、对于溶质具有足够的溶解度 的，就没有特别限制，然而优选具有1个以上的醇性羟基和/或1个以上的酚性羟基的溶 剂、或非质子性有机溶剂。从保存稳定性的方面考虑，尤其优选具有醇性羟基的溶剂。作为具有醇性羟基的化合物，例如可以使用甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、1-丁醇、 2-乙基-1-己醇、环己醇等一元醇；乙二醇、丙二醇、1，4_丁二醇、二甘醇、三甘醇、四甘醇等 二元醇；甘油、季戊四醇等三元以上的多元醇等。另外，对于在分子内具有醇性羟基以外的 官能团的溶剂，只要不妨碍本发明的所期望的效果，则也可以使用。从与水的混合性及蒸气 压的方面考虑，尤其优选具有2个以上的醇性羟基的，更优选二元醇及三乙醇，特别优选乙 二醇、丙二醇、二甘醇。作为具有酚性羟基的化合物，例如可以使用具有1个羟基的未取代苯酚或邻/间 /对甲酚类，二甲苯酚类等烷基酚类，另外，作为具有2个羟基的化合物，可以使用间苯二酚 类，此外，作为具有3个羟基的，可以使用连苯三酚类等。这些具有醇性羟基和/或酚性羟基的化合物只要不妨碍本发明的所期望的效果， 则也可以在分子内还具有其他的官能团。例如，也可以使用像甲基溶纤剂或溶纤剂等那样 不仅具有醇性羟基还具有烷氧基的溶剂。作为非质子性有机溶剂，无论使用极性溶剂还是非极性溶剂的哪种都可以。作为极性溶剂，没有特别限定，然而例如可以举出Y-丁内酯、Y-戊内酯、δ-戊 内酯等环状羧酸酯类；乙酸甲酯、乙酸乙酯、丙酸甲酯等链状羧酸酯类；碳酸亚乙酯、碳酸 亚丙酯、碳酸亚丁酯、碳酸亚乙烯酯等环状碳酸酯类；碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯、碳酸二乙酯 等链状碳酸酯类；N-甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺、 N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类、乙腈、戊二腈、己二腈、甲氧 基乙腈、3-甲氧基丙腈等腈类；三甲基磷酸酯、三乙基磷酸酯等磷酸酯类。作为非极性溶剂，没有特别限定，然而例如可以举出己烷、甲苯、硅油等。这些溶剂既可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。作为本发明的阳极氧 化覆盖膜的形成中所用的非水溶液的非水溶剂，特别优选的是乙二醇、丙二醇或二甘醇，可以将它们单独或者组合使用。另外，只要含有非水溶剂，则也可以含有水。图7表示出利用借助上述非水溶液的上述阳极氧化得到上述阳极氧化覆盖膜时 的阳极氧化电压及阳极氧化电流的经过时间特性。图7是对添加了 Ce的Al合金构件 (4. 5% Mg-I% Ce-O. 1% Zr)、未添加 Ce 的 Al 合金构件(4. 5% Mg-O. 1% Zr)、其他的未添 加Ce的Al合金构件(5% Mg-0. l%Zr),以及其他的添加Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-5% Ce-O. ，以ImA/cm2的电流密度进行恒电流阳极氧化，直至电压达到200V，接下来保 持为该电压200V而进行恒电压阳极氧化时的电压及电流密度的经过时间特性。如图7所示，在添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-I % Ce-O. 1 % Zr)的表面设有 上述阳极氧化覆盖膜的情况下，与在未添加Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-O. 1% Zr)的表面 设有上述阳极氧化覆盖膜的情况相比，当经过时间超过约600秒时，电流密度就会变小，阳 极氧化特性(相对于时间的阳极氧化电流的变化曲线图)提高。另外，在添加了 Ce的Al 合金构件(4. 5% Mg-I % Ce-O. 1 % Zr)的表面设有上述阳极氧化覆盖膜的情况下，与在其他 的未添加Ce的Al合金构件(5% Mg-O. 1% Zr)的表面上设有上述阳极氧化覆盖膜的情况 相比，也是当经过时间超过约750秒时，阳极氧化电流就会变小，阳极氧化特性提高。在添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-I% Ce-O. 1 % Zr)的表面设有上述阳极氧 化覆盖膜的情况下，与在其他的添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-5% Ce-O. 1 % Zr)的表 面上设有上述阳极氧化覆盖膜的情况相比，阳极氧化电流可以减少。这是由如下的原因造 成的，即，对于进行阳极氧化的表面而言，添加了 Ce的Al合金构件Gj^Mg-IW Ce-O. 1% Zr) 一方与其他的添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-5% Ce-O. Zr)相比较为平坦(“气 孔”(空隙)少)。图8表示出将上述阳极氧化覆盖膜暴露于氯气((12气)中时的上述阳极氧化覆盖 膜的耐受性。如图8所示，对于设在添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-I% Ce-O. 1% Zr) 及其他的添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-5% Ce-O. 1% Zr)的表面的上述阳极氧化覆 盖膜来说，与设在未添加Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-O. 1% Zr)及其他的未添加Ce的Al 合金构件(5% Mg-0. l%Zr)的表面的上述阳极氧化覆盖膜相比，对氯气的耐腐蚀性大幅度 提尚。对于设在添加了 Ce的Al合金构件(4. 5 % Mg-I % Ce-O. 1 % Zr)及其他的添加了 Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-5% Ce-O. 1% Zr)的表面的上述阳极氧化覆盖膜来说，与设在 未添加Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-O. 1% Zr)的表面的阳极氧化覆盖膜相比，腐蚀所致的 减量率从0.87%变为0.02%以下。设在其他的添加了 Ce的Al合金构件0.5^1^-5% Ce-O. 1% Zr)的表面的阳极氧化覆盖膜的腐蚀所致的减量率为0. 01%。图9是表示将设在试验片的表面的上述阳极氧化覆盖膜暴露于氯气(Cl2)中时 的上述阳极氧化覆盖膜的耐受性的曲线图，该试验片将添加Ce的Al合金的Ce浓度设为 0.5%U%>2%,将作为其他的添加元素的Mg设为4. 5 %，将^ 设为0. 1 %。如图9所示， 可以确认，当将Ce添加量逐渐减少到0. 5%时，对氯气的耐腐蚀性逐渐劣化。重量减少率 在Ce浓度为0. 5 %的情况下为0. 07 %，在Ce浓度为1 %的情况下为0. 02 %，在Ce浓度为 2%的情况下为0. 02%，可以确认，随着对Ce浓度的增加，耐腐蚀性提高。虽然如果与完全 未添加Ce的Al合金构件(4. 5% Mg-O. 1% Zr)相比，可以表现出由添加Ce带来的耐腐蚀 性提高的效果，然而作为Ce的添加量优选为以上。
而且，图8及图9中，纵轴表示以将试样片暴露于氯气中时的上述试样片的初期重 量及曝露后重量为基础算出的{(初期重量-曝露后重量)/初期重量} X 100 )图10是表示出添加了 Ce的Al合金的拉伸强度、0. 2%屈服点、伸长率的曲线图。 横轴表示相对于4. 5% Mg-O. 1 % Zr-Al合金(S4M)的Ce的添加量]，左纵轴表示拉伸 强度[N/mm2]、0.2%屈服点[N/mm2]，右纵轴表示伸长率]。可以确认，通过添加Ce，拉 伸强度及0.2%的屈服点的值变大。对于Ce添加量可知，这些数值逐渐变大。另一方面，对 于伸长率可以确认，以Ce添加浓度0. 5%作为极大值逐渐变小。在考虑到压延性能的情况 下，Ce浓度最好不要太大，作为Ce的添加量可以认为小于2%是合适的。而且，上述添加了 Ce的Al合金构件只要将表面的至少一部分(与腐蚀性的气体 或药液接触的部分)用上述借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖即可。上述添加了 Ce的Al合金构件及在表面的至少一部分设有上述阳极氧化覆盖膜的 上述添加了 Ce的Al合金构件可以用于电子装置制造装置的容器或基板搭载载台的至少一 部分中。虽然以上参照实施方式对本申请发明进行了说明，然而本申请发明并不限定于上 述实施方式。
权利要求
1.一种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0%以下，Ce浓度为15% 以下，^ 浓度为0. 15%以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分 别为0. 01%以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。
2.—种Al合金构件，其特征在于，以质量％计，Mg浓度超过0. 01 %而在5. 0%以下，Ce 浓度超过0. 01%而在5. 0%以下，Zr浓度超过0. 01%而在0. 15%以下，余部由Al及不可 避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0. 01 %以下，所述Al合金构件具有大于30 的维氏硬度。
3.根据权利要求1或2所述的Al合金构件，其特征在于，其表面的至少一部分由借助 非水溶液的阳极氧化膜覆盖。
4.根据权利要求3所述的Al合金构件，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜 的厚度为0. 1μπι 0.6μπι。
5.根据权利要求3或4所述的Al合金构件，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧 化膜是非晶体的Al2O3膜。
6.一种电子装置制造装置，其特征在于，在容器或基板搭载载台的至少一部分中使用 了权利要求1 5中任意一项所述的Al合金构件。
7.一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度为5. 0%以下，Ce浓度 为15%以下，^ 浓度为0. 15%以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的 元素分别为0. 01%以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度；将所述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步骤。
8.一种带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在于，具有获得Al合金构件的步骤，该Al合金构件中以质量％计，Mg浓度超过0. 01 %而在5. 0 % 以下，Ce浓度超过0. 01%而在5. 0%以下，Zr浓度超过0. 01%而在0. 15%以下，余部由Al 及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0. 01%以下，所述Al合金构件具有 大于30的维氏硬度；将所述Al合金构件的表面的至少一部分用借助非水溶液的阳极氧化膜覆盖的步骤。
9.根据权利要求7或8所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方法，其特征在 于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜的厚度为0. 1 μ m 0. 6 μ m。
10.根据权利要求7 9中任意一项所述的带有阳极氧化膜的Al合金构件的制造方 法，其特征在于，所述借助非水溶液的阳极氧化膜为非晶体的Al2O3膜。
全文摘要
本发明提供一种机械强度优异到可以在大型制造装置中使用的程度的Al合金构件。Al合金构件的特征在于，以质量％计，Mg浓度为5.0％以下，Ce浓度为15％以下，Zr浓度为0.15％以下，余部由Al及不可避免杂质构成，所述不可避免杂质的元素分别为0.01％以下，所述Al合金构件具有大于30的维氏硬度。
文档编号C25D11/06GK102105612SQ20098012881
公开日2011年6月22日 申请日期2009年7月28日 优先权日2008年7月30日
发明者伊藤久和, 佐伯雅之, 北野真史, 大见忠弘, 田原稔, 白井孝太 申请人:国立大学法人东北大学, 日本轻金属株式会社