高速灌孔电镀机构的制作方法

文档序号:17177612发布日期:2019-03-22 20:38阅读:200来源:国知局
高速灌孔电镀机构的制作方法

本实用新型涉及晶圆级芯片封装技术领域,特别是涉及一种高速灌孔电镀机构。



背景技术:

在载板封装制造流程中,芯片会先被树脂一类的材料包裹起来,再通过镭射开孔,影像转移在芯片上方形成电子电路,从而将芯片的电极引出来,通过外围电路的增层实现多功能的回路;再通过制作线路保护层,表面处理,切割后形成单个独立的封装原件,完成整个流程的制作。

目前在载板封装制造制程中使用的系统都是水平式连续性设计,针对一个制程的生产往往需要规划一条长线以满足生产品质及产能的需要;此方法短期内可满足厂商生产的需要,但是有以下缺点:(1)系统故障时就必须整条系统停机做维修,维修期间系统其他部件也必须处于停机等待,这样就会严重影响到生产的持续和产能问题;(2)此设计在产能提升方面也有一定困难,生产中必须要有足够的空间来满足系统的放置及生产的进行,一定程度上也限制了生产能力的提升;(3)由于系统长度的关系,前后端的药水浓度,温度等都无法做到一致,使得生产的载板封装结构片与片之间无法做到均一性;(4)自动化程度低,药液气味容易污染空气,药液喷洒不均匀,药液无法做到循环利用,浪费资源;(5)在目前的电镀制程中,一般将阳极设置在喷洒的后面,这就造成阳极的遮蔽率基本在40%左右,影响电镀效率的提升。



技术实现要素:

本实用新型主要解决的技术问题是封装过程中均一性差、自动化程度低,药液气味容易污染空气,药液喷洒不均匀,药液无法做到循环利用、浪费资源、阳极遮蔽率高、电镀效率不足的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供了一种高速灌孔电镀机构,包括:底板、工作台、扇叶结构、喷洒机构、阳极电力输入机构和阴极电力输入机构;

所述工作台,中间设置有凹槽,所述凹槽用于放置晶圆级芯片封装结构;所述工作台安装于所述扇叶结构上方,所述晶圆级芯片封装结构位于所述扇叶结构的正上方;

所述扇叶结构,做X轴方向运动,安装于所述喷洒机构上方,与摆动马达相连接,摆动马达与控制器相连接,用于去除所述晶圆级芯片封装结构下方的气膜;

所述喷洒机构,做Y轴方向运动,还包括喷盘、喷洒入液管,在所述底板上设置有滚轮安装座,在所述滚轮安装座上设置有多个第一滚轮,多个第一滚轮的圆周卡接于所述喷盘边缘上;喷盘通过连接块与摆动马达相连接,所述摆动马达与所述控制器相连接;

所述阴极电力输入机构,安装于所述凹槽的边框上,与整流器电缆相连接;

所述阳极电力输入机构,安装于所述喷洒机构上方,与整流器电缆相连接。

优选的,在上述的一种高速灌孔电镀机构中,所述扇叶结构还包括:中空框架、多个扇叶和X轴滑动机构,所述中空框架由四个直角型凹槽边、2块长方形板和2块压板组成,2块所述长方形板对称的分别安装于2个所述直角型凹槽边的凹槽内;在2块所述长方形边上对称的设置有多个扇叶滑槽,每个所述扇叶的两端依次安装于对称设置的2个所述扇叶滑槽内;2块所述压板安装于所述2块长方形板上,用于将所述扇叶端部压紧于所述滑槽内;所述中空框架两端安装于X轴滑动机构上,所述X轴滑动机构安装于所述底板上。

优选的,在上述的一种高速灌孔电镀机构中,多个所述扇叶平行的设置于多个所述扇叶滑槽内。

优选的,在上述的一种高速灌孔电镀机构中,所述晶圆级芯片封装结构安装于所述工作台上,所述扇叶位于所述晶圆级芯片封装结构下方,用于滑动排出晶圆级芯片封装结构下方堆积的电镀液气膜。

优选的,在上述的一种高速灌孔电镀机构中,所述X轴滑动机构还包括:多个第二滚轮、多个旋转轴、支撑板和驱动电机,每个所述第二滚轮都通过每个所述旋转轴安装于所述支撑板上,所述第二滚轮圆周卡接于所述中空框架底部边缘上,所述中空框架连接于所述驱动电机上,所述驱动电机与所述控制器相连接。

优选的,在上述的一种高速灌孔电镀机构中,所述喷盘上均匀的设置有多个喷嘴。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型在喷洒机构的摆动能够保证足够的药水置换量和喷洒的均匀性。扇叶结构的摆动能够有效的去除晶圆级芯片封装结构表面及盲孔内的气膜,改善盲孔的电镀效果。阳极电力输入机构安装于喷洒机构的上方,能够保证阳极不被遮蔽,提高电镀效率,同时阳极网上开孔让位喷嘴位置,不会影响喷洒效果。本高速灌孔电镀机构的各结构简洁明了;安装、调整简便,不会产生气膜对盲孔电镀的干扰;能有效提高电镀效率和电镀均匀性。

附图说明

图1-4是本实用新型的高速灌孔电镀机构的结构示意图;

图5是本实用新型的高速灌孔电镀机构的流程图。

附图中各部件的标记如下:

底板1,滚轮安装座101,第一滚轮102,工作台2,凹槽201,扇叶结构3,中空框架301,直角型凹槽边3011,长方形板3012,压板3013,扇叶滑槽3014,扇叶302,X轴滑动机构303,第二滚轮3031,旋转轴3033,支撑板3034,驱动电机3035,喷洒机构4,喷盘401,喷嘴4011,喷洒入液管402,摆动马达 403,阳极电力输入机构5,阴极电力输入机构6,晶圆级芯片封装结构7,控制器8,整流器电缆9。

具体实施方式

为了使本实用新型技术实现的措施、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

实施例1:

图1-4是本实用新型的高速灌孔电镀机构的结构示意图;

图5是本实用新型的高速灌孔电镀机构的流程图。

如图1-5所示,本实用新型的一种高速灌孔电镀机构,包括:底板1、工作台2、扇叶结构3、喷洒机构4、阳极电力输入机构5和阴极电力输入机构6;所述工作台2中间设置有凹槽201,所述凹槽201用于放置晶圆级芯片封装结构 7;所述工作台2安装于所述扇叶结构3上方,所述晶圆级芯片封装结构7位于所述扇叶结构3的正上方;所述扇叶结构3做X轴方向运动,安装于所述喷洒机构4上方,与所述控制器8相连接,用于去除所述晶圆级芯片封装结构7下方的气膜;所述喷洒机构4做Y轴方向运动,还包括喷盘401和喷洒入液管402,在所述底板1上设置有滚轮安装座101,在所述滚轮安装座101上设置有多个第一滚轮102,多个第一滚轮102的圆周卡接于所述喷盘401边缘上;所述喷盘 401通过连接块与所述摆动马达403相连接,所述摆动马达403与所述控制器8 相连接;所述阴极电力输入机构6安装于所述凹槽201的边框上,与所述整流器电缆9相连接;所述阳极电力输入机构5,安装于所述喷洒机构4上方,与所述整流器电缆9相连接。

实施例2:

如图1-5所示,在实施例的基础上,本实用新型的一种高速灌孔电镀机构,所述扇叶结构3还包括:中空框架301、多个扇叶302和X轴滑动机构303,所述中空框架301由四个直角型凹槽边3011、2块长方形板3012和2块压板3013 组成,2块所述长方形板3012对称的分别安装于2个所述直角型凹槽边3011的凹槽内;在2块所述长方形边3012上对称的设置有多个扇叶滑槽3014,每个所述扇叶302的两端依次安装于对称设置的2个所述扇叶滑槽3014内;2块所述压板3013安装于所述2块长方形板3012上,用于将所述扇叶302端部压紧于所述扇叶滑槽3014内;所述中空框架301两端安装于所述X轴滑动机构303第二滚轮上,所述X轴滑动机构303安装于所述底板1上。

进一步地,多个所述扇叶302平行的设置于多个所述扇叶滑槽3014内。

进一步地,所述晶圆级芯片封装结构7安装于所述中空框架301上,所述扇叶302位于所述晶圆级芯片封装结构7下方,用于滑动排出晶圆级芯片封装结构7下方堆积的电镀液气膜。

进一步地,所述X轴滑动机构303还包括:多个第二滚轮3031、多个旋转轴3033、支撑板3034和驱动电机3035,每个所述从动轮3031都通过每个所述旋转轴3033安装于所述支撑板3034上,所述第二滚轮3031圆周卡接于所述中空框架301底部边缘,所述中空框架301连接于所述驱动电机3035上,所述驱动电机3035与所述控制器8相连接。

进一步地,所述喷盘401上均匀的设置有多个喷嘴4011。

本实用新型的高速灌孔电镀机构的工作过程为:

将晶圆级芯片封装结构7放置于工作台2上的凹槽201内,然后控制器8 命令电镀液进入喷洒入液管402,通过喷盘401喷入工作台2内,对晶圆级芯片封装结构7进行药液喷洒,然后控制器8通过整流器电缆9使阳极电力输入机构5、阴极电力输入机构6与工作台上的电镀液形成闭合电路,对晶圆级芯片封装结构7进行电镀;在喷洒的过程中,控制器8命令摆动马达403带动滑块403 沿着滑轨101进行摆动喷洒,使喷洒更加均匀;同时控制器8命令驱动电机3035 带动中空框架301前后摆动,进而位于中空框架301上的扇叶302能够去除晶圆级芯片封装结构7底部堆积的电镀液气膜,增强电镀效果。

本实用新型在喷洒机构4的摆动能够保证足够的药水置换量和喷洒的均匀性。扇叶结构3的摆动能够有效的挤出晶圆级芯片封装结构7盲孔内的气膜,改善盲孔的电镀效果。阳极电力输入机构5安装于喷洒机构的上方,能够保证阳极不被遮蔽,提高电镀效率,同时阳极网上开孔让位喷嘴4011,不会影响喷洒效果。本高速灌孔电镀机构的各结构简洁明了;安装、调整简便,不会产生气泡对盲孔电镀的干扰;能有效提高电镀效率和电镀均匀性。

以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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