一种含缺陷的WO3光电极的制备方法与流程

文档序号:20279670发布日期:2020-04-07 15:02阅读:573来源:国知局
一种含缺陷的WO3光电极的制备方法与流程

本发明涉及一种含缺陷的wo3光电极的制备方法,属于光电极改良技术领域。



背景技术:

随着现代人类社会的快速发展,以及人口的持续增长,能源短缺成为制约经济发展的中心问题,因此世界各国都在寻找新能源和节能途径。在众多可再生清洁能源中,对太阳能的利用备受人们关注,因为太阳能是取之不尽,绿色方便的天然能源。根据对太阳能的利用方式,可将其分为三种,即光电转换、光热转换以及光化学转换。作为太阳能光化学转换技术之一的光解水制氢技术,成为当今太阳能利用技术研究领域的前沿。光解水制氢的原理是半导体在太阳光的照射下,由于光电效应会在导带和价带分别产生电子和空穴,由此产生电子和空穴可分别用来还原和氧化水产生氢气和氧气。而氢气作为一种清洁能源,具有无毒无臭、质量能量密度大、燃烧热值高等优点,此外氢气运输方便,是一种理想的能源载体。利用光催化制氢技术可以将广泛的太阳能转化为清洁的氢能,为解决能源短缺和环境恶化问题提供了一种理想的解决方案。

常用的光催化剂有tio2、zno、cds、wo3等,其中wo3是一种典型的窄带隙的间接半导体,禁带宽度eg=2.6~2.8ev,可以吸收太阳光中的部分可见光。此外,氧化钨具有较高的载流子迁移率,并且在酸性电解液和对光腐蚀的稳定性,以上这些优点使其成为光电化学分解水领域里的研究热点。另外钨氧化物的w6+易变价性和结构多样性,使其表面性质和电子结构具有很大的可调性,逐渐成为缺陷工程领域非常受关注的材料,并在光电、光热催化领域得到了广泛应用。然而,氧化钨虽然可以吸收可见光,但是由于氧原子的深2p轨道,其仅可吸收很少部分可见光,对于光吸收仍然不足。而且氧化钨空穴迁移率较低,导致光生载流子复合严重。另外氧化钨是一种酸性半导体,在中性或碱性电解液中不能稳定存在。这些缺点限制了其在进一步应用。

最近的研究表明,在氧化物半导体中引入适量浓度的缺陷,可以增强光催化剂的光吸收特性、电荷分离效率以及催化反应动力学,并以此提高光电极的光电活性。然而,传统的缺陷引入方法常常涉及高温惰性气氛处理,不仅反应条件苛刻,而且制备流程复杂、费用高昂。为了克服上述传统制备方法中的缺点,本发明提出一种常温下半导体缺陷的引入方法,并可实现对光电极缺陷浓度和光吸收特性的精确调控。



技术实现要素:

本发明提供一种含缺陷的wo3光电极的制备方法,该类wo3光电极具有较小的阻抗,增强的可见及红外光吸收能力,可有效提高wo3电极的光电化学分解水效率,并且成本低、制备方法简单、绿色环保。

为达到上述目的,拟采用这样一种含缺陷的wo3光电极的制备方法,具体步骤如下:

(1)wo3光电极的制备:在钨酸钠溶液中加入一定量的hcl溶液,得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入一定量的草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在一定温度的水浴中反应一定时间,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中退火一段时间,得到浅黄色的wo3电极;

(2)缺陷wo3光电极的制备:将(1)中制得的wo3电极与金属箔用导线连接,将wo3电极与金属箔同时浸入一定浓度的电解质溶液中反应一定时间,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷的wo3光电极。

步骤(1)中钨酸钠、盐酸、草酸铵的摩尔比为1:(5-20):(1-10),水浴温度为50-80℃,水浴时间4-12小时,退火温度400-600℃,退火时间1-5小时。

前述方法中,所使用的电解质溶液为酸性溶液,是盐酸、硫酸、硝酸中的一种或混合溶液,电解液的浓度0.1-6mol/l,对于酸性溶液,所使用的金属片为fe、zn、cu、ni或al,金属箔的纯度>99%,反应时间2秒-5分钟。

前述方法中,所使用的电解质溶液为碱性溶液,是koh、naoh、lioh中的一种或混合溶液,电解液的浓度0.1-6mol/l,碱性溶液所使用的金属箔为al箔,纯度>99%,反应时间2秒-5分钟。

wo3变色的原理为金属箔与电解质溶液发生氧化还原反应产生电子,电子转移到wo3电极上并使wo3部分还原,同时在wo3半导体内产生氧空位,缺陷wo3光电极在可见及红外光区出现光吸收。氧空位可以增加wo3电极的导电性,并扩展wo3的光吸收,从而增强了wo3光电极的光电化学分解水效率。

与现有技术相比,本发明具有以下优点:

1)所制备的wo3光电极由纳米片阵列组成,高温退火后纳米片表面存在纳米孔结构,有利于光的吸收以及电解液的扩散,在wo3半导体中引入缺陷,一方面可以扩展其在可见及红外光区的吸收,另一方面可以增加wo3的导电性,促进光生电子和空穴的分离,从而可以获得较高的光电转换效率;

2)采用水浴法制备wo3光电极,反应温度低、工艺过程简单、设备简单、成本低;

3)在wo3电极引入缺陷的方法,不需要传统的高温还原处理,反应温度低、工艺过程简单、设备简单,反应快速安全、成本低;

4)wo3的颜色和缺陷引起的光吸收峰可通过化学反应调节,通过控制反应时间,采用不同的金属箔,采用不同浓度的溶液等反应条件,可以精确调控wo3的变色程度以及缺陷浓度,能够根据需求灵活调控所制备wo3光电极的性能。

附图说明

图1为水浴法制备的wo3光电极的扫描电镜照片;

图2为wo3光电极与fe箔反应不同时间(2s、5s、10s、60s)后的紫外-可见吸收光谱,随着反应时间的延长,wo3电极的缺陷能级引起的吸收峰逐渐蓝移;

图3为wo3光电极与不同金属箔(ni、cu、fe、zn、al)在3mol/l的hcl溶液中反应后的紫外-可见吸收光谱;

图4为wo3电极与al金属箔在1mol/l的naoh溶液中反应前后的紫外-可见吸收光谱;

图5为wo3光电极与fe箔反应不同时间后的光电化学性能。测试条件:模拟太阳光(am1.5g,100mw/cm2),0.5mol/l的h2so4溶液作为电解液,pt丝作为对电极,ag/agcl为参比电极;

图6为还原处理前后wo3电极的w4f高分辨xps图谱。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图1-6对本发明作进一步的详细说明,应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例1

(1)wo3光电极的制备过程如下:称取3.3g的钨酸钠溶于1000ml的去离子水中,搅拌10分钟,得到透明澄清溶液。在上述溶液中加入40ml浓度为5mol/l的hcl溶液,搅拌10分钟得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入2.48g草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在60℃的水浴中反应8小时,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中500℃退火2小时,得到浅黄色wo3电极。

(2)缺陷wo3光电极的制备过程如下:将(1)中制得的wo3电极与fe箔用导线连接,将wo3电极与fe箔同时浸入3mol/l的hcl溶液中反应10秒,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷wo3光电极。

实施例2

(1)wo3光电极的制备过程如下:称取8.25g的钨酸钠溶于1000ml的去离子水中,搅拌10分钟,得到透明澄清溶液。在上述溶液中加入100ml浓度为5mol/l的hcl溶液,搅拌10分钟得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入6.2g草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在60℃水浴中反应8小时,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中500℃退火2小时,得到浅黄色wo3电极。

(2)缺陷wo3光电极的制备过程如下:将(1)中制得的wo3电极与fe箔用导线连接,将wo3电极与fe箔同时浸入3mol/l的hcl溶液中反应10秒,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷wo3光电极。

实施例3

(1)wo3光电极的制备过程如下:称取16.5g的钨酸钠溶于1000ml的去离子水中,搅拌10分钟,得到透明澄清溶液。在上述溶液中加入250ml浓度为5mol/l的hcl溶液,搅拌10分钟得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入12.4g草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在60℃水浴中反应8小时,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中500℃退火2小时,得到浅黄色wo3电极。

(2)缺陷wo3光电极的制备过程如下:将(1)中制得的wo3电极与fe箔用导线连接,将wo3电极与fe箔同时浸入3mol/l的hcl溶液中反应10秒,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷wo3光电极。

实施例4

(1)wo3光电极的制备过程如下:称取8.25g的钨酸钠溶于1000ml的去离子水中,搅拌10分钟,得到透明澄清溶液。在上述溶液中加入100ml浓度为5mol/l的hcl溶液,搅拌10分钟得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入6.2g草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在80℃水浴中反应8小时,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中500℃退火2小时,得到浅黄色wo3电极。

(2)缺陷wo3光电极的制备过程如下:将(1)中制得的wo3电极与fe箔用导线连接,将wo3电极与fe箔同时浸入3mol/l的hcl溶液中反应10秒,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷wo3光电极。

实施例5

将实施例2中步骤(1)的水浴时间变为4小时,其他反应条件不变。

实施例6

将实施例2中步骤(1)的水浴时间变为12小时,其他反应条件不变。

实施例7

将步骤(2)反应中所用的fe箔换成zn箔,其他反应条件同实施例2。

实施例8

将步骤(2)反应中所用的fe箔换成cu箔,其他反应条件同实施例2。

实施例9

将步骤(2)反应中所用的fe箔换成ni箔,其他反应条件同实施例2。

实施例10

将步骤(2)反应中所用的fe箔换成al箔,其他反应条件同实施例2。

实施例11

将步骤(2)反应中所使用的hcl溶液换成hno3溶液,其他反应条件同实施例2。

实施例12

将步骤(2)反应中所使用的hcl溶液换成h2so4溶液,其他反应条件同实施例2。

实施例13

将步骤(2)反应中所用的hcl溶液的浓度变为0.1mol/l,其他反应条件同实施例2。

实施例14

将步骤(2)反应中所用的hcl溶液的浓度变为0.5mol/l,其他反应条件同实施例2。

实施例15

将步骤(2)反应中所用的hcl溶液的浓度变为1mol/l,其他反应条件同实施例2。

实施例16

将步骤(2)反应中所用的hcl溶液的浓度变为6mol/l,其他反应条件同实施例2。

实施例17

将步骤(2)反应中的反应时间变为2秒,其他反应条件同实施例2。

实施例18

将步骤(2)反应中的反应时间变为5秒,其他反应条件同实施例2。

实施例19

将步骤(2)反应中的反应时间变为30秒,其他反应条件同实施例2。

实施例20

将步骤(2)反应中的反应时间变为60秒,其他反应条件同实施例2。

实施例21

将步骤(2)反应中的反应时间变为5分钟,其他反应条件同实施例2。

实施例22

1)wo3光电极的制备过程如下:称取8.25g的钨酸钠溶于1000ml的去离子水中,搅拌10分钟,得到透明澄清溶液。在上述溶液中加入100ml浓度为5mol/l的hcl溶液,搅拌10分钟得到黄色的钨酸悬浊液,然后加入6.2g草酸铵,得到透明澄清溶液。将清洗干净的fto导电玻璃导电面朝下放入溶液中,在60℃水浴中反应12小时,得到明黄色的h2wo4电极。将制备的h2wo4电极放入马弗炉中500℃退火2小时,得到浅黄色wo3电极。

(2)缺陷wo3光电极的制备过程如下:将(1)中制得的wo3电极与al箔用导线连接,将wo3电极与al箔同时浸入3mol/l的naoh溶液中反应10秒,wo3电极的颜色逐渐由浅黄色变为深蓝色,将光电极分别用去离子水和乙醇冲洗并烘干,即得到含缺陷wo3光电极。

实施例23

将实施例22中步骤(2)的电解质溶液变为koh溶液,其他反应条件不变。

实施例24

将实施例22中步骤(2)的电解质溶液变为lioh溶液,其他反应条件不变。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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