具有接触块的接触结构的制作方法

专利名称：具有接触块的接触结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及与诸如电子电路或者器件的接触焊点或者引线之类的接触目标建立电连接的接触结构，更具体而言，本发明涉及用于一个探针插板中的接触结构，所述探针插板用于以改进的频带宽度、引线间距和接触性能及可靠性来测试半导体晶片、半导体芯片、封装的半导体器件、组件插口以及印刷电路板等。
背景技术：
在测试高密度和高速电气装置，如LSI和VLSI电路时，必须使用高性能的接触结构，如探针接触器或者测试接触器。本发明的接触结构不仅仅应用于半导体晶片和小片的测试和烧接，也包括封装的半导体器件、印刷电路板等的测试和烧接。本发明的接触结构还能够使用于更广阔的领域，包括IC引线、IC封装以及其它电连接。但是，为了便于说明，本发明主要参照半导体晶片测试进行描述。
在将要被测试的半导体器件是半导体晶片的情况下，一种半导体测试系统，诸如一个IC测试机，通常和一个基板处理器，例如一种自动晶片探针，一起自动测试半导体晶片。这样一个实例表示在图1中，其中一个半导体测试系统具有一个测试头100，该测试头100通常位于一个独立的盒体内且通过电缆束与测试系统主框架进行电连接。该测试头100在例如通过一个电机510驱动的键控器500的帮助下与基板处理器400彼此机械连接。
通过基板处理器400，自动将要被测试的半导体晶片提供到测试头100的一个测试位置上。从被测的半导体晶片IC上的电路获得的合成输出(响应)信号被传送给半导体测试系统，在其中这些信号与期望数据进行比较，以确定半导体晶片上的IC电路功能是否正常。
图2更详细地示出了基板处理器(晶片探测器)400、测试半导体晶片时的测试头100和接口组件140的结构。测试头100和基板处理器400与接口组件140连接，所述接口组件140由性能板、转换(pogo)引线块、探针插板和其它部件构成。图2的性能板120是一个只与测试头的电覆盖区、同轴电缆、转换引线块进行电路连接的印刷电路板。
测试头100包括与测试通道或者测试引线数目相对应的印刷电路板150。每一个印刷电路板具有一个用于容纳性能板120的一个对应接触端点121的连接器160。一个“蛙”环(转换引线块)130安装在性能板120上，以便准确确定相对于基板处理器400的接触位置。该蛙环130具有大量的接触引线141，例如ZIF连接器或者转换引线，这些接触引线通过同轴电缆124连接于性能板120的接触端点121上。
如图2所示，测试头100放置在基板处理器400上，并且通过接口组件140与基板处理器进行机械和电连接。在该基板处理器400中，将被测半导体晶片300安装在一个夹盘180上。一个探针插板170设置在被测半导体晶片300上。探针插板170具有大量的探针接触器或者接触结构(例如悬臂(cantilever)或者针)190，以便与被测半导体晶片300的IC电路内的电路接线端或者接触目标接触。
探针插板170的电接线端或者接触插口与设置在蛙环130上的接触引线141进行电连接。该接触引线141还通过同轴电缆124连接于性能板120的接触端点121，其中每一个接触端点121与测试头100的印刷电路板150相连接。此外，印刷电路板150通过具有几百根内部电缆的电缆110连接于该半导体测试系统。
在这种设计方案中，探针接触器190接触位于夹盘180上的半导体晶片300的表面，以向半导体晶片300提供测试信号，并从该芯片300接收合成输出信号。来自被测半导体晶片300的合成输出信号与半导体测试系统所产生的期望数据相比较，以确定该半导体晶片300是否正常工作。
图3是图2中常规探针插板170的底视图。在该示例中，探针插板170具有一个环氧树脂环，其上固定有多个被称为针或者悬臂的探针接触器。当图2中半导体晶片探针400内的装有半导体晶片300的夹盘180朝上移动时，悬臂190的触点接触晶片300上的凸垫或凸块。悬臂190的端部与电线194相接触，电线194进一步与形成在探针插板170内的传输线(未示出)相连接。这些传输线连接到与图2中的转换引线141相接触的多个电极197上。
探针插板170通常由多层聚酰亚胺基板构成，其中包括接地层、电源层和多层的信号传输线。如本领域所公知的那样，通过平衡分布参数，即聚酰亚胺的介电常数和聚透磁性以及探针插板170内的信号通道的电感和电容，将每一条信号传输线设计成具有一个例如为50ohms的特性阻抗。因此，信号线是为晶片300建立了高频传输带宽的阻抗匹配线，用于提供稳态下的电流以及器件输出开关在瞬态产生的高电流峰值。为了去除噪音，电容器193和195设置在电源层和接地层之间的探针插板上。
探针插板170的一种等效电路表示在图4中，以解释传统探针插板技术中对高频性能的限制。如图4A和4B所示，探针插板170上的信号传输线沿着电极197、带状线196(匹配阻抗)、电线194和针或者悬臂(接触结构)190的方向延伸。由于该电线194和针190的阻抗不相匹配，所以这些部分具有相当于图4C所示的高频带内的一个电感器L的功能。由于电线194和针的总长度大约为20-30mm，因此在测试一个被测器件的高频性能时，电感器将会产生较大的限制。
对探针插板170的频带宽度构成限制的其它因素在于图4D和4E中所示的电源和接地针。如果电源线能够向被测器件提供足够大的电流，那么在测试器件的过程中就不会严格限制操作带宽。但是，由于用于供电(图4D)的电线194和针190的串联连接以及用于使电源和信号(图4E)接地的电线194和针190的串联连接在电感上是等效的，因此高速电流的流动严重受限。
此外，电容器193和195被设置在电源线和接地线之间，用于通过滤除电源线的噪音或者波动脉冲来确保被测器件的正常性能。电容器193具有相当大的值，例如10μF，且如果必要能够通过开关与电源线断开连接。电容器195具有相对较小的电容值，如0.01μF，并且固定连接在靠近DUT的位置上。这些电容器用作电源线上的高频去耦合装置。换句话说，这些电容器限制了探针接触器的高频性能。
因此，上述最广泛使用的探针接触器被限制在大约200MHZ的频带宽度内，该频带宽度不足以测试当前的半导体器件。在工业上，认为可与测试器容量相匹配的目前为1GHz或更高的频率宽度在不久的将来是必须的。此外，在工业上要求探针插板能够以一种并联的方式处理大量的，例如32个或更多个半导体器件，尤其是存储器，以增加测试通过量。
在传统技术中，如图3所示的探针插板和探针接触器是手工制造的，从而造成产品质量不一致。这种质量上的不一致包括尺寸波动，频率宽度波动，触点压力波动和电阻波动等。在传统探针接触器中，使接触性能不可靠的另一个因素是温度变化，在不同的温度下，探针接触器和被测半导体晶片具有不同的温度膨胀系数。因此，在温度变化的过程中，接触位置也会变化，这将对触点压力、接触电阻和带宽产生不利的影响。

发明内容因此，本发明的一个目的是提供一种用于与接触目标进行电接触的接触结构，以便在接触结构和接触目标之间建立电连接，从而获得较高的频带宽度、多插头(引线)数和高接触性能。
本发明的另一个目的是提供一种用于测试半导体器件的接触结构，其适合于同时测试大量并联的半导体器件。
本发明的又一个目的是提供一种具有大量利用带自动连接技术(TAB)生产的接触器的接触结构，使得该接触器具有一种微带线结构，该结构具有一个预定的特性阻抗。
本发明的又一个目的是提供一种具有多个接触器的接触结构，其中每一个接触器在导线一端设置有一个接触凸块，用于在接触结构压住接触目标时达到理想的摩擦(scrubbing)效果。
本发明的又一个目的是提供一种接触结构，其中多个具有接触凸块的接触器被插入基板的通孔内，并利用粘合剂附着于其上。
在本发明中，一种用于与接触目标建立电接触的接触结构具有以接触凸块作为接触点的TAB(带自动连接)形式。该接触结构包括多个由通过介电层而置于接地层上的导线构成的接触器，其中每一导线具有平板形状，以形成一个与介电层和接地层结合、用于建立一个预定特性阻抗的微带线，而且在导线一端设置一个接触凸块，例如一个由一种硬导电材料形成的球形接触件，和一个用于安装多个接触器并使通信路线从导线端部延伸到接触结构外部部件的支撑基板，其中在接触结构压住被测基板时，这些接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板的一个表面倾斜，从而接触器的弯曲部分以位于导线一端的接触凸块实现一种摩擦效果的方式产生一个触点压力。
在本发明的另一个方面中，上述接触结构在接地层的外围进一步设有一个接触器支架，用于在压住被测基板时限制接触器的变形。在本发明的又一个方面中，该接触结构包括一个具有多个接触器连接通孔和多个接触器的接触基板。多个接触器被插入接触基板的通孔内，并利用胶粘剂附着于其上。
在本发明的又一个方面中，该接触结构由通过一个绝缘层相互并置的第一层和第二层构成，所述第一层和第二层分别由多个接触器构成，其中第一层和第二层中的每一层上的多个接触器由通过介电层而置于接地层上的导线构成，其中每一个导线具有平板形状，用以形成与介电层和接地层结合、用于建立预定特性阻抗的微带线，而且在导线一端设置有一个由硬导电材料制成的接触凸块，以及一个用于固定多个接触器并使通信线路从导线这些端延伸到接触结构的外部部件的支撑基板，其中在接触结构压住测试基板时，这些接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板的一个表面倾斜，使得接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现摩擦效果的方式产生一个触点压力。
根据本发明，该接触结构具有非常高的频带宽度，以满足下一代半导体技术的要求。由于该接触结构由利用带自动连接(TAB)技术而形成的接触器构成，因此大量接触器以低成本、小间距排列。位于导线端部的这些接触凸块由硬材料制成，以便能够在该接触结构压住接触目标时实现理想的摩擦效果。此外，由于本发明的接触结构具有一种微带线结构，因此能够一直到接触器端部都建立阻抗匹配，从而在非常高的频率范围内获得一种极好的接触性能。


图1是表示基板处理器和一个具有测试头的半导体测试系统之间结构关系的示意图。
图2是表示用于将该半导体测试系统的测试头连接到该基板处理器的详细结构的实例示意图。
图3表示一个探针插板实例的底视图，所述探针插板具有一个用于固定多个作为探针接触器的悬臂的环氧树脂环。
图4A-4E是表示图3中探针插板的等效电路的电路图。
图5是表示本发明接触结构的透视图，该接触结构具有阻抗匹配的TAB(带自动连接)引线接触器，该引线接触器一端具有球形触点。
图6是表示本发明的形成在一个基板上的接触结构的一个实例的剖视前视图。
图7是图6所示本发明接触结构的底视图。
图8是表示本发明形成在一个基板上的接触结构的另一个实例的剖视前视图。
图9是依据本发明的具有排列在四个方向上的接触器的接触结构的底视图。
图10是具有两层阻抗匹配TAB型接触器的本发明接触结构另一个实例的剖视前视图。
图11是具有固定在接触基板接触器连接通孔内的多个TAB型接触器的本发明接触结构一个实例的剖视前视图。
图12是图11中接触结构的顶视图。
具体实施方式
本发明接触结构的第一个实施例表示在图5和图6中，它包括多个整体为板状的接触器30，所述接触器由多个导线35，一个介电层36，一个接地层37以及多个固定在导线35上的接触凸块31构成。在图6中，接触器30被固定在接触基板20上。这种板状接触器30最好通过一种在电子器件工业中所使用的带自动连接(TAB)技术而形成。通常在要求外壳厚度较薄时，带自动连接工艺(TAB)用于卷紧半导体晶片。在本发明中，这种TAB技术用于建立一种阻抗匹配的接触结构，以实现较高的频带宽度。
当在本发明中使用这种TAB技术时，具有多个固定在介电基板上的一组接触器最好设置在一个带载体上，其中介电基板进一步固定在一个接地层上。该带载体可以设置大量这种接触器组，并存储在一个带盘上。带载体出自带盘，带载体上的接触器定位于接触基板20上，并通过粘接工艺附着在接触基板20上。
图5还示出了将要被半导体测试系统测试的半导体晶片300上的接触目标，例如一个接触焊点320。当该接触结构压住该半导体晶片300时，在位于导线35顶端的接触凸块31和位于半导体晶片300上的接触焊点320之间建立了电通信。由于接触凸块31由硬导电材料制成，如后面更详细描述的那样，接触器30在压住接触目标320时表现出一种摩擦效果。该摩擦效果是指接触目标320的氧化物表面被摩擦，以使导电材料直接与接触结构的接触凸块31接触。
图6示出了定位于被测半导体晶片上的本发明的接触结构的剖视图。图6的接触结构包括接触器30和具有电路构图(未示出)的接触基板20。如上所述，接触器30以一种类似于半导体器件封装技术中广泛使用的TAB引线的方式形成。这种TAB引线包括多个形成在连续带上的导线，所述连续带被保存在一个带盘上。该带盘上的TAB引线定位于半导体芯片上，并通过例如热焊接附着在半导体芯片上。本发明的接触器30能够以类似的方式固定在接触基板20上。
如图5和6所示，每一个接触器30都具有通过介电层36而置于接地层37上的导线35。因此，每一个导线35构成了一个微波技术领域中公知的微带线结构。在一个微带线中，其特性阻抗由诸如导线35的宽度，介电层36的厚度，以及介电层36的介电常数和导磁性之类的因数确定。在接触结构压住所述半导体晶片300时，接触器30是弯曲的，相对于固定有接触目标320的半导体晶片的一个表面倾斜，使得接触器的弯曲部分产生一个触点压力。
介电层36材料包括例如氧化铝、氧化铍(BeO)、蓝宝石、玻璃纤维、玻璃环氧树脂、充填陶瓷的特氟隆等。因此，接触器30的特性阻抗能够容易地与接触基板20上的信号线(未示出)的阻抗，例如50ohms匹配。因此，由于直到接触器30的端部都能建立阻抗匹配，从而能够在本发明的接触结构中实现高频操作。
接触凸块31通常具有球形形状，尽管其它形状如梯形、近似方形、锥形或者圆锥形也是可行的。接触凸块31通常是一个直径例如为40μm的硬接触球，并且由涂有钨或者一种硬金属的玻璃制成。接触凸块31需要足够硬以便在压住具有金属氧化层的接触目标320时实现摩擦效果。例如，如果晶片300上的接触目标320表面涂有氧化铝，那么该摩擦效果有效地破坏了氧化铝表面，并且与氧化铝表面下面的低接触电阻导电材料建立电接触。在接触结构沿图6的垂直方向压住晶片300时，由于接触器30的倾斜角，接触凸块31在水平方向移动，从而进一步提高了摩擦效果。
导线35和接地层37的材料包括例如镍、铝、铜、镍钯、铑、镍金、或铱。如上所述，介电层36的材料包括例如氧化铝、氧化铍(BeO)、蓝宝石、玻璃纤维、玻璃环氧树脂、充填陶瓷的特氟隆等。还如上所述，接触凸块31材料是例如涂有钨或者其它硬金属的玻璃球。接触凸块31的另一个实例是一个由诸如镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或者铁-镍合金之类的硬金属制成的球形、方形、棱锥形或圆锥形的接触器。
此外，该接触凸块31可由诸如上述镍、铝、铜或者其它合金之类的基底金属构成，并在其上镀有诸如金、银、镍钯、铑、镍金或铱之类的高导电性的抗氧化金属。在图5和6的实施例中，球形接触凸块31通过软焊、硬焊、熔焊、包括热声(thermosonic)焊接、热压焊接和超声波焊接技术等的各种焊接技术，或者通过涂覆一种导电粘合剂而连接于导线35的顶端。接触凸块31的形状可以是半球形，以使其非球形的部分连接于导线35的端部。
图7是本发明接触结构的底视图。导线35上除恰好具有接触凸块的端部以外的部分被固定在介电层36和接地层37上。因此，接触结构的阻抗与直到导线35端部的测试系统其它传输线的阻抗匹配。尽管在图7中接触器30的长度都相等，但根据本发明，不同长度的接触器30，即导线35也是可以接受的。
图8是表示本发明接触结构的另一个实例的剖视图。在该实例中，除了图6的实例所示的部件外，该接触结构还包括一对位于接地层37外围的接触器支架44。接触器支架44通过例如螺丝钉42固定于接触基板20上。当图8的接触结构压住半导体晶片300时，接触器支架44将与接地层37的上表面接触，从而限制接触器30的进一步变形。因此，接触器支架44在接触器300太柔韧时保护接触器30，并且在接触结构压住半导体晶片300时向接触结构提供附加的弹力。
图9是示出了本发明又一个实施例的底视图的示意图。在该实例中，接触结构在四个方向都具有接触引线35，使得接触点排列成一个方形。导线35上除恰好具有接触凸块31的端部以外的部分被固定在介电层36和接地层上。因此，接触结构的阻抗与直到导线35端部的测试系统传输线的阻抗匹配。如图9中的虚线所示，导线35之间的间距在端部变大(扇出)，以和基板20上的电路构图(未示出)之间距匹配。
图10是表示本发明接触结构又一个实例的剖视图。在该实例中，接触结构包括两层接触器。外层接触器由一个接地层371，一个介电层361，和形成一个微带状结构的导线351构成。在每一导线351的一端，设置有一个接触凸块311。内层接触器由一个接地层372，一个介电层362，和形成一个微带状结构的导线352构成。在每一导线352的一端，设置有一个接触凸块312。一个绝缘层39设置在外层接触器和内层接触器之间，以使这些接触器相互电绝缘。在这种结构中，可以实现具有高频性能的小间距接触器。
每一个接触凸块311和312(统称为接触凸块31)是直径例如为40μm，并且由涂有钨或一种硬金属的玻璃制成的硬接触球(或者上述其它形状)。接触凸块31需要足够硬，以便在压住具有金属氧化层的接触目标320上时能够获得摩擦效果。例如，如果晶片300上的接触目标320表面涂有氧化铝，那么有效的摩擦效果能够与氧化铝表面下面的低接触电阻导电材料建立电接触。由于接触器30的倾斜角，当接触结构在图6中的垂直方向上压住晶片300时，接触凸块31在水平方向上移动，因而进一步提高了摩擦效果。
导线351、352和接地层371、372的材料包括镍、铝、铜、镍钯、铑、镍金、或者铱。如上所述，介电层361、362的材料包括氧化铝、氧化铍(BeO)、蓝宝石、玻璃纤维、玻璃环氧树脂、充填陶瓷的特氟隆等。接触凸块31的另一个实例是涂有钨或者其它硬金属的玻璃球(或者其它形状)。接触凸块31的另一个实例是由诸如镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或者铁-镍合金之类的硬金属制成的球形(或者诸如方形、梯形、锥形、或者圆锥形之类的其它形状)的接触器。
此外，接触凸块31可以由诸如镍、铝、铜，或者上述的其它合金之类的基底金属制成，且在其上镀有诸如金、银、镍钯、铑、镍金或者铱之类的高导电性抗氧化金属。接触凸块31通过软焊、硬焊、熔焊、包括热声焊接、热压焊接和超声波焊接技术在内的各种焊接技术，或者通过涂覆导电粘合剂附着于导线35顶端。接触凸块31的形状可以是半球形的，以使其非球形部分附着于导线35的端部。
图11是本发明接触结构又一个实施例的剖视前视图，所述接触结构具有多个固定在接触基板60接触器连接通孔内的TAB引线接触器。图12是图11的接触结构的顶视图。在该实例中，通过将接触器30装配到接触基板60上的接触器连接通孔内而构成接触结构。接触基板的一个实例是硅基板、玻璃基板或者陶瓷基板，在基板上利用蚀刻工艺，例如使用一种深沟蚀刻技术生成接触器连接通孔。以将接触器30插入接触器连接通孔并以粘合剂50固定的方式将接触器30固定在基板60内。粘合剂包括例如环氧树脂、聚酰亚胺、热塑性粘合剂和合成橡胶粘合剂。
如图12的顶视图所示，接地层37和介电层36下的导线35连接到基板60上的接触焊点38上。如图12中虚线所示，导线35之间的距离在端部变大(扇出)，以与基板60上的电路构图或接触焊点的间距匹配。
根据本发明，接触结构具有非常高的频带宽度，以满足下一代半导体技术的要求。由于接触结构由使用一种带自动连接(TAB)技术而形成的接触器构成，所以大量接触器以低成本、小间距排列。导线端部的接触凸块由硬材料制成，从而在接触结构压住接触目标时能够获得理想的摩擦效果。此外，由于本发明的接触结构具有微带线结构，所以直到接触器的端部都能够建立阻抗匹配，从而能够在非常高的频率范围内获得非常好的接触性能。
尽管这里只具体说明和描述了一个最佳实施例，但是很显然，根据本发明的上述教导和在后附权利要求书的范围内，在不脱离本发明的精神和保护范围内的前提下，很多改进和变化都是可能的。
权利要求
1.一种用于与设置在被测基板上的接触目标建立电连接的接触结构，包括多个由通过介电层而置于接地层上的导线形成的接触器，所述每一导线具有平板形状，以形成一个与所述介电层和接地层结合、用于建立预定特性阻抗的微带线，并在每一导线的端部设置一个由一种硬导电材料制成的接触凸块；以及一个用于在其上固定所述多个接触器，并使通信路径从所述导线端部延伸到该接触结构外部的一个部件的支撑基板；其中在接触结构压住所述被测基板时，所述接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板表面倾斜，使得接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现摩擦效果的方式产生一个弹性的触点压力。
2.如权利要求1所述的接触结构，其中所述多个接触器与支撑基板接合。
3.如权利要求1所述的接触结构，进一步包括一个设置在接地层外围、用于在接触器压住被测基板时限制接触器变形的接触器支架。
4.如权利要求1所述的接触结构，其中所述导线由镍、铝、铜、镍钯、铑、镍金或者铱制成。
5.如权利要求1所述的接触结构，其中所述接触凸块为球形、近似方形、梯形、棱锥形或者圆锥形。
6.如权利要求1所述的接触结构，其中所述接触凸块由涂有钨或其它金属的玻璃凸块构成。
7.如权利要求1所述的接触结构，其中所述接触凸块由包括镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或者铁镍合金在内的硬金属制成。
8.如权利要求1的所述接触结构，其中所述接触凸块由诸如镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或铁镍合金之类的基底金属构成，并在其上镀有诸如金、银、镍钯、铑、镍金或铱之类的高导电性抗氧化金属。
9.如权利要求1所述的接触结构，其中所述接触凸块通过软焊、硬焊、熔焊或者应用导电粘合剂附着于导线上。
10.一种用于实现与设置在被测基板上的接触目标的电连接的接触结构，包括通过一个绝缘层相互并置的第一层和第二层，所述第一层和第二层分别由多个接触器构成；所述第一层和第二层中的每一层上的多个接触器由通过一个介电层而置于接地层上的导线构成，其中所述每一导线具有平板形状，以形成与介电层和该接地层结合的用于建立预定特性阻抗的微带线，并在每一导线的一端设置一个由硬导电材料制成的接触凸块；以及一个用于在其上固定多个接触器，并使通信线路从所述导线端部延伸到接触结构的一个外部部件上的支撑基板；其中在接触结构压住被测基板时，所述接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板表面倾斜，使得该接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现一种摩擦效果的方式产生一个触点压力。
11.如权利要求10所述的接触结构，其中所述导线由镍、铝、铜、镍钯、铑、镍金或铱制成。
12.如权利要求10所述的接触结构，其中所述接触凸块为球形、近似方形、梯形、棱锥形或者圆锥形。
13.如权利要求10所述的接触结构，其中所述接触凸块由涂有钨或者其它金属的玻璃凸块构成。
14.如权利要求10所述的接触结构，其中所述接触凸块由包括镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或者铁镍合金在内的硬金属制成。
15.如权利要求10所述的接触结构，其中所述接触凸块由诸如镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或者铁镍合金之类的基底金属构成，并在其上镀有诸如金、银、镍钯、铑、镍金或铱之类的高导电性抗氧化金属。
16.如权利要求10所述的接触结构，其中所述接触凸块通过软焊、硬焊、熔焊或者应用导电粘合剂附着于导线上。
17.一种用于实现与设置在被测基板上的接触目标的电连接的接触结构，包括多个由通过介电层而置于接地层上的导线构成的接触器，所述每一导线具有平板形状，以形成一个与所述介电层和接地层结合、用于建立预定特性阻抗的微带线，并在每一导线端部设置一个由一种硬导电材料制成的接触凸块；以及用于在其上固定所述多个接触器并使通信路径从所述导线端部延伸到该接触结构外部的一个部件的支撑基板，所述支撑基板具有通孔，用于以如下方式容纳所述接触器，即将接触器插入支撑基板并将粘合剂涂覆在所述接触器和所述通孔上，使所述接触器附着于所述支撑基板上；其中在接触结构压住所述测试基板时，所述接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板表面倾斜，使得接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现一种摩擦效果的方式产生一个弹性的触点压力。
18.如权利要求17所述的接触结构，其中所述接触凸块为球形、近似方形、梯形、棱锥形或者圆锥形。
19.如权利要求17所述的接触结构，其中所述接触凸块由涂有钨或其它金属的玻璃凸块构成。
20.如权利要求17所述的接触结构，其中所述接触凸块由包括镍、铍、铝、铜、镍-钴-铁合金或铁镍合金在内的硬金属制成。
全文摘要
一种用于与设置在被测基板上的接触目标建立电连接的接触结构，具有一种以球形接触器作为接触点的TAB(带自动连接)形式。该接触结构包括多个由通过介电层而置于接地层上的导线构成的接触器，其中每一导线具有一种平板形状，以形成一个与所述介电层和接地层结合、用于建立预定特性阻抗的微带线，并在每一导线的端部设置一个由一种硬导电材料制成的接触凸块；以及用于在其上固定所述多个接触器，并使通信路径从所述导线端部延伸到该接触结构外部的一个部件的支撑基板。当接触结构头压住被测基板时，接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板表面倾斜，使得接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现摩擦效果这样的方式产生一个触点压力。
文档编号G01R31/26GK1397804SQ0112031
公开日2003年2月19日 申请日期2001年7月18日 优先权日2001年7月18日
发明者西奥多·A·库利, 蒂姆·弗雷什 申请人:株式会社鼎新, 爱迪生焊接研究所