1.一种透射电镜样品的制作方法，应用于对失效芯片的失效点进行检测，所述失效芯片由上及下依次包括：微透镜层、彩色滤光片层、氧化物层、硅片层、光电二极管层、复数个金属层，所述光电二极管层为所述失效芯片的待观测层；其特征在于，所述方法包括：
步骤S1、在所述待观测层上设置复数个位置标记，所述位置标记环绕所述失效点设置；
步骤S2、在所述失效芯片的所述微透镜层上方的第一平面上电镀铂金保护层；
步骤S3、采用聚焦离子束沿垂直于所述第一平面的方向对所述失效芯片进行切割，得到具有所述失效点以及所述位置标记的待检测样品；
步骤S4、将所述待检测样品上与所述第一平面相垂直的第二平面粘贴于一第一承载基体上；
步骤S5、采用聚焦离子束沿垂直于所述第二平面的方向对所述待检测样品及所述第一承载基体进行切割操作，得到具有所述失效点以及所述位置标记，且底部附着有所述第一承载基体切割后剩余部分的立体透射电镜样品；
步骤S6、将所述立体透射电镜样品上，对应所述待检测样品的所述第一平面的面粘贴于一第二承载基体上；
步骤S7、对所述立体透射电镜样品进行减薄操作，得到具有所述失效点以及所述位置标记的平面透射电镜样品；
步骤S8、采用染色酸对所述平面透射电镜样品进行染色操作。
2.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，通过激光或者聚焦离子束设置所述位置标记于所述待观测层上。
3.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中获得的所述待检测样品由上及下依次包括：所述微透镜层、所述彩色滤光片层、所述氧化物层、所述硅片层、所述光电二极管层、所述复数个金属层。
4.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述待检测样品与所述第一承载基体通过热固胶或环氧胶进行粘贴。
5.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述第一承载基体的长×宽×高为1cm×1cm×700um，所述第一承载基体包括第三平面，所述第三平面的长×宽为1cm×1cm，所述第二平面与所述第三平面粘贴。
6.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中获得的所述立体透射电镜样品由上及下依次包括：所述氧化物层、所述硅片层、所述光电二极管层、所述金属层中与所述光电二极管层相邻的第一金属层，以及所述切割操作后所述第一承载基体剩余的部分。
7.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述立体透射电镜样品与所述第二承载基体通过热固胶或环氧胶进行粘贴。
8.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述减薄操作包括：
在所述立体透射电镜样品的所述待观测层的两侧分别挖一个凹槽，得到一平面透射电镜样品粗片；
减薄所述平面透射电镜样品粗片，得到经过所述减薄操作后的预定厚度的所述平面透射电镜样品。
9.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述平面透射电镜样品粗片的厚度为3.5um，和/或
所述平面透射电镜样品的厚度为100nm。
10.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制作方法，其特征在于，所述第一承载基体为硅片；和/或
所述第二承载基体为硅片。