一种半导体材料少子寿命测量装置的制作方法

文档序号:11915257阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体材料少子寿命测量装置,其特征在于,它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器,

光源位于测量台正上方,测量台连接有恒流源和高速放大器;高速放大器一方面与片内A/D转换连接,另一方面高速放大器与微处理器之间还连接有两个比较器,微处理器通过两个D/A转换模块分别与两个比较器的输入端连接,其中一个比较器用于控制微处理器内部计时器的启动,另一个比较器用于计时器的停止,所述恒流源、显示器和控制器分别与微处理器连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体材料少子寿命测量装置,其特征在于,还包括光源驱动装置,光源驱动装置与光源连接并受微处理器控制。

3.根据权利要求1所述的一种半导体材料少子寿命测量装置,其特征在于,光源为激光光源。

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