技术总结
本实用新型公开了一种半导体材料少子寿命测量装置，其特征在于，它包括光源、测量台、微处理器、设置在微处理器内部的片内A/D转换器、显示器和控制器，光源位于测量台正上方，测量台连接有恒流源和高速放大器；高速放大器一方面与片内A/D转换连接，另一方面高速放大器与微处理器之间还连接有两个比较器，微处理器通过两个D/A转换模块分别与两个比较器的输入端连接，其中一个比较器用于控制微处理器内部计时器的启动，另一个比较器用于计时器的停止，所述恒流源、显示器和控制器分别与微处理器连接。本实用新型，测试过程与样品无需接触，设备结构简单、成本低廉、使用方便，且很容易实现半导体材料短寿命测量。
技术研发人员：卜毅;邹继军
受保护的技术使用者：东华理工大学
文档号码：201621287780
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.05.17