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一种负载聚吡咯的气敏元件及其制作方法与流程
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来源:国知局
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一种负载聚吡咯的气敏元件及其制作方法与流程
技术总结
本发明公开了一种负载聚吡咯的气敏元件及其制作方法,所述气敏元件以实验室自制的金属网作为电极,由聚丙烯腈(PAN)高压静电纺丝所制的纳米纤维膜作为负载基质,聚吡咯(PPy)作为负载相制备而成。其中负载相聚吡咯作为气体敏感材料起到测试作用,特点是元件制作简易、成本低、具有低温测性能力。
技术研发人员:
宋晓峰;蒋苏臣;李龙;黄意春;徐莎
受保护的技术使用者:
长春工业大学
文档号码:
201710164121
技术研发日:
2017.03.20
技术公布日:
2017.06.16
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