专利名称：保护集成电路元件的电路及包含其的集成电路元件的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种保护集成电路元件的电路及包含其的集成电路元件，且特别是有关于一种可正反接而不至于烧毁的集成电路元件。
背景技术：
随着科技的进步，储存资料的方法已经由最早的真空管、晶体管，进展到集成电路芯片，体积小容量大，用途十分的广泛，生活中的各项电器产品大多有一个控制开关，从最简单的电流阻断装置到较复杂的微电脑控制系统，每一项都需要芯片的控制。
然而，传统的集成电路都有明确的电源脚位与接地脚位定义，如图1。在封装有集成电路芯片100的集成电路零件10之中，由于集成电路元件10的电源脚位Power必须固定连接到集成电路芯片100的电路脚位102上，而且集成电路元件10的接地脚位Ground也必须固定连接到集成电路芯片100的接地脚位104上，因此电源脚位Power与接地脚位Ground必须分别固定接到工作电压(正电位)与接地电压(一般为0)，如此才不会使集成电路芯片100因电位反向偏压而烧毁。
然而，将集成电路不小心反向焊接于电路板上而导致集成电路烧毁的情形，却经常发生在产品制造生产过程中。对于生产厂商而言，由于此种错误而造成的损失是应该尽可能去避免的，但不论是利用机器或人工，在没有特殊的外型设计下都不可能使这种情形完全绝迹。因此对于目前的系统整合厂商来说，一个能够在接错脚位后仍能进行补救的集成电路元件是十分必须的。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种具有保护电路的集成电路元件，可使集成电路不小心反向焊接于电路板上，仍不至于烧毁。
本发明的再一目的就是在提供一种保护集成电路元件的电路，具有一第一电源输入端与一第二电源输入端，无论此两端电源正接或反接，仍不至于使集成电路烧毁。
本发明提出一种包含保护集成电路元件的电路的集成电路元件，此集成电路元件应用单向性导通元件，包括第一单向性导通元件，其第一端连接至内部接地脚位，且其第二端连接至外部电源脚位、第二单向性导通元件，其第一端连接至外部电源脚位，且第二单向性导通元件的第二端连接至内部电源脚位、第三单向性导通元件，其第一端连接至外部接地脚位，且其第二端连接至内部电源脚位。第四单向性导通元件，其第一端连接至内部接地脚位，且其第二端连接至外部接地脚位。其中，所有单向性导通元件，电流导通方向皆为从第一端至第二端，使得将输入电源无论电源脚位或接地脚位正确连接或者反向连接，于集成电路芯片内部的电源脚位与接地脚位皆不受影响。
依照本发明的较佳实施例所述，经由单向性导通元件整流后内部供应电压会较低于外部供应电压，此时可于整流电路的内部电源输出端连接一电荷泵(charge pump)升压到集成电路内部所需求的电压。
本发明提出一种保护集成电路元件的电路，具有一第一电源输入端与一第二电源输入端，包括集成电路元件、第一单向性导通元件、第二单向性导通元件、第三单向性导通元件与第四单向性导通元件。其中，集成电路元件，具有外部电源脚位与外部接地脚位。第一单向性导通元件的第一端连接至集成电路元件的外部接地脚位，且其第二端连接至第一电源输入端，其中，电流导通方向为从该第一单向性导通元件的第一端至第二端的方向。第二单向性导通元件的第一端连接至第一电源输入端，且其第二端连接至该集成电路元件的外部电源脚位，其中，电流导通方向为从第二单向性导通元件的第一端至第二端的方向。第三单向性导通元件的第一端连接至第二电源输入端，且其第二端连接至集成电路元件的外部电源脚位，其中，电流导通方向为从第三单向性导通元件的第一端至第二端的方向。第四单向性导通元件的第一端连接至该集成电路元件的外部接地脚位，且其第二端连接至第二电源输入端，其中，电流导通方向为从第四单向性导通元件的第一端至第二端的方向。
本发明因电源输入端采用单向性导通元件整流，因此即使外部电源端与地端反接，对于集成电路内部的电源与地端不受影响。
图1所示为现有习知的集成电路脚位定义示意图。
图2所示为根据本发明第一实施例的集成电路元件的电路方块图。
图3所示为根据本发明第二实施例的集成电路元件的电路方块图。
图4所示为根据本发明第三实施例的集成电路元件的电路方块图。
图5所示为根据本发明第四实施例的集成电路元件的电路方块图。
图6所示为根据本发明第五实施例的集成电路元件的电路方块图。
图7所示为根据本发明第六实施例的集成电路元件的电路方块图。
图8所示为根据本发明第七实施例的集成电路元件的电路方块图。
图9所示为根据本发明第八实施例的集成电路元件的电路方块图。
图10所示为根据本发明第九实施例的集成电路元件的电路方块图。
图11所示为根据本发明第十实施例的集成电路元件的电路方块图。
图12所示为根据本发明第十一实施例的集成电路元件的电路方块图。
图13所示为根据本发明第十二实施例的集成电路元件的电路方块图。
图14所示为根据本发明第十三实施例的集成电路元件的电路方块图。
图15所示为根据本发明第十四实施例的集成电路元件的电路方块图。
图16所示为根据本发明第十五实施例的集成电路元件的电路方块图。
图17所示为根据本发明第十六实施例的集成电路元件的电路方块图。
图18所示为根据本发明第十七实施例的集成电路元件的电路方块图。
图19所示为根据本发明第十八实施例的集成电路元件的电路方块图。
图20所示为根据本发明第十九实施例的集成电路元件的电路方块图。
图21所示为根据本发明第二十实施例的集成电路元件的电路方块图。
图22所示为根据本发明第二十一实施例的集成电路元件的电路方块图。
图23所示为根据本发明第二十二实施例的集成电路元件的电路方块图。
图24所示为根据本发明第二十三实施例的集成电路元件的电路方块图。
图25所示为根据本发明第二十四实施例的集成电路元件的电路方块图。
图26所示为根据本发明第二十五实施例的集成电路元件的电路方块图。
图27所示为根据本发明第二十六实施例的集成电路元件的电路方块图。
图28所示为根据本发明第二十七实施例的集成电路元件的电路方块图。
图29所示为根据本发明第二十八实施例的集成电路元件的电路方块图。
图30所示为根据本发明第二十九实施例的集成电路元件的电路方块图。
图31所示为根据本发明第三十实施例的集成电路元件的电路方块图。
S1、S2、S3、S4、SD1、SD2、SD3、SD4单向性导通元件D1、D2、D3、D4二极管MN1、MN2、MN3、MN4N型金属氧半导体场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4P型金属氧半导体场效应晶体管
BN1、BN2、BN3、BN4N型双载子接面晶体管BP2、BP3P型双载子接面晶体管Power、1604、1704、1804、1904、2004、2104、2204、2304、2404、2504、2604、2704、2804、2904、3004、3104外部电源脚位Ground、1606、1706、1806、1906、2006、2106、2206、2306、2406、2506、2606、2706、2806、2906、3006、3106外部接地脚位10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、310集成电路元件100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500集成电路芯片102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002、1102、1202、1302、1402、1502内部电源脚位104、204、304、404、504、604、704、804、904、1004、1104、1204、1304、1404、1504内部接地脚位1501电荷泵具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图2为根据本发明一较佳实施例所得的集成电路元件的电路方块图。在此实施例中，集成电路元件20包含了第一单向性导通元件S1、第二单向性导通元件S2、第三单向性导通元件S3、第四单向性导通元件S4，以及集成电路芯片200。其中，在集成电路芯片200上定义了一个内部电源脚位202与一个内部接地脚位204，而相应的，在集成电路元件20上也定义了一个外部电源脚位Power与一个外部接地脚位Ground。如图所示，第一单向性导通元件S1的第一端连接至集成电路芯片200的内部接地脚位204与第四单向性导通元件S4的第一端，而其第二端则连接至外部电源脚位Power与第二单向性导通元件S2的第一端。第二单向性导通元件S2的第二端连接至集成电路芯片200的内部电源脚位202与第三单向性导通元件S3的第二端，而第三单向性导通元件S3的第一端则连接至外部接地脚位Ground与第四单向性导通元件S4的第二端上，其中，所有的单向性导通元件电流方向仅可从第一端流至第二端。
在本实施例中，当电源(正电位)由集成电路元件20的外部电源脚位Power接入之后，将会经由第二单向性导通元件S2传送至集成电路200的内部电源脚位202。由于第一单向性导通元件S1与第三单向性导通元件S3仅容许电流从第一端流至第二端，所以此正电压将不会经过第一单向性导通元件S1而传送到内部接地脚位204，也不会经过第三单向性导通元件S3而与外部接地脚位Ground产生短路现象。
类似的，在集成电路元件20的外部接地脚位Ground接地时(电位为0)，第四单向性导通元件S4的第二端与第三单向性导通元件S3的第一端将同时转为0电位。在此状态下，由于第二单向性导通元件S2与第三单向性导通元件S3的第二端都为正电位，而单向性导通元件仅容许电流从第一端流至第二端，因此接地的0电位将不会被传导到内部电源脚位202上。
很明显的，在外部电源脚位Power与外部接地脚位Ground分别被输入了预设中的电位的时候，电流将借着外部电源脚位Power以及第二单向性导通元件S2而到达内部电源脚位202。另一方面，由内部接地脚位204流出的电流将借着第四单向性导通元件S4而到达集成电路元件20的外部接地脚位Ground。于是，集成电路芯片200可以正常的藉由外界所提供的电路来进行种种操作。
在集成电路接反时，当电源(正电位)由集成电路元件20的外部接地脚位Ground接入之后，将会经由第三单向性导通元件S3传送至集成电路芯片200的内部电源脚位202。由于第二单向性导通元件S2与第四单向性导通元件S4仅容许电流从第一端流至第二端流通，所以此正电压将不会经过第四单向性导通元件S4而传送到内部接地脚位204，也不会经过第二单向性导通元件S2而与外部电源脚位Power产生短路现象。
再者，电源反接时，集成电路元件20的外部电源脚位Power为接地(电位为0)，第一单向性导通元件S1的第二端与第二单向性导通元件S2的第一端将同时转为0电位。在此状态下，第二单向性导通元件S2与第三单向性导通元件S3的第二端都为正电位，而单向性导通元件仅容许电流从第一端流至第二端流通，因此接地的0电位将不会被传导到内部电源脚位202上。
根据上述，在外部电源脚位Power与外部接地脚位Ground分别被反向输入了预设中的电位的时候，电流将借着外部接地脚位Ground以及第三单向性导通元件S3而到达内部电源脚位202。另一方面，由内部接地脚位204流出的电流将借着第一单向性导通元件S1而到达集成电路元件20的外部电源脚位Power。于是，集成电路元件20不会因为反向焊接导致烧毁，甚至对于某些设计方面，由于集成电路元件20可以反向焊接，在印刷电路板布局设计上可以更有弹性。
由上所述，上述单向性导通元件可以利用二极管阳极作为第一端，阴极作为第二端来实现，如图3所示。由于二极管在理想状况下仅需要些微的顺向偏压电位就可以执行操作，因此内部电源与内部接地脚位上的电位在理想状况下应几乎等同于外部供应电源。
另外，如图4所示，上述单向性导通元件分别可以，S1用N型金属氧半导体场效应晶体管MN1实施，S2用P型金属氧半导体场效应晶体管MP2实施，S3用P型金属氧半导体场效应晶体管MP3实施，S4用N型金属氧半导体场效应晶体管MN4实施，N型金属氧半导体场效应晶体管MN1的闸极连接至外部接地脚位，N型金属氧半导体场效应晶体管MN1的第一源汲极连接至内部接地脚位404，N型金属氧半导体场效应晶体管MN1的第二源汲极连接至外部电源脚位Power，P型金属氧半导体场效应晶体管MP2的闸极连接至外部接地脚位Ground，P型金属氧半导体场效应晶体管MP2的第一源汲极连接至外部电源脚位Power，P型金属氧半导体场效应晶体管MP2的第二源汲极连接至内部电源脚位402，P型金属氧半导体场效应晶体管MP3的闸极连接至外部电源脚位Power，P型金属氧半导体场效应晶体管MP3的第一源汲极连接至外部接地脚位Ground，P型金属氧半导体场效应晶体管MP3的第二源汲极连接至内部电源脚位402，N型金属氧半导体场效应晶体管MN4的闸极连接至外部电源脚位Power，N型金属氧半导体场效应晶体管MN4的第一源汲极连接至内部接地脚位404，N型金属氧半导体场效应晶体管MN4的第二源汲极连接至外部接地脚位Ground。
当电源(正电位)由集成电路元件40的外部电源脚位Power接入，外部接地脚位Ground接地(电位为0)时，此时P型金属氧半导体场效应晶体管MP2与N型金属氧半导体场效应晶体管MN4导通，N型金属氧半导体场效应晶体管MN1与P型金属氧半导体场效应晶体管MP3截止，电流由外部电源脚位Power经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP2传送至集成电路400的内部电源脚位402。由于P型金属氧半导体场效应晶体管MP3与N型金属氧半导体场效应晶体管MN1截止，因此接地的0电位将不会经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP3而传导到内部电源脚位402上，也不会经过N型金属氧半导体场效应晶体管MN1而与外部电源脚位Power(正电位)产生短路现象。由于P型金属氧半导体场效应晶体管MP3与N型金属氧半导体场效应晶体管MN1截止，所以此正电压将不会经过N型金属氧半导体场效应晶体管MN1而传送到内部接地脚位404，也不会经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP3与外部接地脚位Ground(电位为0)产生短路现象。
同理，当集成电路接反时，此时电源(正电位)由集成电路元件40的外部接地脚位Ground接入，外部电源脚位Power接地(电位为0)，此时P型金属氧半导体场效应晶体管MP3与N型金属氧半导体场效应晶体管MN1导通，N型金属氧半导体场效应晶体管MN4与P型金属氧半导体场效应晶体管MP2截止，电流由外部接地脚位Ground经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP3传送至集成电路400的内部电源脚位402。由于P型金属氧半导体场效应晶体管MP2与N型金属氧半导体场效应晶体管MN4截止，因此接地的0电位将不会经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP2而传导到内部电源脚位402上，也不会经过N型金属氧半导体场效应晶体管MN4而与外部接地脚位Ground(正电位)产生短路现象。由于P型金属氧半导体场效应晶体管MP2与N型金属氧半导体场效应晶体管MN4截止，所以此正电压将不会经过N型金属氧半导体场效应晶体管MN4而传送到内部接地脚位404，也不会经由P型金属氧半导体场效应晶体管MP2与外部电源脚位Power(电位为0)产生短路现象。
上述实施例，于熟知此技艺者，当知道实施方式不限于此，仍可将上述图2的第一单向性导通元件用P型金属氧半导体场效应晶体管MP1实施，如图5，其第一源汲极为第一单向性导通元件S1的第一端，其第二源汲极为第一单向性导通元件S1的第二端，其闸极连接第二源汲极。亦或是用N型双载子接面晶体管BN1实施，如图6，其集极为第一单向性导通元件S1的第一端，其射极为第一单向性导通元件S1的第二端，其基极连接外部接地脚位Ground。
另外，第二单向性导通元件亦可以用N型金属氧半导体场效应晶体管MN2实施，如图7，其第一源汲极为第二单向性导通元件S2的第一端，其第二源汲极为第二单向性导通元件S2的第二端，其闸极连接第一源汲极。亦或是利用P型双载子接面晶体管BP2实施，如图8，其射极为第二单向性导通元件S2的第一端，其集极为第二单向性导通元件S2的第二端，其基极连接外部接地脚位Ground。亦可以用N型双载子接面晶体管BN2实施，如图9，其集极为第二单向性导通元件S2的第一端，其射极为第二单向性导通元件S2的第二端，其基极连接集极。
同样道理，第三单向性导通元件亦可以用N型金属氧半导体场效应晶体管MN3实施，如图10，其第一源汲极为第三单向性导通元件S3的第一端，其第二源汲极为第三单向性导通元件S3的第二端，其闸极连接第一源汲极。亦或是用P型双载子接面晶体管BP3实施，如图11，其射极为第三单向性导通元件S3的第一端，其集极为第三单向性导通元件S3的第二端，其基极连接外部电源脚位。或是用N型双载子接面晶体管BN3，如图12，其集极为第三单向性导通元件S3的第一端，其射极为第三单向性导通元件S3的第二端，其基极连接集极。
相同的，第四单向性导通元件用P型金属氧半导体场效应晶体管MP4实施，如图13，其第一源汲极为第四单向性导通元件S4的第一端，其第二源汲极为第四单向性导通元件S4的第二端，其闸极连接第二源汲极。亦或是用N型双载子接面晶体管BN4，如图14，其集极为第四单向性导通元件S4的第一端，其射极为第四单向性导通元件S4的第二端，其基极连接外部电源脚位。
若要补偿由单向性导通元件产生的压降，更可以如图15，将电荷泵1501输入耦接在第二单向性导通元件S2的第二端与第三单向性导通元件S3的第二端，输出耦接在集成电路芯片1500的内部电源脚位1502，用来升压以供应集成电路芯片1500足够的工作电压。
保护集成电路元件的电路，可由图16的方式实施，其具有第一电源输入端1600与第二电源输入端1602、集成电路元件160外部电源脚位1604、集成电路元件160外部接地脚位1606与单向性导通元件SD1、SD2、SD3、SD4。单向性导通元件SD1的第一端连接至集成电路元件160外部接地脚位1606，SD1的第二端连接至第一电源输入端1600。单向性导通元件SD2的第一端连接至第一电源输入端1600，SD2的第二端连接至外部电源脚位1604。单向性导通元件SD3的第一端连接第二电源输入端1602，SD3的第二端连接外部电源脚位1604。单向性导通元件SD4第一端连接外部接地脚位1606，第二端连接第二电源脚位1602。若将本实施例与图2对照，将外部电源脚位Power对应第一电源输入端1600，外部接地脚位Ground对应第二电源输入端1602，内部电源脚位202对应外部电源脚位1604，内部接地脚位204对应外部接地脚位1606，其操作方法如同图2，因此不予赘述。如此，利用此方法，可以做到输入电源无论经由第一电源输入端1600输入，亦或是经由第二电源输入端1602输入，不会改变其电源供应。
然而，上述保护集成电路元件的电路实施例，于熟知此技艺者，当知道实施方式不限于此，仍可将上述保护集成电路元件的电路图16的单向性导通元件SD1、SD2、SD3、SD4改变其实施方式，亦可以有图16的功能。例如，SD1、SD2、SD3与SD4分别用二极管D1、D2、D3、D4实施，如图17，二极管的阳极为第一端，二极管的阴极为第二端。或SD1可以用P型金属氧半导体场效应晶体管MP1实施，如图18，其第一源汲极为SD1的第一端，其第二源汲极为SD1的第二端，其闸极连接第二源汲极。亦或用N型双载子接面晶体管BN1实施，如图19，其集极为SD1的第一端，其射极为SD1的第二端，其基极连接第二电源输入端1902。亦或是使用一N型属氧半导体场效应晶体管MN1实施，如图20，其第一源汲极为SD1的第一端，其第二源汲极为SD1的第二端，其闸极连接至第二电源输入端2002。而SD2实施方式可以用N型金属氧半导体场效应晶体管MN2实施，如图21，其第一源汲极为SD2的第一端，其第二源汲极为SD2的第二端，其闸极连接第一源汲极。亦或利用P型双载子接面晶体管BP2实施，如图22，其射极为SD2的第一端，其集极为SD2的第二端，其基极连接第二电源输入端2202。亦可以用N型双载子接面晶体管BN2实施，如图23，其集极为SD2的第一端，其射极为SD2的第二端，其基极连接集极。亦可以用P型金属氧半导体场效应晶体管MP2实施，如图24，其第一源汲极为SD2的第一端，其第二源汲极SD2的第二端，其闸极连接至第二电源输入端2402。
同理，其SD3实施方式可以用N型金属氧半导体场效应晶体管MN3实施，如图25，其第一源汲极为SD3的第一端，其第二源汲极为SD3的第二端，其闸极连接第一源汲极。亦或是用P型双载子接面晶体管BP3实施，如图26，其射极为SD3的第一端，其集极为SD3的第二端，其基极连接第一电源输入端2600。或是用N型双载子接面晶体管BN3，如图27，其集极为SD3的第一端，其射极为SD3的第二端，其基极连接集极。亦可以用P型金属氧半导体场效应晶体管MP3实施，如图28，其第一源汲极为SD3的第一端，其第二源汲极为SD3的第二端，其闸极连接第一电源输入端2800。其SD4实施方式可以用P型金属氧半导体场效应晶体管MP4实施，如图29，其第一源汲极为SD4的第一端，其第二源汲极为SD4的第二端，其闸极连接第二源汲极。亦或是用N型双载子接面晶体管BN4，如图30，其集极为SD4的第一端，其射极为SD4的第二端，其基极连接第一电源输入端3000。亦或是用N型金属氧半导体场效应晶体管MN4实施，如图31，其第一源汲极为SD4的第一端，其第二源汲极为SD4的第二端，其闸极连接第一电源输入端3100。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其包括一外部电源脚位；一外部接地脚位；一集成电路芯片，包括一内部电源脚位与一内部接地脚位；一第一单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第一单向性导通元件的第一端连接至该内部接地脚位，且其第二端连接至该外部电源脚位，其中，电流导通方向为从该第一单向性导通元件的第一端至第二端的方向；一第二单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第二单向性导通元件的第一端连接至该外部电源脚位与第一单向性导通元件第二端，且其第二端连接至该内部电源脚位，其中，电流导通方向为从该第二单向性导通元件的第一端至第二端的方向；一第三单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第三单向性导通元件的第一端连接至该外部接地脚位，且其第二端连接至该内部电源脚位与第二单向性导通元件的第二端，其中，电流导通方向为从该第三单向性导通元件的第一端至第二端的方向；以及一第四单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第四单向性导通元件的第一端连接至该内部接地脚位，且其第二端连接至该外部接地脚位，其中，电流导通方向为从该第四单向性导通元件的第一端至第二端的方向。
2.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第一、第二、第三与第四单向性导通元件分别包括一二极管，该二极管的阳极为第一端，该二极管的阴极为第二端。
3.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该外部接地脚位。
4.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该外部接地脚位。
5.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该外部电源脚位。
6.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第四单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该外部电源脚位。
7.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该P型晶体管第二源汲极。
8.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该N型晶体管第一源汲极。
9.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该N型晶体管第一源汲极。
10.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第四单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该P型晶体管第二源汲极。
11.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该外部接地脚位。
12.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管射极为第一端，该P型晶体管集极为第二端，该P型晶体管基极连接至该外部接地脚位。
13.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管射极为第一端，该P型晶体管集极为第二端，该P型晶体管基极连接至该外部电源脚位。
14.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第四单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该外部电源脚位。
15.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该N型晶体管集极。
16.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该N型晶体管集极。
17.根据权利要求1所述的包含保护集成电路元件电路的集成电路元件，其特征在于其更包括一电荷泵，输入端耦接至该第二单向性导通元件的第二端与该第三单向性导通元件的第二端，输出端则耦接至该集成电路芯片的该内部电源脚位，用以将由输入端所接收的电压提升至一预设电压，以供应该集成电路芯片内部所需的电压。
18.一种保护集成电路元件的电路，具有一第一电源输入端与一第二电源输入端，其特征在于其包括一集成电路元件，具有一外部电源脚位与一外部接地脚位；一第一单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第一单向性导通元件的第一端连接至该集成电路元件的外部接地脚位，且其第二端连接至该第一电源输入端，其中，电流导通方向为从该第一单向性导通元件的第一端至第二端的方向；一第二单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第二单向性导通元件的第一端连接至该第一电源输入端与第一单向性导通元件第二端，且其第二端连接至该集成电路元件的外部电源脚位，其中，电流导通方向为从该第二单向性导通元件的第一端至第二端的方向；一第三单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第三单向性导通元件的第一端连接至该第二电源输入端，且其第二端连接至该集成电路元件的外部电源脚位与第二单向性导通元件的第二端，其中，电流导通方向为从该第三单向性导通元件的第一端至第二端的方向；以及一第四单向性导通元件，具有第一端与第二端，该第四单向性导通元件的第一端连接至该集成电路元件的外部接地脚位，且其第二端连接至该第二电源输入端，其中，电流导通方向为从该第四单向性导通元件的第一端至第二端的方向。
19.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第一、第二、第三与第四单向性导通元件分别包括一二极管，该二极管的阳极为第一端，该二极管的阴极为第二端。
20.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该第二电源输入端。
21.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该第二电源输入端。。
22.根据权利要求19所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该第一电源输入端。。
23.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第四单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该第一电源输入端。。
24.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该P型晶体管第二源汲极。
25.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该N型晶体管第一源汲极。
26.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管第一源汲极为第一端，该N型晶体管第二源汲极为第二端，该N型晶体管闸极连接至该N型晶体管第一源汲极。
27.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的四单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管第一源汲极为第一端，该P型晶体管第二源汲极为第二端，该P型晶体管闸极连接至该P型晶体管第二源汲极。
28.根据权利要求1 8所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第一单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该第二电源输入端。
29.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管射极为第一端，该P型晶体管集极为第二端，该P型晶体管基极连接至该第二电源输入端。
30.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一P型晶体管，该P型晶体管射极为第一端，该P型晶体管集极为第二端，该P型晶体管基极连接至该第一电源输入端。
31.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第四单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该第一电源输入端。
32.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第二单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端，该N型晶体管基极连接至该N型晶体管集极。
33.根据权利要求18所述的保护集成电路元件的电路，其特征在于其中所述的第三单向性导通元件包括一N型晶体管，该N型晶体管集极为第一端，该N型晶体管射极为第二端端，该N型晶体管基极连接至该N型晶体管集极。
全文摘要
一种保护集成电路元件的电路及包含其的集成电路元件，该集成电路元件是将集成电路的电源输入端与地端连接单向性导通元件整流装置，单向性导通元件整流装置在连接集成电路封装的电源脚位与接地脚位，使封装后的集成电路反向焊接于电路板上，仍不至于烧毁。
文档编号G05B9/02GK1841731SQ20051006300
公开日2006年10月4日 申请日期2005年4月1日 优先权日2005年4月1日
发明者卢叔东, 陈吉元, 黄崇仁 申请人:智元科技股份有限公司