专利名称：一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及带隙基准源技术领域，尤其涉及一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路。
背景技术：
带隙基准(Bandgap Reference)电路是集成电路中的基本单元模块，它用以产生电路中所需的恒定参考电压、电流，其精确程度直接关系到整体电路的性能指标。在模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)中，由于基准电压、电流对测量结果有着直接的影响，因此在这类电路应用中对带隙基准电路的精度有着苛刻的要求。衡量带隙基准电路的主要参数是温度系数TCCTemperatureCoefficient)，它指在一定的温度范围[Tmin，Tmax]内，带隙基准电路输出电压的最大值(Vmax)、最小值(Vmin) 相对于基准值(Vnom)的变化，其单位为ppm/°C。TC可用下式表示
权利要求
1.一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路，该电路包括带隙基准主电路和输出电路，其中该带隙基准主电路，包括第四PMOS管(M4)，该第四PMOS管(M4)的源极接电源(VDD)，漏极(net5)接第四三极管0H)的发射极，该第四三极管0H)的基极和集电极都接地(GND)；第三PMOS管(Μ； )，该第三PMOS管(ΙΟ)的源极接电源(VDD)，漏极(net6)接第三三极管的发射极，该第三三极管的基极和集电极都接地(GND)；第二 PMOS管(M2)，该第二 PMOS管(M2)的源极接电源(VDD)，漏极(net2)接第二三极管的发射极，该第二三极管的基极接所述第四三极管0H)的发射极，集电极接地(GND)；第一 PMOS管(Ml)，该第一 PMOS管(Ml)的源极接电源(VDD)，漏极(net3)经第二电阻(R2)、第四电阻(RO)接第一三极管Oil)的发射极，该第一三极管Oil)的基极接所述第三三极管O )的发射极，集电极接地(GND)；运算放大器(OP)，正输入接所述第一 PMOS管(Ml)的漏极(net3)，负输入接所述第二 PMOS管(M2)的漏极(net2)，输出接所述第一 PMOS管(Ml)、第二 PMOS管(M2)、第三PMOS 管(M3)、第四PMOS管(M4)的栅极(netl)；以及第二电阻(似)一端接所述第一 PMOS管(Ml)的漏极(net3)，一端接第一电阻(Rl)和第四电阻(RO)，第一电阻(Rl)的另一端接地(GND)，第四电阻(RO)的另一端所述第一三极管Oil)的发射极； 该输出电路，包括第五PMOS管(M5)，该第五PMOS管(M5)的源极接电源(VDD)，漏极(Vref)通过第三电阻(旧)接地(GND)，栅极接运算放大器(OP)的输出(netl)，(Vref)为基准电压输出；以及第六PMOS管(M6)，该第六PMOS管(M6)的源极接电源(VDD)，漏极(Iref)为基准电流输出，栅极接运算放大器(OP)的输出(netl)。
2.根据权利要求1所述的低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路，其特征在于，通过所述第二电阻(R2)使流过所述第四电阻(RO)的电流产生与流过所述第一电阻(Rl)电流相抵消的非线性项，从而产生与温度无关的电流，进而通过电流镜的镜像，使该电流流过所述第三电阻(R3)产生与温度无关的电压。
全文摘要
本发明公开了一种低成本曲率校正带隙基准电流电压源电路，属于带隙基准源技术领域。该电路是在现有带隙基准结构的基础上，通过一个校正电阻，在一路电流支路中产生与温度有关的非线性项，与另一路电流支路中的非线性项抵消，校正了原输出基准电流的温度特性，进而通过电阻产生温度系数较低的基准电压。本发明提供的带隙基准电流电压源电路以极低的成本开销得到了较好的电流、电压基准温度特性。
文档编号G05F3/30GK102279618SQ20101019445
公开日2011年12月14日 申请日期2010年6月8日 优先权日2010年6月8日
发明者吕俊盛, 周玉梅 申请人:中国科学院微电子研究所