专利名称：一种用于带隙基准的非线性校正电路的制作方法
技术领域：
本发明是一种涉及带隙基准的单片集成电路，尤其是输出电流形式为TInT的用于带隙基准的非线性校正电路。
背景技术：
A/D，D/A转换器，温度传感器，测量系统和稳压器等各种系统使用基准电路以建立该系统的准确性。通常情况下，参考电路有以下两种类型带隙基准或齐纳基准。相对于约7伏的击穿电压，齐纳二极管基准需要大约10伏的电压以达到适当的操作范围。然而，微电子产业的发展趋势是降低电源电压，并将5伏供电电压标准化。其结果是减少适合于齐纳基准系统的数目，同时也需要一个准确的基准。带隙基准是能够满足精度和单一的5伏供电双重要求的首选电路。然而，带隙基准的精确度要求越来越高，尤其是迫切要求提高相对于温度线性的精度。在这一点上，回顾传统带隙基准的特征和近似输出是有利的。
图1是一种传统带隙基准电路10的原理图，其形式相对简单且带隙基准相对准确，即布罗考单元。布罗考单元中，电阻R1，R2的阻值和运算放大器Al已选定，以使NPN晶体管Ql和Q2在集电极电流相等的情况下工作。其次，Ql和Q2的发射结面积比为A，当Ql和Q2在集电极电流相等的情况下工作时，Ql的基极-发射极电压Vbe较Q2的基极-发射极电压低。第三，R3两端压降VR3的值为晶体管Ql和Q2的基极-发射极电压之差AVbe。众所周知，这样的电压差与绝对温度成正比即“PTAT”电压，其形式如下其中A是选定的Ql和Q2的电流密度比，由于它们在相同的电流水平下工作，所以A也是Ql和Q2的发射结面积比。第四，因为14 = 11+12 = 212，所以电阻R4和R3两端的电压比 VR4/VR3 由式 G = VR4/VR3 = 2R4/R3 给出。同时，晶体管Q2基极的基准输出电压Vout为Q2的基极-发射极电压Vbe和VR4
之和。由于VR4远比VR3大，并且VR3是依赖于温度的电压，所以输出电压Vout可表示为
权利要求1.一种用于带隙基准的非线性校正电路，其特征是电路有晶体管Q41、晶体管Q42、晶体管Q43、晶体管Q44和电阻R41、电阻R42，一对晶体管Q41和Q42的基极通过阻值为R的电阻相连，其集电极分别加载输入电流，电路通过上述电阻以选定的形式输出电流，令晶体管的集电极电流分别为II，12，其中Il直接与温度成正比，上述通过电阻的输出电流的形式为
2.根据权利要求1所述的用于带隙基准的非线性校正电路，其特征是晶体管Q43的基极和发射极分别连接到晶体管Q41的集电极和基极，从而在晶体管Q43上形成一个TlnT形式的集电极电流。
3.根据权利要求1所述的用于带隙基准的非线性校正电路，其特征是晶体管Q43的集电极连接到带隙基准电路以提供输出电流。
4.根据权利要求1所述的用于带隙基准的非线性校正电路，其特征是一对晶体管在基极-发射极电压不同的基础上产生一个输出电流，反馈放大回路的输出连接到双极晶体管对的基极，并且有一个反向输入。
5.根据权利要求1所述的用于带隙基准的非线性校正电路，其特征是晶体管Q42的发射极串联一个电阻以控制有效的发射极面积。
专利摘要一种用于带隙基准的非线性校正电路，其输出电流形式为T1nT。当用于带隙基准曲率校正电路时，电路精准地补偿固有的非线性。
文档编号G05F1/567GK202870666SQ20122028643
公开日2013年4月10日 申请日期2012年6月18日 优先权日2012年6月18日
发明者包兴坤 申请人:苏州硅智源微电子有限公司