一种抛负载电压波抑制装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种抛负载电压波抑制装置，其包括有抑制功率电路、线性放大电路以及输出保护电路，抑制功率电路由若干并联均流的MOSFET或三极管组成，线性放大电路为直流线性放大器，输出保护电路为输出耦合去耦保护二极管，直流线性放大器的输出端与抑制功率电路的输入端相连，抑制功率电路的输出端与输出耦合去耦保护二极管相连，另外，在直流线性放大器的输入端和输出耦合去耦保护二极管之间连接有两个分压反馈电阻。本发明的抛负载电压波抑制装置不仅可以满足IS07637/16750标准要求，还能满足相关类似各种汽车厂商标准对抛负载电压波形抑制的要求，以进一步检验车用电子器件的抗冲击性。
【专利说明】—种抛负载电压波抑制装置
【技术领域】:
[0001 ] 本发明涉及汽车电子【技术领域】，具体地说是涉及一种抛负载电压波形抑制装置。【背景技术】:
[0002]汽车电子产品是在环境相当恶劣的条件下使用的，汽车电器产品要经受高温，高电压，强烈震动和电冲击，因此，其质量的检验要求相当严格。目前，除电冲击外，其他检验项目己趋向于成熟。在汽车上，很多地方的电器都要承受抛负载电压的冲击，如:点火模块、调节器等；为了汽车的安全性和使用寿命，这些关键件都必须进行抛负载电压的冲击实验。
[0003]标准中对抛负载电压波形有如下要求的，如图1所示的抛负载测试脉冲波形图，也就是发动机抛负载时在其两端形成的电压变化形状图。图中Us是脉冲波形最大电压，Us*便是抑制电压，td为脉冲宽度一般为40?400ms。
[0004]IS016750具体要求见图2所示:对12V车载系统，Us=79?101V，Us*=35V ;对24V车载系统，Us=151 ?202V, Us*=65V ;而 IS07637 (GB/T21437)对 Us* 未作规定。
[0005]现有的技术一般使用抑制类二极管桥对抛负载发生器输出波形进行抑制从而产生Us*。而抛负载发生器脉冲输出能量较大，输出前能量均保存在较大的电容(一般为数十?数百mF)中，但此种方法存在以下问题:当生成抑制波形时，抑制类二极管桥作为负载，吸收电容器中的充电能量。电压急剧衰减，结果导致脉冲幅度变小。即td值将小于标准规定的时间，无法形成标准要求的波形。抛负载测试是将长脉冲(td)加到被测试物上所做的破坏测试。td值变短，有可能偏离本来的测试目的、降低严酷度。第二方面，因二极管的老化严重，要保持测试精度需要不断地更换零部件，增大了管理成本。第三方面，二极管抑制的波形会导致抑制部分Us*成一个明显的上弧线形，不可能产生标准所规定的呈现绝对的水平，此外由于众多汽车制造厂家的标准规定的Us*不尽相同，对抑制器要求抑制电压可任意设置，二极管显然无法满足。
【发明内容】
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[0006]本发明的目的就在于针对现有技术存在不足之处而提供一种新的抛负载电压波抑制装置，其不仅可以满足IS07637/16750标准要求，还能满足相关类似各种汽车厂商标准对抛负载电压波形抑制的要求，以进一步检验车用电子器件的抗冲击性。
[0007]为实现上述目的，本发明的抛负载电压波抑制装置包括有抑制功率电路、线性放大电路以及输出保护电路，其中，抑制功率电路由若干并联均流的MOSFET或三极管组成，线性放大电路为直流线性放大器，输出保护电路为输出耦合去耦保护二极管，直流线性放大器的输出端与抑制功率电路的输入端相连，抑制功率电路的输出端与输出耦合去耦保护二极管相连，另外，在直流线性放大器的输入端和输出耦合去耦保护二极管之间连接有两个分压反馈电阻。
[0008]作为上述技术方案的优选，所述的抑制功率电路的设计功率可满足每分钟一次的I秒钟300V、300A直流脉冲冲击。[0009]作为上述技术方案的优选，所述的直流线性放大器的输入端INPUT为模拟输入端，当其输入为O?5V或IOV时，调整两个分压反馈电阻的比值可使线性放大电路的输出为O?250V。
[0010]作为上述技术方案的优选，所述的抛负载发生器内阻的阻值为0.5?8ohm。
[0011]本发明的有益效果在于:其克服了传统方法的弊端，能够提供国际上IS07637(GB/T21437)标准中的P5b和IS016750标准中抛负载TEST B的条款对电子器件所要求的集中抛负载抑制波形模拟，并方便地试验5?250V连续可调，满足世界范围内所有汽车的各种电子器件相关集中抑制抛负载电压冲击试验标准，以进一步检验车用电子器件的抗冲击性。
【专利附图】
【附图说明】:
[0012]下面结合附图对本发明做进一步的说明:
[0013]图1为抛负载测试脉冲波形图。
[0014]图2为IS016750标准对抛负载电压波形的具体要求表格；
[0015]图3为本发明的电路原理图。
【具体实施方式】:
[0016]以下结合具体实施例对上述技术方案做进一步的说明。应理解，这些实施例是用于说明本发明的原理而不是限定本发明的保护范围。
[0017]见图3所示:本发明的一种新型抛负载电压波抑制装置包括有抑制功率电路10、线性放大电路20以及输出保护电路30，其中，抑制功率电路10由若干并联均流的MOSFET或三极管Q组成，设计功率可满足每分钟一次的I秒钟300V、300A直流脉冲冲击。线性放大电路20为直流线性放大器A，输出保护电路30为输出耦合去耦保护二极管D，直流线性放大器A的输出端与抑制功率电路10的输入端相连，抑制功率电路10的输出端与抛负载发生器40及输出耦合去耦保护二极管D相连，另外，在直流线性放大器A的输入端和输出耦合去耦保护二极管D之间连接有两个分压反馈电阻Rl和R2。
[0018]直流线性放大器A的输入端INPUT为模拟输入端，当其输入为O?5V或IOV时，调整两个分压反馈电阻Rl和R2的比值可使直流线性放大器A的输出为O?250V，此时三极管Q相当于一个射极或源极跟随器型稳压电路，由于直流线性放大器A与三极管Q之间构成负反馈，三极管Q的输出即抑制装置的输出Us*将在O?250V之间连续可调可控。
[0019]抛负载发生器30具有一内阻R0，该内阻RO的阻值一般为0.5?8ohm，输出短路时对抑制器可起到限流保护作用。
[0020]试验时当抛负载发生器输出电压大于Us*时，由于直流线性放大器A输出使三极管Q处于放大状态，使抑制装置的输出维持在Us*。输出开路时，由于三极管Q无电流输出，故不消耗能量，可满足图2波形的要求即Us*以下抑制波形与非抑制波形的重合。
[0021]试验时当抛负载发生器输出电压小于Us*时，由于直流线性放大器A输出使三极管Q完全导通，由于MOSFET或三极管Q导通电阻为ι?Ω级,并联后一般低于Ιι?Ω ,与RO相比可忽略不计，几乎不消耗能量使得抛负载发生器40输出电压完全施加在试品上。
[0022]上述实例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种抛负载电压波抑制装置，其特征在于:它包括有抑制功率电路、线性放大电路以及输出保护电路，其中，抑制功率电路由若干并联均流的MOSFET或三极管组成，线性放大电路为直流线性放大器，输出保护电路为输出耦合去耦保护二极管，直流线性放大器的输出端与抑制功率电路的输入端相连，抑制功率电路的输出端与输出耦合去耦保护二极管相连，另外，在直流线性放大器的输入端和输出耦合去耦保护二极管之间连接有两个分压反馈电阻。
2.根据权利要求1所述的抛负载电压波抑制装置，其特征在于:所述的抑制功率电路的设计功率可满足每分钟一次的I秒钟300V、300A直流脉冲冲击。
3.根据权利要求2所述的抛负载电压波抑制装置，其特征在于:所述的直流线性放大器的输入端INPUT为模拟输入端，当其输入为O?5V或IOV时，调整两个分压反馈电阻的比值可使线性放大电路的输出为O?250V。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的抛负载电压波抑制装置，其特征在于:所述的抛负载发生器内阻的阻值为0.5?8ohm。
【文档编号】G05F1/56GK103576732SQ201310547343
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日
【发明者】黄学军, 胡晖, 孙正, 张忠平, 汤海波 申请人:苏州泰思特电子科技有限公司