专利名称：一种温度控制装置及干刻设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示器制造领域，尤其涉及一种温度控制装置及干刻设备。
背景技术：
近年来，随着基板世代(基板的尺寸)的增大和制程(基板上金属导线的线宽)的减小，在制造 TFT-1XD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)和半导体等的过程中，对干刻均匀性的要求越来越高。但是，在采用现有干刻设备进行干刻的过程中，由于干刻设备腔室中气体、电场、等离子体等分布的不均匀性，因此导致干刻不均匀，影响产品性能和工程能力，良品率较低。
实用新型内容本实用新型的实施例提供一种温度控制装置及干刻设备，能够提高干刻的均匀性，以提高产品性能、工程能力和良品率。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:本实用新型提供一种温度控制装置，包括多个温控单元，其中，每个所述温控单元均设置有用于控制流入对应的所述温控单元的液体流量的控制装置。所述温控单元包括进液管、出液管以及设置于所述进液管与出液管之间的温控管道。所述控制装置设置于所述进液管与所述温控管道之间，或设置于所述出液管与所述温控管道之间。所述温控单元还包括用于监控所述液体的流量的流量计。所述流量计设置于所述控制装置中。所述流量计设置于进液管、出液管或温控管道的管壁上。所述控制装置为电动控制阀。所述液体为冷却液。本实用新型还提供一种干刻设备，包括上部电极和下部电极，还包括设置于所述下部电极上的具有上述任意特征的温度控制装置。本实用新型提供的一种温度控制装置及干刻设备，温度控制装置包括多个温控单元，其中，每个温控单元均设置有用于控制流入对应的温控单元的液体流量的控制装置。通过该方案，将温度控制装置分成多个温控单元，并通过各个温控单元设置的控制装置，调整液体流量，达到不同的温控单元实现不同温度控制的目的，在应用于干刻设备中时，该温度控制装置可以根据干刻设备腔室内中气体、电场、等离子体等的不同，调节进入各个温控单元的冷却液的流量，以达到调节各区域的温度，调整刻蚀速率的目的，进而，提高了干刻的均匀性，提高了产品性能、工程能力和良品率。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型提供的温度控制装置结构示意图一；图2为本实用新型提供的干刻设备结构示意图；图3为本实用新型提供的温度控制装置结构示意图二。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图1所示，本实用新型实施例提供的温度控制装置1，包括多个温控单元10，其中，每个温控单元10均设置有用于控制流入对应的所述温控单元10的液体流量的控制装置 101。具体地，所述温控单元10可以包括进液管102、出液管103以及设置于所述进液管102与出液管103之间的温控管道104。其中，所述液体由所述进液管102流入所述温控管道104后，从所述出液管103流出。如图1所示，所述控制装置101可以设置于所述进液管102与所述温控管道104之间。或者，所述控制装置101也可以设置于所述出液管103与所述温控管道104之间。需要说明的是，无论所述控制装置101设置于所述进液管102与所述温控管道104之间，还是设置于所述出液管103与所述温控管道104之间，所述控制装置101的作用均为控制流入对应的温控单元10的液体的流量，故所述控制装置101还可以设置于其它能够控制流入对应的温控单元10的液体的流量的区域，本实用新型不做限制。进一步地,所述温控单元10还可以包括用于监控所述液体的流量的流量计。具体地，所述流量计可以设置于所述控制装置101中。或者，所述流量计设置于进液管102、出液管103或温控管道104的管壁上。需要说明的是，无论所述流量计设置于所述控制装置101中，还是设置于进液管102、出液管103或温控管道104的管壁上，所述流量计的作用均为监控所述液体的流量，故所述流量计还可以设置于其它能够监控所述液体的流量的区域，本实用新型不做限制。优选地，所述控制装置101可以为电动控制阀。需要补充的是，所述控制装置101还可以为气动阀、液动阀和气-电动阀等能够实现流量控制的装置，本实用新型不做限制。若将本实用新型所提供的温度控制装置I应用于干刻设备时，则所述液体为冷却液。[0034]进一步地，本实用新型所提供的温度控制装置I还可以应用于PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积)装置,本实用新型不做限制。本实用新型提供的温度控制装置，包括多个温控单元，其中，每个温控单元均设置有用于控制流入对应的温控单元的液体流量的控制装置。通过该方案，将温度控制装置分成多个温控单元，并通过各个温控单元设置的控制装置，调整液体流量，达到不同的温控单元实现不同温度控制的目的，在应用于干刻设备中时，该温度控制装置可以根据干刻设备腔室内中气体、电场、等离子体等的不同，调节进入各个温控单元的冷却液的流量，以达到调节各区域的温度，调整刻蚀速率的目的，进而，提高了干刻的均匀性，提高了产品性能、工程能力和良品率。本实用新型实施例还提供一种干刻设备，如图2所示，包括上部电极2和下部电极3，还包括设置于所述下部电极3上的具有上述任意特征的温度控制装置I。具体地，如图2所示，所述上部电极2和下部电极3产生电场，在干刻设备腔室4中产生气体等离子体，与基板上的物质反应生成挥发性物质，从而对基板进行干刻。在干刻过程中，本实用新型所提供的温度控制装置I对干刻设备腔室4下部电极的温度进行冷却，循环液单元5将经过冷却器6冷却的冷却液输送至温度控制装置I中的各个温控单元，各个温控单元中的流量计实时监控冷却液的流量，可以将各个温控单元的冷却液流量集成到工艺进行的程序中，根据需要进行设定，而在干刻设备腔室4内气体、压力、能量等干刻重要参数变化时，通过各个温控单元中的控制装置(即电动控制阀)对冷却液的流量做适当的调整，通过温度控制基板各个区域的刻蚀速率，以保证基板各个区域的刻蚀速率相等，简单有效地提高刻蚀均匀性。值得指出的是，根据基板的世代(指基板的尺寸，代线越大，基板的面积越大，切出小面板的数量越多)等不同，温度控制装置所包括的温控单元的数量可以有所调整:图1所示的12个温控单元的设计基本上能够满足高世代生产线出代线或6代线以上)干刻均一'I"生的要求；而对于5代线或更小世代的干刻设备，温控单元的的数量可以有所减少，可以使用如图3所示的9个温控单元的设计。并且，在正常情况下，由于气体、电场、等离子体等的分布特性，现有的干刻设备的四个角的反应速率较慢，而中央位置的反应速率较快。若要保证刻蚀的均匀性，则需要将温度控制装置四个角的冷却液流量设定的相对较低，并适当调高中央区域的冷却液流量，而边缘位置的流量适中，使各个区域的刻蚀速率相当，提高刻蚀均匀性。综上所述，一方面，本实用新型将干刻设备的温度控制装置分成了多个温控单元，通过调节冷却液的流量，使各个温控单元的温度可以根据需要进行调节，达到控制各个区域刻蚀速率的效果，从而解决干刻过程中刻蚀不均的问题；一方面，本实用新型将将温度控制装置分成了面积较小的温控单元，可以减少甚至避免由于温度控制装置面积较大，冷却液进口区域和出口区域温度差异较大对刻蚀工艺造成的影响；另一方面，在一些测试中可以将各个温控单元设成所需要的不同温度，在同一基板上完成不同温度制备的样品，可以减少测试样品的数量，提高测试效率。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种温度控制装置，其特征在于，包括多个温控单元，其中，每个所述温控单元均设置有用于控制流入对应的所述温控单元的液体流量的控制装置。
2.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控单元包括进液管、出液管以及设置于所述进液管与出液管之间的温控管道。
3.根据权利要求2所述的温度控制装置，其特征在于，所述控制装置设置于所述进液管与所述温控管道之间，或设置于所述出液管与所述温控管道之间。
4.根据权利要求1所述的温度控制装置，其特征在于，所述温控单元还包括用于监控所述液体的流量的流量计。
5.根据权利要求4所述的温度控制装置，其特征在于，所述流量计设置于所述控制装置中。
6.根据权利要求4所述的温度控制装置，其特征在于，所述流量计设置于进液管、出液管或温控管道的管壁上。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的温度控制装置，其特征在于，所述控制装置为电动控制阀。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的温度控制装置，其特征在于，所述液体为冷却液。
9.一种干刻设备，包括上部电极和下部电极，其特征在于，还包括设置于所述下部电极上的如权利要 求1-8任一项所述的温度控制装置。
专利摘要本实用新型实施例提供一种温度控制装置及干刻设备，涉及显示器制造领域，能够提高干刻的均匀性，以提高产品性能、工程能力和良品率。该温度控制装置包括多个温控单元，其中，每个所述温控单元均设置有用于控制流入对应的所述温控单元的液体流量的控制装置。
文档编号G05D23/19GK203084571SQ201320093588
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月1日 优先权日2013年3月1日
发明者李梁梁, 丁向前, 郭总杰, 刘耀, 白金超 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司