1.一种具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的输入电路包括电压箝位模块(1)、下拉电流漏电路模块(2)以及外围电路模块；所述的下拉电流漏电路模块(2)同时与所述的电压箝位模块(1)、所述的外围电路模块以及后级电路模块相连接，所述的电压箝位模块(1)以及所述的下拉电流漏电路模块(2)均与所述的输入电路的输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的下拉电流漏电路模块(2)包括第一高压NMOS管(MN1)以及低压NMOS管(MN2)，所述的第一高压NMOS管(MN1)的漏极、所述的低压NMOS管(MN2)的漏极、所述的外围电路模块以及所述的后级电路模块的输入端相连接，所述的第一高压NMOS管(MN1)的源极以及低压NMOS管(MN2)的源极相连接后与所述的电压箝位模块(1)相连接，所述的第一高压NMOS管(MN1)的栅极与所述的输入电路的输入端以及所述的电压箝位模块(1)相连接，所述的低压NMOS管(MN2)的栅极与所述的电压箝位模块(1)相连接。
3.根据权利要求2所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的电压箝位模块(1)包括第二高压NMOS管(MN3)以及第一齐纳管(Z1)；所述的第二高压NMOS管(MN3)的漏极与所述的第一高压NMOS管(MN1)的栅极以及所述的输入电路的输入端相连接，所述的第二高压NMOS管(MN3)的源极与所述的第一齐纳管(Z1)的反向输入端以及所述的低压NMOS管(MN2)的栅极相连接；所述的第一齐纳管(Z1)的正向输入端、所述的第一高压NMOS管(MN1)的源极以及低压NMOS管(MN2)的源极均接地；所述的第二高压NMOS管(MN3)的栅极与一直流偏置电压相连接。
4.根据权利要求3所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的外围电路模块包括一上拉恒流源，所述的第一高压NMOS管(MN1)的漏极、所述的低压NMOS管(MN2)的漏极、所述的上拉恒流源以及所述的后级电路模块的输入端相连接。
5.根据权利要求4所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的外围电路模块还包括一反相器，所述的第一高压NMOS管(MN1)的漏极、所述的低压NMOS管(MN2)的漏极、所述的上拉恒流源以及所述的反相器的输入端相连接，所述的反相器的输出端与后级电路模块的输入端相连接。
6.根据权利要求3所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的电压箝位模块(1)还包括一NMOS管(MN4)以及第二齐纳管(Z2)；所述的NMOS 管(MN4)的源极接地，所述的NMOS管(MN4)的栅极与所述的NMOS管(MN4)的漏极均与所述的第二齐纳管(Z2)的正向输入端相连接，所述的第二齐纳管(Z2)的反向输入端与所述的第二高压NMOS管(MN3)的栅极相连接。
7.根据权利要求6所述的具有宽输入电压范围和可调阈值电压的输入电路，其特征在于，所述的外围电路模块包括电阻(R)、第三齐纳管(Z3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)；所述的电阻(R)的第一端接地，所述的电阻(R)的第二端、所述的第三齐纳管(Z3)的正向输入端、所述的第一PMOS管(MP1)的栅极以及所述的第二PMOS管(MP2)的栅极相连接，所述的第三齐纳管(Z3)的反向输入端、所述的第一PMOS管(MP1)的源极、第二PMOS管(MP2)的源极均与外部电源相连接，所述的第一PMOS管(MP1)的漏极与所述的第二齐纳管(Z2)的反向输入端相连接，所述的第二PMOS管(MP2)的漏极、所述的第一高压NMOS管(MN1)的漏极以及低压NMOS管(MN2)的漏极均与所述的后级电路模块相连接。