本发明涉及显示触控
技术领域：
，尤其是涉及一种触控显示面板和一种触控显示设备。
背景技术：
：触摸显示面板作为一种输入媒介,是目前最简单、方便的一种人机交互方式，因此，越来越多的产品将触摸显示功能集成到液晶显示器中。如图1所示，为现有技术中的一种触控显示面板示意图，触控显示面板100包括显示区101和围绕显示区101的非显示区102，在显示区中一般包括第一触控电极1051和第二触控电极1052，二者在显示区101中的延伸方向相交叉。在非显示区102中一般还包括移位寄存器103，移位寄存器103一般由多个级联的移位寄存模块构成，其通常为复杂的电路结构。由于移位寄存器103的存在，其在传输信号的过程中，会对显示区101中临近非显示区102的第一触控电极1051和/或第二触控电极1052造成信号干扰，这种信号干扰一般体现在第一触控电极1051和第二触控电极1052之间的电容耦合量上，电容耦合量的波动直接影响了触控显示面板的触控精度。技术实现要素：有鉴于此，一方面，本发明提供一种触控显示面板，其特征在于，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述阵列基板在所述显示区包括多条沿第一方向延伸并沿第二方向依次排布的第一触控电极，所述彩膜基板在所述显示区包括多条沿第二方向延伸并沿第一方向依次排布的第二触控电极；其中，位于所述显示区的靠近所述非显示区的所述第一触控电极和所述第二触控电极在垂直于所述阵列基板上的电容耦合量与位于所述显示区的远离所述非显示区的所述第一触控电极和所述第二触控电极在垂直于所述阵列基板上的电容耦合量的比值介于0.9和1.1之间另一方面，本发明实施例还提供一种触控显示设备，其特征在于，所述触控显示设备包括前述所述的触控显示面板。通过采用本发明实施例提供的一种触控显示面板和一种触控显示设备，能够均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，改善触控精度。附图说明图1为现有技术中的一种触控显示面板示意图；图2A为本发明实施例提供的一种触控显示面板；图2B为沿图2A中切割线AA’的剖视图；图3为本发明实施例提供的又一种触控显示面板；图4为本发明实施例提供的又一种触控显示面板；图5为本发明实施例提供的一种触控显示面板接收触控驱动信号示意图。具体实施方式为了更详细地解释本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图示说明如下，但是以下附图和具体实施方式并不是对本发明的限制，任何所属
技术领域：
中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。图2A为本发明实施例提供的一种触控显示面板，图2B为沿图2A中切割线AA’的剖视图。接下来，结合图2A和图2B来说明本发明实施例提供的一种触控显示面板。触控显示面板200包括相对设置的阵列基板250和彩膜基板260，其中，阵列基板250和彩膜基板260包括显示区201和围绕显示区201的非显示区202。在阵列基板250的显示区250中包括多条沿第一方向D1延伸并沿第二方向D2依次排布的第一触控电极2051，在彩膜基板260的显示区201，包括多条沿第二方向D2延伸并沿第一方向D1依次排布的第二触控电极2052。在非显示区203还包括移位寄存器203，在前文以及提到，由于移位寄存器203的存在，其在传输信号的过程中，会对显示区201中临近非显示区202的第一触控电极2051和/或第二触控电极2052造成信号干扰，这种信号干扰一般体现在第一触控电极2051和第二触控电极2052之间的电容耦合量上，电容耦合量的波动直接影响了触控显示面板的触控精度。参考表1-1，为现有技术中，触控显示面板上整个显示区中的触控驱动电极(TX1～TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)之间的电容耦合量，通过观察变1-1可以看到，位于显示区的远离非显示区的触控驱动电极(TX2～TX15)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1，然而，位于显示区的靠近非显示区的触控驱动电极(TX1和TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1.4，造成这种电容耦合量的不一致的原因除了制作工艺过程中的误差之外，主要是因为位于非显示区的移位寄存器的存在，移位寄存器在传输信号的过程中，会对显示区中临近非显示区的触控驱动电极(TX1和TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)造成信号干扰，额外增加了触控驱动电极(TX1和TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)之间的电容耦合量，这严重影响了触控精度。再回到本发明中图2A和图2B所对应的实施例，位于显示区201的远离非显示区203的第一触控电极2051和第二触控电极2052在垂直于阵列基板250上的电容耦合量为C1，位于显示区201的靠近非显示区的第一触控电极2051和第二触控电极2052在垂直于阵列基板250上的电容耦合量为C2。实际测试结果表明：当电容耦合量C2与电容耦合量C1之间的比值介于0.9和1.1之间时，位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量的均和度满足触控显示面板的触控精度要求，达到改善触控精度的目的。表1-1TX1TX2TX3TX4TX5…TX12TX13TX14TX15TX16RX11.4811.0481.0161.0531.064…0.9781.0741.0511.021.47RX21.4771.0110.9821.021.032…0.941.0451.0161.081.49RX31.4921.0110.9841.0231.035…0.9431.0481.021.0811.487RX41.5111.0070.9851.0241.035…0.9461.0531.0211.0811.498RX51.5111.0140.9941.0351.045…0.9521.0621.0321.0881.514RX61.4931.021.0021.0451.056…0.9621.0781.0431.0931.525RX71.4831.0291.0131.0561.067…0.9721.091.0531.11.538RX81.4151.0331.0171.0621.071…0.9761.0911.0561.1031.498………………………………RX231.4211.0191.0371.0211.051…0.9911.0421.0261.1091.466RX241.4791.0241.0290.9811.01…1.0361.0330.9861.0331.49RX251.4831.0081.0691.0110.998…1.0931.0720.9791.0941.485RX261.4831.0051.0671.0050.994…1.0881.0680.9761.0931.474RX271.4820.9891.0490.9920.978…1.0751.0580.9631.0811.463RX281.4740.9841.0430.9890.973…1.0751.0560.961.0781.452RX291.4630.9691.0290.9750.96…1.0651.0480.9441.0651.447RX301.4640.961.0210.970.952…1.0611.0460.9371.0591.438现有技术中触控显示面板上触控驱动电极和触控检测电极的电容耦合量综上，通过采用如图2A和图2B的发明实施例的设计，能够均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，改善触控精度。图3所示为本发明实施例提供的又一种触控显示面板300，触控显示面板300与图2A实施例中的触控显示面板200的相同点不再赘述，在此仅说明其区别点，区别点在于第一触控电极3051和第二触控电极3052在垂直于阵列基板上具有多个交叠区，其中，位于显示区301的远离非显示区302的一个第一触控电极3051和一个第二触控电极3052在垂直于阵列基板上的交叠区为第一交叠区E1，位于301显示区的靠近非显示区302的一个第一触控电极3051和一个第二触控电极3052在垂直于阵列基板上的交叠区为第二交叠区E2，第一交叠区E1的面积大于第二交叠区E2的面积。由于在现有技术中，由于位于非显示区中的移位寄存器的影响，位于显示区301的远离非显示区302的一个第一触控电极3051和一个第二触控电极3052之间的电容耦合量一般小于位于显示区301的靠近非显示区302的一个第一触控电极3051和一个第二触控电极3052之间的电容耦合量。我们同时还知道，第一触控电极3051和第二触控电极3052之间的电容耦合量与第一触控电极3051和第二触控电极3052之间的正对面积成正比，即与第一触控电极3051和第二触控电极3052在垂直于阵列基板方向上的交叠面积成正比，因此，采用本实施例中的结构设计，能够均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，改善触控精度。需要说明的是，对于图3所示实施例，第一触控电极3051在位于显示区301的靠近非显示区302的端部的形状为三角形，但这种形状并不构成对本发明所保护的范围的限定，也可以如图4所示的那样，第一触控电极4051在位于显示区401的靠近非显示区402的端部的形状为圆形，或者，第一触控电极在位于显示区的靠近非显示区的端部的形状为梯形等形状；或者，在图3和图4中只是示意性的给出了第一触控电极3051在位于显示区301的靠近非显示区302的端部的形状为三角形、圆形或者梯形，但也可以是第一触控电极3051和第二触控电极3052在位于显示区301的靠近非显示区302的在垂直于阵列基板上的交叠区域的形状为三角形、圆形或者梯形。只要保证：第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上具有多个交叠区，位于显示区的远离非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第一交叠区，位于显示区的靠近非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第二交叠区，第一交叠区的面积大于第二交叠区的面积即可，第一触控电极在位于显示区的靠近非显示区的端部的形状可以为任意形状，都落入本发明所要求保护的范围内，诸多中形状在此不再赘述。接下来参考表1-2，为第一触控电极和第二触控电极为不同交叠面积下的触摸量衰减比。在表1-2中，未给出第二触控电极的宽度，仅给出了三种不同的第一触控电极的宽度，可以理解为第二触控电极的宽度是一个固定的常量，其中，对于第一组数值(每一行方向上的四个数值组成一组)为接近于现有技术中的实际产品的数值：第一触控电极的宽度为0.416mm，第一触控电极和第二触控电极在阵列基板垂直方向上的交叠面积为0.178mm2，手指触摸量为179fF，由于在现有技术中，无论是在显示区的边缘，还是在显示区中间位置，第一触控电极和第二触控电极在阵列基板垂直方向上的交叠面积都相等，因此，对于第一组数值，可以认为，触摸量衰减比为1。继续观察第二组数值和第三组数值，可以得出结论，当第二触控电极的尺寸固定不变时，随着第一触控电极的宽度的减小，第一触控电极和第二触控电极在阵列基板垂直方向上的交叠面积逐渐减小，随着面积减小，手指触摸量也随之减小，最终，触摸量衰减比也随之降低。需要解释的是，触摸量衰减比是指：以现有条件的手指触摸量为分母，其他条件下的手指触摸量为分子，计算出的比率。结合参考表1-1，在前文中我们已经提到，位于显示区的靠近非显示区的触控驱动电极(TX1和TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1.4，位于显示区的远离非显示区的触控驱动电极(TX2～TX15)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1，因此可以得出初步结论：在现有技术中，当整个显示区中的第一触控电极和第二触控电极在阵列基板垂直方向上的交叠面积近似相等时，位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极之间的电容耦合量是位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极之间的电容耦合量的0.7倍左右，因此，对于表1-2中的第三组数值，触摸量衰减比为0.73的条件下，整个触控显示面板的位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量可以达到较为均和的状态，也即是在这种条件下，结合图3和图4，第二交叠区E2的面积为第一交叠区E1的面积的0.4倍至0.6倍。因此，通过采用上述本实施例中的设计，第一触控电极和第二触控电极在垂直于所述阵列基板上具有多个交叠区，其中，位于显示区的远离非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第一交叠区，位于显示区的靠近非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第二交叠区，当第二交叠区的面积为第一交叠区的面积的0.4倍至0.6倍时，能够较佳的均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，更进一步的改善触控精度。需要说明的是，对于图3和图4所对应的实施例，只是示意性的给出了第一触控电极在位于显示区的靠近非显示区的端部的形状为三角形、梯形或者椭圆形，以及在表1-2中，只是示意性的给出了第一触控电极的宽度逐渐变小，而第二触控电极的尺寸保持不变。但是，这中设计并不构成对本发明的限定，具体的，也可以是第一触控电极的形状或者尺寸不作变化，而是对第二触控电极的形状或者尺寸作出变化，此处对于各种形状或者尺寸的变化及组合不再赘述，只要保证第一触控电极和第二触控电极在垂直于所述阵列基板上具有多个交叠区，其中，位于显示区的远离非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第一交叠区，位于显示区的靠近非显示区的一个第一触控电极和一个第二触控电极在垂直于阵列基板上的交叠区为第二交叠区，第一交叠区的面积大于第二交叠区的面积即可；或者更进一步地，保证第二交叠区的面积为第一交叠区的面积的0.4倍至0.6倍即可。表1-2第一触控电极和第二触控电极在不同交叠面积下的触摸量衰减比图5所示为本发明实施例提供的一种触控显示面板接收触控驱动信号的示意图。在图5中给出了五条触控驱动电极(TX1～TX5)以及五条触控驱动电极(TX1～TX5)在触控阶段所接收的不同幅值的触控驱动信号，结合参考图2，在本实施例中，可以认为五条触控驱动电极(TX1～TX5)分别一一对应图2中的沿第二方向D2从左至右依次平行排布的五条第一触控电极2051，其中，位于显示区201的靠近非显示区202的左起第一个第一触控电极2051对应图5中的TX1，位于显示区201的靠近非显示区202的右起第一个第一触控电极2051对应图5中的TX5，此两条第一触控电极2051在触控显示面板工作在触控阶段时，接收的触控驱动信号为第二触控驱动信号，第二触控驱动信号的电压值为V2；位于显示区201的远离非显示区202的左起第二个第一触控电极2051至左起第四个第一触控电极2051分别对应图5中的TX2～TX4，此三条第一触控电极2051在触控显示面板工作在触控阶段时，接收的触控驱动信号为第一触控驱动信号，第一触控驱动信号的电压值为V1，第一触控驱动信号的电压值V1大于第二触控驱动信号V2的电压值。通过采用如图5所示实施例中的方案，能够均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，改善触控精度。可选的，参考表1-3，为不同触控驱动信号下的触摸量衰减比。其中给出了4组不同触控驱动信号下的触控量衰减比。在现有技术中(第一组数据)，触控驱动信号的电压值一般为4.5V，在此种情况下，手指触摸量以某一种产品(产品的型号在此不赘述，因为不是讨论的中点，并且产品的特点并不构成对本发明的限定)为例，为179fF，此种条件下的触摸亮衰减比被理想化的认为是1。随着触控驱动信号的电压值的降低，手指触摸量也随之降低，那么触摸量衰减比也随之降低。结合参考表1-1，在前文中我们已经提到，位于显示区的靠近非显示区的触控驱动电极(TX1和TX16)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1.4，位于显示区的远离非显示区的触控驱动电极(TX2～TX15)和触控检测电极(RX1～RX30)在垂直于阵列基板上的电容耦合量约等于1，因此可以得出初步结论：在现有技术中，当整个显示区中的第一触控电极和第二触控电极在阵列基板垂直方向上的交叠面积近似相等时，位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极之间的电容耦合量是位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极之间的电容耦合量的0.7倍左右，因此，对于表1-3中的第三组和第四组的数值，触摸量衰减比为介于0.66～0.80的条件下，整个触控显示面板的位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量可以达到较为均和的状态，也即是在这种条件下，结合图5，第一触控驱动信号V1的电压值为第二触控驱动信号V2的电压值的1.2倍至1.5倍。通过采用上述设计方案：位于显示区的远离非显示区的一个第一触控电极在触控阶段接收的触控驱动信号为第一触控驱动信号，位于显示区的靠近非显示区的一个第一触控电极在触控阶段接收的触控驱动信号为第二触控驱动信号，第一触控驱动信号的电压值为第二触控驱动信号的电压值的1.2倍至1.5倍，能够更佳的均和位于显示区的远离非显示区的第一触控电极和第二触控电极以及位于显示区的靠近非显示区的第一触控电极和第二触控电极在垂直于阵列基板上的电容耦合量，更佳的改善触控精度。表1-3触控驱动信号(V)手指触摸量(fF)触摸量衰减比4.5179(179/179)＝14166(166/179)＝0.923.5144(144/179)＝0.803119(119/179)＝0.66不同触控驱动信号下的触控显示面板触摸量衰减比需要说明的是，对于前述任一实施例，阵列基板上还包括公共电极层，公共电极层沿第二方向D2被分割成多个彼此之间绝缘的公共电极，公共电极沿着第一方向D1延伸，公共电极复用为前述任一实施例中的第一触控电极。具体的，在触控显示面板工作在显示阶段时，第一触控电极接收公共电压信号；在触控阶段，第一触控电极接收触控驱动信号，第二触控电极基于第一触控电极接收的触控驱动信号，输出触控检测信号；或者，在显示阶段，第一触控电极接收公共电压信号；在触控阶段，第二触控电极接收触控驱动信号，第一触控电极基于第二触控电极接收的触控驱动信号，输出触控检测信号。还需要说明的是，对于前述任一实施例，第一触控电极的位置可以如图2B中所示的那样，第一触控电极2051设置在阵列基板250朝向彩膜基板260的一侧上，第二触控电极2052设置在彩膜基板260远离阵列基板250的一侧上；当然，也可以不限于图2B中所示的那样，也可以是：第一触控电极设置在阵列基板朝向彩膜基板的一侧上，第二触控电极设置在彩膜基板朝向阵列基板的一侧上。还需要说明的是，对于前述任一发明实施例，阵列基板上还包括沿着横方向设置的栅极扫描线，和沿着纵方向设置的数据信号线，其中，栅极扫描线与第二方向平行，同时，数据信号线与第一方向平行；或者，栅极扫描线与第一方向平行，同时，数据信号线与第二方向平行。还需要说明的是，本发明实施例中所提到的非显示区主要侧重于位于显示区两侧的非显示区，因为一般结构设计下，移位寄存器都设置在位于显示区两侧的非显示区中。但前述实施例中对于非显示区的描述方式并不对非显示区的位置做具体限定，例如非显示区也可以是显示区上部和下部的位置，这取决于移位寄存器所设置的位置，只有移位寄存器所存在的位置对其靠近的触控电极的耦合量造成影响才是我们侧重讨论的，因此，其它任意关于非显示区的定义，都落入本发明实施例的保护范围内，在此不再赘述。还需要说明的是，在图2A和图2B中，给出了位于显示区201两侧的非显示区202中的两个移位寄存器203，但移位寄存器的数量和位置并不构成对本发明实施例的限定，例如，移位寄存器203也可以仅为一个，并且位于于显示区201某一侧的非显示区中等等，其它任意关于移位寄存器的设计，都落入本发明实施例的保护范围内，在此不再赘述。注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。当前第1页1 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