专利名称：透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法
技术领域：
本发明涉及稳定的可用轻触输入的透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法。本发明的透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法，特别适合于作为液晶显示装置、电致发光元件、等离子体显示元件、荧光显示管、场致发射显示等平板显示的显示屏中的积层输入装置所使用的透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法。
背景技术：
在透明触摸面板中作为电极使用的透明导电膜一般用的是ATO(氧化锑/氧化锡)、FTO(氧化锡/掺杂氟)、ITO(氧化铟/氧化锡)、FATO(氧化锑/氧化锡/掺杂氟)等金属氧化物。特别是在电阻膜式模拟型透明面板的场合，需要表面电阻为200～2000Ω/sq而且透明性高、着色少的透明导电膜。
电阻膜式模拟型透明触摸面板是一种由在表面上设置有由透明导电膜构成的底电极和点状垫板的玻璃板或膜等绝缘基板构成的底电极基板和，表面上设有由透明导电膜构成的顶电极的膜等绝缘基板所构成的顶电极基板的积层结构，从输入面一侧按压透明触摸面板的一部分，使两电极接触而电导通，从而可以输入。
透明触摸面板上形成的透明导电膜通常是用蒸镀法、溅射法等物理成膜法或CVD法等化学气相法来形成的。在这些方法中，控制透明导电膜的膜表面所观察的平面内的平均结晶粒径(R)是可能的。例如，在物理成膜法的场合，一般是以ITO构成的透明导电膜为主，其表面电阻值要求为200～2000Ω/sq，比液晶显示用电极稍高一点。为了使ITO的电阻率低，就必须用100～200埃左右厚的超薄膜以提高成膜的表面电阻值。
根据这样的情况，由于透明导电膜是由相当薄的ITO膜所成，平均结晶粒径(R)为10～15nm，和更细，在用原子力显微镜观察的场合其算术平均粗糙度(Ra)为0.1～0.3nm，均方根粗糙度(Rms)为0.25nm，和更小。例如，透明导电膜表面的断面是象图5、
图17至图19所示那样的由晶粒形成大体上为三角形。
在用这样的透明导电膜的透明触摸面板中，因互相接触的透明导电膜的断面都是由晶粒形成大体三角形，因此，对于只有一点点负载的输入就可维持输入状态的所谓轻触输入是不稳定的。进一步说，对用笔等10g左右的负载连续输入的场合，就会象图6A所示那样经常产生连续线的断开或错误输入部分，得不到合适而正确的输入。
因此，为消除这样的现象，已考虑了把垫片加宽或把垫片的高度降低等对策。
然而，把垫片加宽时，在手掌接触等场合就容易产生错误输入。
把垫片的高度降低时，则使相对的电极之间的距离变成非常近，在透明导电膜之间产生作为光的干涉的原因的牛顿环而令人讨厌。
还有，已考虑过把在透明触摸面板输入时决定其开与关的阈值电压Evs(参见图7)设定得低来补偿对向电极之间发生的因接触电阻导致的电压下降而使输入容易的对策。然而，这样一来反而由于也容易接受不稳定的输入而产生坐标容易漂移的问题。也就是说，如图7所示，在作为检出电压Ev(参见图4)随接触电阻值Eb上下涨落的对策而取低阈值电压Evs的场合，例如取阈值电压为3.6V的场合，由于不适当的歪斜造成膜接触或与笔接触的同时手指接触了附近部分等而同时在2个地方有4.0V和3.5V的输入时，就判断为错误输入，液晶显示屏等上就不再显示，相当于在此部分的坐标没有输入的情况，即产生了断线(参见图6)。
所以，本发明的目的是提供消除上述问题点的稳定的可用于轻触输入的透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法。
发明的公开为达到上述目的，本发明由如下各点所构成。
本发明的第1实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是设置在底电极和顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上、并构成此电极的透明导电膜，其构成为表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。
本发明的第2实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是设置在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上、并构成此电极的透明导电膜，它是由氧化铟-氧化锡膜所构成，而且在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm。
本发明的第3实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上、并构成此电极的透明导电膜，它是由添加了氟或锑的氧化锡膜所构成，而且在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为80nm≤R≤400nm。
本发明的第4实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是按照是第1或第2实施方案，由氧化铟-氧化锡膜构成的，且表面形状的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm。
本发明的第5实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是按照第1或第3实施方案，由添加了氟或锑的氧化锡膜所构成，且表面形状的算术平均表面粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。
本发明的第6实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是按照第1～5的任一实施方案，当上述表面形态中以Rn表示中心线深度和Rmax表示最大的粗糙度时，由于使表现上述表面形状的参数(Rp/Rmax)是0.55以下则构成上述表面形状的晶粒聚集体的截面呈现台阶形状或矩形形状的膜所构成。
本发明的第7实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是按照第1～6的任一实施方案，以使用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法形成的膜所构成。
本发明的第8实施方案所涉及的透明触摸面板，它是由在上述底电极和上述顶电极中至少一个电极的电极基板上设有用第1～7任一实施方案中记载的透明导电膜构成电极所构成。
本发明的第9实施方案所涉及的透明触摸面板，它是由在上述底电极和上述顶电极两个电极的电极基板上都设有用第1～7的任一实施方案中记载的透明导电膜分别构成电极所构成。
本发明的第10实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板中的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，并且该膜是由至少构成凝胶-溶胶材料的由铟和锡组成的有机金属化合物所构成的、并通过采用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那样的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法来形成表面形状的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化铟-氧化锡膜的制造方法所制成的。
本发明的第11实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板中的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，该膜是由至少构成凝胶-溶胶材料的由铟和锡组成的有机金属化合物所构成的、并通过采用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那样的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法来形成在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm的氧化铟-氧化锡膜的制造方法所制成。
本发明的第12实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板中的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，该方法是通过，使用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法将凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结来形成表面形状的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根表面粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化铟-氧化锡膜的制造工序所构成。
本发明的第13实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板中的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，该方法是通过，由使用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法将凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度范围内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结来形成在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm的氧化铟-氧化锡膜的制造工序所构成。
本发明的第14实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，是按照第10或11实施方案，通过用上述凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法来形成上述透明导电膜的场合中，是通过把凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度范围内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结再继续进行还原烧结来形成上述透明导电膜的制造工序所构成。
本发明的第15实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，是由用第10～14的任一实施方案中所记载的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法制造的透明触摸面板用透明导电膜所构成。
附图的简单说明下面的有关附图与优选的实施方案之关系的叙述清楚的说明了本发明的这些以及其他目的与特征。这些附图中，图1是表示本发明的一个实施方案的透明触摸面板的透明导电膜表面的断面形状的模式截面图。
图2是表示本发明的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的原子力显微镜照片。
图3是表示上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜之间的接触电阻导致电压下降的观察方法的斜视图。
图4是表示上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜之间的接触电阻导致电压下降的观察方法的电路图。
图5是表示历来的透明触摸面板的透明导电膜表面的断面形状的模式截面图。
图6是表示透明触摸面板上以轻负载连续输入时发生的断线等缺陷的线扫描图。
图7是表示上述实施方案的透明触摸面板输入时记录检出的输入电压Ev与阈值电压Evs的示意图。
图8是表示上述实施方案的透明触摸面板输入时记录检出的理想输入电压Ev的示意图。
图9是说明上述实施方案的透明触摸面板中的表面粗细参数的算术平均粗糙度的图。
图10是说明上述实施方案的透明触摸面板中的表面粗细参数的中心线(平均线)深度的图。
图11是表示上述实施方案的透明触摸面板在顶电极和底电极对向状态时的透明导电膜表面的断面形状的模式断面图。
图12是表示上述实施方案的透明触摸面板在顶电极和底电极对向状态下用笔输入的状态示意图。
图13是表示图2的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的原子力显微镜照片。
图14是表示本发明的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的另一原子力显微镜照片。
图15是表示在图14的A-B线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。
图16是表示在图14的C-D线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。
图17是表示历来的透明触摸面板的透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的另一原子力显微镜照片。
图18是表示在图17的A-B线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。
图19是表示在图17的C-D线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。
图20是用印刷法形成上述实施方案有关的上述透明导电膜场合的一个例子所使用的薄膜形成装置的斜视图。
实施发明的最佳方案在继续叙述本发明之前，已给予附图中的相同部件以相同的参照符号。
参照着图来详细说明本发明的实施方案。
图1是表示本发明的一个实施方案的透明触摸面板的透明导电膜表面的断面形状的模式截面图。图2是表示本发明的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜的金属氧化物结晶粒径的原子力显微镜照片。图3是表示观察上述实施方案的透明导电膜之间由于接触电阻导致电压下降的方法的斜视图。图4是表示观察上述实施方案的透明导电膜之间因接触电阻导致电压下降的方法的电路图。图8是表示上述实施方案的透明触摸面板输入时记录检出的理想输入电压Ev的示意图。图9是说明上述实施方案的透明触摸面板中的表面粗糙参数的算术平均粗糙度的图。图10是说明上述实施方案的透明触摸面板中的表面粗糙参数的中心线(平均线)深度的图。图11是表示上述实施方案的透明触摸面板的顶电极和底电极在对向状态时的透明导电膜表面的断面形状的模式断面图。图12是表示上述实施方案的透明触摸面板的顶电极和底电极在对向状态下用笔输入的状态下的透明导电膜表面的断面形状的模式断面图。图13是表示图2的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜金属氧化物结晶粒径的原子力显微镜照片。图14是表示本发明的上述实施方案的透明触摸面板的透明导电膜金属氧化物结晶粒径的另一原子力显微镜照片。图15是表示在图14的A-B线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。图15的A1，A2，A3，A4，A5，A6的位置与图14的A1，A2，A3，A4，A5，A6的位置相对应。图16是表示在图14的C-D线截面中的上述透明导电膜的金属氧化物的结晶粒径的高度方向的变动的图。图16的C1，C2，C3，C4，C5，C6的位置与图14的C1，C2，C3，C4，C5，C6的位置相对应。
图中，1是透明导电膜，2是输入用笔，3是汇流条，4是顶电极，5是底电极。因此，如图3和图12所示，在输入面一侧例如顶电极4侧用输入笔2按压透明面板表面的一部分，使由透明导电膜1分别构成的两电极4，5接触而导通，从而进行了输入作业，通过汇流条3的中介而把输入的信息传达到预定的装置。
如图1和图11、图12所示，本发明的上述实施方案的透明触摸面板是由多个垫片10把在底电极基板15的表面设置有透明导电膜1所构成的底电极5与在顶电极基板14的表面设置有透明导电膜1所构成的顶电极4隔开而积层的。所用的垫片10是例如直径为20～100μm、高4～25μm、各垫片10的间隔为1～5mm，通常垫片是在顶电极或底电极的表面上形成的。
作为上述实施方案的底电极基板和顶电极基板的各个基板，用的是有耐热性和优异透明性的塑料基板或玻璃基板等。例如，作为塑料基板用的是聚碳酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚醚砜树脂、聚丙烯酸酯树脂或三乙酸酯树脂等。玻璃基板则没有特别的限制，只要其色相少就行。
作为上述实施方案的透明导电膜1的是以ATO(氧化锑/氧化锡)、FTO(氧化锡/掺杂氟)、ITO(氧化铟/氧化锡)、FATO(氧化锑/氧化锡/掺杂氟)为代表的N型半导体金属氧化物。尤其是，ITO因透明导电膜本身不带色使其透明性优异而优选使用。
上述透明导电膜1是由表面形状为算术平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤3.0nm所构成的。其理由是，如图1所示，因这样构成的透明导电膜1其晶粒聚集体致密排列并且成为平滑性好的膜，如图11和12所示，在输入时的接触面积可以迅速得到保证。详细地说，在算术平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm的场合，变成了明显的点状接触，接触面积少，输入就变得不合适(参见图5和图17至图19)。即使算术平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一方在上述范围内也不能期望有合适的输入。还有，在算术平均表面粗糙度(Ra)超过4.0nm或均方根表面粗糙度(Rms)超过3.0nm的场合，由于其对透明导电膜1的滑动特性的恶劣影响而不被优选使用。
进一步说，优选的是表示透明导电膜1的表面形状的下述参数(Rp/Rmax)成为0.55以下则使构成表面形状的晶粒聚集体的断面呈如图1所示那样的台阶形形状或矩形形状那样构成的(参照图15、图16)。其理由是，得到这样的形状时在可以确保非常稳定的输入的同时，还得到了延长对开关来说是不可缺少的滑动特性的寿命的良好结果。
更具体地说，在上述实施方案的透明触摸面板中，作为一个例子，至少构成一个电极的透明导电膜1为氧化铟-氧化锡的场合，其构成是，在表面上所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm、透明导电膜1的表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm、表现表面形状的下述参数(Rp/Rmax)成为0.55以下和使构成表面形状的晶粒聚集体的断面呈如图1所示那样的台阶形形状或矩形形状。也就是说，其Rp/Rmax≤0.55。这里，Rp表示中心线的深度，Rmax表示上述表面的最大粗糙度，单位都是nm。有关中心线深度Rp和最大粗糙度Rmax在后面再谈。
如上所述，透明导电膜1为由氧化铟-氧化锡构成的场合，在其表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为在40nm≤R≤200nm的范围内分布的理由如下。也就是说，平均结晶粒径(R)不到40nm的场合，轻触输入时输入变得不稳定，另一方面，当平均结晶粒径(R)超过200nm的范围分布时，有这样的平均结晶粒径(R)的透明导电膜1制造起来极为困难。所以，平均结晶粒径(R)落在40nm≤R≤200nm范围内的膜是以晶界等为代表的势垒少的稳定的氧化皮膜，对向基板上的透明导电膜接触时可以降低接触电阻而可达到稳定的输入。
通常，氧化铟-氧化锡膜主要是用溅射法来形成的，虽有可能得到结晶性良好的膜，不过要采取成膜时的基板温度保持在高温、成膜后在预定温度退火等处理方法来进行晶粒生长。在上述的用溅射法成膜的场合，采用，例如，把成膜时基板的温度设定为350℃、成膜后在150℃～200℃退火数小时以上等的方法来促进晶粒的生长以使平均结晶粒径(R)落在上述的40nm≤R≤200nm的范围内的做法为好。
特别是在氧化铟-氧化锡的场合，如前述用溅射法的ITO膜的场合那样，为使电阻率低而用于触摸面板用途就必须要有相当薄的薄膜。因此，平均晶粒的尺寸自然容易变小了。由此，涂布法或印刷法与溅射法比较起来不仅工艺简单，容易进行粒度控制，而且电阻率的调整也容易。也更适合于控制表面形状。
例如，如图2和图13及图14所示那样，在透明导电膜1的平均结晶粒径(R)约为50nm左右的场合，用轻触输入就可能得到合适、正确的输入。进而在60℃、相对湿度95％(RH)下经500小时的耐湿热试验后，轻触输入仍得到良好的结果。另外，在图14中，算术平均粗糙度(Ra)为0.80nm、均方根粗糙度(Rms)为1.06nm。与此相反，历来的例子的图17中，算术平均粗糙度(Ra)为0.21nm、均方根粗糙度(Rms)在A-B线部分为0.26nm而C-D线部分为0.28nm。图15、图16、图18、图19中，纵轴和横轴分别表示了高度和距离。
一般，在透明导电膜表面所观察的平面内的平均结晶粒径(R)为10～15nm和更细的场合，进行前述耐湿热试验时产生表面电阻值上升，在轻触输入时错误输入的发生显著增加。其原因据认为是，平均结晶粒径(R)小的场合，透明导电膜的表面积变大，使吸水量增多，夺走了透明导电膜中的载流子，使表面电阻值上升。还有，与有大的平均结晶粒径(R)的透明导电膜相比较，平均结晶粒径(R)小的透明导电膜中存在更多的晶界，例如氧化铟-氧化锡的场合，认为由于载流子的平均自由行程为约100埃(约10nm)左右，因此在通常情况下可被忽略的晶界散射所造成的载流子迁移率的下降，使得在轻触输入时容易发生失误。
作为在上述实施方案的透明触摸面板中的其他例子是，在用添加了氟或锑的氧化锡膜代替氧化铟-氧化锡膜构成至少一个电极的透明导电膜1的场合，其构成为在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为80nm≤R≤400nm、透明导电膜1的表面算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm、表现其表面形状的下述参数(Rp/Rmax)成为0.55以下则使构成表面形状的晶粒聚集体的断面呈如图1所示那样的台阶形形状或矩形形状。也就是说，取Rp/Rmax≤0.55。这里，Rp表示中心线的深度，Rmax表示上述表面的最大粗糙度，单位都是nm。有关中心线深度Rp和最大粗糙度Rmax在后面再谈。
在这样的透明导电膜1是由添加了氟或锑的氧化锡膜所构成的场合，在其表面所观察的金属氧化物平面内的平均结晶粒径(R)是在80nm≤R≤400nm范围内分布的理由如下。即，当平均结晶粒径(R)在不到80nm的范围内分布时，进行轻触输入其输入变得不稳定，另一方面，平均结晶粒径(R)在超过400nm范围内分布时，对向电极的透明导电膜因其表面的凹凸而受损，结果使滑动耐久性差。所以，平均结晶粒径(R)落在80nm≤R≤400nm范围内的是结晶已生长的稳定氧化皮膜，对向基板上的透明导电膜接触时可以降低接触电阻而可达到稳定的输入。
通常，用以CVD法为代表的气相法是形成加氟或锑的氧化锡膜的主流。在CVD法中，可以在450℃～550℃的高成膜温度下调整晶粒的生长而使其平均结晶粒径(R)落在80nm≤R≤400nm范围内。
在上述2个例子电用凝胶-溶胶材料由涂布法或印刷法成膜来形成透明导电膜的场合，可以通过调整在溶液状态的各种元素的添加量与分散性，进而调整油墨的自由能再加上对干燥工序、在考虑烧结条件的情况下就可能控制晶粒的尺寸落在上述范围内。
例如，在用印刷法形成透明导电膜的场合，就有采用如特公平3-11630号所示那样的薄膜形成装置并有印刷方法(参见图20)。此薄膜形成装置的构成如下由基台的支撑架所支撑的自由旋转的表面有多个深度为1.0～数十μm的墨池的凹版辊103和、向凹版辊103表面供给1.0～30,000mPas的油墨的油墨供给装置105和在支撑架102所支撑的凹版辊103的周围预定地方备有、使供给凹版辊103的油墨扩展到凹版辊表面并使油墨池内保持一定量的油墨的定厚器106和、使在凹版辊103表面的墨池内的油墨向在凹版辊103的下方由支撑架102支撑的自由旋转且与凹版辊103接触的凸部107转移的印刷辊104和、驱动支撑架102所支撑的印刷辊104和凹版辊103同步旋转的驱动装置108和、为装载被印刷物111且在基台101上可从与印刷辊104接触的印刷位置I与离开印刷辊的避让位置II、III之间移动而准备的定盘109和、使定盘109在上述两位置之间移动的被印刷物驱动装置110和、控制印刷辊104的旋转和定盘109从避让位置II、III向印刷位置I移动、使从凸部107转移到印刷辊104的油墨印刷到被印刷物上去的控制装载(图中未列出)。
作为油墨是由至少一种，例如，以下述一般式M(OH)x(R-CO-CH2-CO-R′)Y表示的化合物和溶剂、稳定剂所构成，式中M为In、Sn、Sb、B、P、Al、Bi、Si、Ti、Se、Te、Hf、Zn中的一种元素，R、R′为取代的烯丙基或取代的烷基，且m＝X+Y，m是M的价数，X、Y是自然数。
特别是，使用上述一般式中M为铟(In)、锡(Sn)且铟锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的范围的油墨就可以容易得到上述范围内的平均结晶粒径(R)。而且也容易把其算术平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)控制在上述范围内。这里，铟、锡的构成重量比不足5重量％时作为掺杂剂而被添加的锡的量少，就不可能期望产生对电导负载的载流子。这样的话，膜的电阻率在1.0×10-3Ω·cm以上，不适合用于触摸面板用的材料。另一方面，当铟、锡的构成重量比超过15重量％时，其平均结晶粒径变为10～30nm，难于使算术平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)落在上述范围内，构成透明导电膜的表面形状的晶粒聚集体的断面难于成为台阶形形状或矩形形状。
还有，把凝胶-溶胶材料涂布或印刷后初步干燥，接着在200℃至400℃温度区以每分40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结接着进行还原烧结就容易得到上述范围内的平均结晶粒径(R)。而且，也容易把算术平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)控制在上述范围内。这里，当升温速度不到每分钟40℃时，膜中的分解速度慢，包含的残留的有机溶剂多，这样的烧结使透明导电膜发黑，且其电阻率在1.0×10-3Ω·cm以上，不适合于作为触摸面板用的材料来使用。另一方面，当升温速度超过每分钟60℃时，膜中的分解速度过快而变为多孔膜，由于膜的硬度不够、耐湿热度试验等为代表的膜物性差，因而不适合于作为触摸面板用的材料来使用。
用上述装置成膜成薄膜后，经40℃～100℃适当干燥后，并在约540℃氧化烧结后进一步再还原烧结就形成了透明的导电膜。用这样的方法来形成透明导电膜时，在预定的条件下可以形成平均结晶粒径在40nm以上的膜。此时的膜表面的Ra为0.67nm，Rms为0.87nm，原子力显微镜观察的Rp/Rmax为0.51时，生长的晶粒聚集体凝聚，膜断面形状，即构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面呈台阶形状，具有良好的轻触输入特性且有优异的滑动耐久性。在60℃和相对湿度95％(RH)下500小时的耐湿试验后也得到稳定的输入。
还有，用对于因对向的透明导电膜1之间的接触电阻造成的电压下降的观察可以来评价轻触输入时的稳定度。如图3、图4所示，使用在透明触摸面板的顶电极4上加上5V的电压、而底电极5上接10KΩ的负载所构成的电路就可以对由于对向的透明导电膜1之间的接触电阻造成的电压下降所导致的轻触输入时的输入失误的测定数值化，其中，Ev＝5-(Ea+Eb+Ec)、Ea+Ec＝常数，Eb＝接触电阻造成的电压降，Ev＝检出电压，Ea和Ec分别为顶电极4和底电极5的电压降。
也就是说，对在顶电极4上加5V的电压，由电路的电阻造成的电压降(Ea、Ec)与由接触电阻造成的电压降(Eb)之和越大其检出电压(Ev)越小。所以，检出电压(Ev)小就表明已发生了输入失误。
用平均结晶粒径(R)在40～100nm范围的ITO为透明导电膜1的场合，观察到检出电压(Ev)稳定为约4.6V，与此相反，平均结晶粒径(R)在10～15nm范围时观察到检出电压(Ev)在4.0～4.2V不稳定的变化。由详细的实验结果可知，在加5V时检出电压(Ev)在约4.5V以上时进行轻触输入就实现了良好的输入。
还有，用作为透明导电膜1的一个例子的由CVD法得到的氧化锡膜的场合，其平均结晶粒径(R)在100～200nm范围内分布时，检出电压(Ev)稳定在约4.5V。
另外，在构成至少一个电极的透明导电膜1为氧化铟-氧化锡的场合，其表面算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm的理由如下。即，由这样构成的透明导电膜1，如图1所示，是晶粒聚集体致密排列且平滑性好的膜，如图11及12所示，输入时就可迅速确保接触面积。当算术平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm时成为明显的点状接触，接触面积少，使输入不正确(参见图5和图17至图19)。即使算术平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一个在上述范围内也不能期望有合适、正确的输入。还有，算术平均粗糙度(Ra)超过3.0nm或均方根粗糙度(Rms)超过2.0nm的透明导电膜1制造起来极其困难。
进一步说，中心线深度Rp与最大粗糙度Rmax之比Rp/Rmax在0.55以下，构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面变为台阶形状或矩形形状(参见图15、图16)。如图11和图12所示，得到了这样的形状就可以迅速确保输入时的接触面积，而且轻触输入时所发生的滑动特性也优异，由此就可确保非常稳定的输入。还有，得到了对开关是必须而不可缺的滑动特性寿命延长的良好结果。
在构成至少一个电极的透明导电膜1为添加氟或锑的氧化锡膜的场合，其表面算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm的理由如下。即，由这样构成的透明导电膜1，与氧化铟-氧化锡同样，如图11及12所示，输入时可迅速确保接触面积。当算术平均粗糙度(Ra)不到0.4nm或均方根粗糙度(Rms)不到0.6nm时成为明显的点状接触，接触面积少，使输入不正确(参见图5)。即使算术平均粗糙度(Ra)和均方根粗糙度(Rms)中的任一个在上述范围内也不能期望有合适、正确的输入。还有，在算术平均粗糙度(Ra)超过4.0nm或均方根粗糙度(Rms)超过3.0nm的场合，透明导电膜1的滑动特性受到恶劣影响而不被优选。
进一步说，中心线深度Rp与最大粗糙度Rmax之比Rp/Rmax取为0.55以下，构成上述表面形状的粒子的聚集体的断面变为台阶形状或矩形形状(参见图15、图16)。如图11和图12所示，得到了这样的形状就可以迅速确保输入时的接触面积，而且轻触输入时所发生的滑动特性也优异。由此就可确保非常稳定的输入。
为得到这样的形状，除了上述方法外，也可以在形成透明导电膜l之前先在基板上形成有所期望形状的底膜。
现在来说明与表面粗糙度有关的各种参数。首先，所说的平均线，是指测定曲线的挑选出部分中具有测定面的几何学形状的直线或曲线，且从该曲线到测定曲线成为最小均方差那样设定的线。中心线是指向粗糙度曲线的平均线引的平行直线，该直线与粗糙度曲线所围面积在此直线的两侧相等。
这里，算术平均粗糙度(Ra)是由如下方法算出的选取从粗糙度曲线到中心线方向的部分为测定长度(基准长度)l，把此选取部分的中心线作为X轴，其正交方向为Y轴，如图9所示那样，用y＝f(x)表示粗糙度曲线时，Ra=1l∫0′|f(x)|dx]]>表示粗糙度的另一参数是均方根粗糙度(Rms)，它是由在计算平均粗糙度的平均值方向上选取基准长度l、今此选取部分的平均线方向为X轴、其正交方向为Y轴时求出的标准偏差。虽然算术平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)都是数值比例表示表面的粗糙趋势，但两者之间没有一般成立的数学关系。Rms=Σ(Yi-Y-)2N]]>式中，Yi是相对于所选取部分的某局部的顶到底的高度、Y为所选取部分的各局部的顶到底的高度的平均值，N为基准长度l内的局部顶点的间隔个数。
下面是表示上述实施方案的具体实施例和与其作比较的比较例。
还有，如图10所示，中心线深度(Rp)表示在基准长度l内的最高点至平均线或中心线的深度。再是，本实施方案中，为修正膜的深度的影响，还使用了参数Rp/Rmax。Rmax指的是从断面曲线沿其平均线方向选取的基准长度l，用与平均线相平行的2条直线来夹此断面曲线时正交方向上的此2直线的间隔的测定值。进一步说，中心线深度(Rp)在其Rmax值相同而Rp值不同的面来说，它对考虑与接触部分的面积相关的耐摩耗性方面是有用的。即，Rp值越大，从最高点到平均线或中心线的深度越大，它表示了尖的形状，反之，Rp值小表示构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面接近于台阶形状或矩形形状。实施例1在有约5μm的丙烯酸类硬涂料的20μm厚的聚对苯二甲酸乙二酯膜上用溅射法在130℃成膜温度下形成作为透明导电膜的ITO膜，接着，在150℃左右的温度下进行退火，制成了平均结晶粒径(R)在40～60nm范围内分布的透明导电膜。把此膜的硬涂料面一侧以粘合层为中介，与预先在背面有约5μm的丙烯酸类硬涂料的125μm厚的聚对苯二甲酸乙二酯膜叠合。
以在两面涂敷有二氧化硅的1.1mm厚的玻璃作为底电极基板，设定基板温度为250℃，用溅射法形成厚度为15nm的作为透明导电膜的ITO膜。用原子力显微镜(株式会社岛津制作所制的SPM-9500)观察，其平均结晶粒径(R)在40～60nm范围分布。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，线既不歪也没断，可以稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为稳定的4.6V的值。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，跟初期的状态没有变化。而且，测定输入电压时，显示稳定的4.6V值，与初期的值完全没变，可以毫无问题地在轻触输入中使用。实施例2除成膜温度为100℃外，其他与实施例1一样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜。测得透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤1.2nm，均方根粗糙度(Rms)为0.8nm。还有，基准长度与使用的截止值相等，评价长度是在700nm得到的值。
把铟与锡的比调整为{Sn/(Sn+In)}×100＝20重量％那样的透明导电油墨组合物用前述的薄膜形成装置(日本写真印刷株式会社制的商标名为ォングストロ-マ-的联机型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的钠玻璃基板上。
把玻璃基板用热台进行预干燥后，用传送带式气氛分离炉在540℃烧结，接着在传送带式气氛分离炉中以含微量氢气的氮气氛中从540℃冷却至室温，得到厚度为10nm的透明导电膜。用原子力显微镜(株式会社岛津制作所制的SPM-9500)观察，其平均结晶粒径(R)在10～30nm范围内分布。
测得透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.15nm≤Ra≤0.29nm，均方根粗糙度(Rms)为0.39nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，线既不歪也没断，可以稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为稳定的4.5V的值。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，其后，测定输入电压时，显示与初期的值同样的4.5V的值，在轻触输入中也是毫无问题的。而且用格子输入来评价经15万字的连续输入试验后的输入状态，不产生断线，可以描绘出稳定的格子。实施例3除成膜温度为150℃、退火在150℃进行几小时外，与实施例1同样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜。平均结晶粒径(R)在40～100nm的范围内分布。测得透明导电膜的算术平均粗糙度(Ra)为1.1nm≤Ra≤2.3nm，均方根粗糙度(Rms)为0.9nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把铟与锡的比调整为{Sn/(Sn+In)}×100＝12重量％那样的透明导电油墨组合物，用前述的薄膜形成装置(日本写真印刷株式会社制的商标名为ォングストロ-マ-的联机型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的钠玻璃基板上。
把玻璃基板用热台进行预干燥后，用传送带式气氛分离炉在540℃烧结，接着在传送带式气氛分离炉中以含微量氢气的氮气氛中从540℃冷却至室温，得到厚度为20nm的透明导电膜。用原子力显微镜(精工电子工业株式会社制的SPI3600)观察，其平均结晶粒径(R)在40～60nm范围内分布。
测得透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤0.8nm，均方根粗糙度(Rms)为0.70nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，线既不歪也没断，可以稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为稳定的4.65V的值。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，其后，测定输入电压时，显示与初期的值同样的4.65V的值，在轻触输入中也是毫无问题的。实施例4除成膜温度为100℃外，与实施例1同样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜。测定透明导电膜的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤1.2nm，均方根粗糙度(Rms)为0.8nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把铟与锡的比调整为{Sn/(Sn+In)}×100＝10重量％那样的透明导电油墨组合物用前述的薄膜形成装置(日本写真印刷株式会社制的商标名为ォングストロ-マ-的联机型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的钠玻璃基板上。
把玻璃基板用热台进行预干燥后，用传送带式气氛分离炉在540℃将升温曲线控制在55℃/分的条件下进行烧结，接着在传送带式气氛分离炉中以含微量氢气的氮气氛中从540℃冷却至室温，得到厚度为10nm的透明导电膜。用原子力显微镜(株式会社岛津制作所制的SPM-9500)观察，其平均结晶粒径(R)在40～50nm范围内分布。
进而，测得透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤0.9nm，均方根粗糙度(Rms)为0.67nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。还有，Rp/Rmax为0.50，构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面呈台阶形状。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，线既不歪也没断，可以稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为稳定的4.55V的值。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，其后，测定输入电压时，显示与初期的值同样的4.5V的值，在轻触输入中也是毫无问题的。而且用格子输入来评价经15万字的连续输入试验后的输入状态，不产生断线，可以描绘出稳定的格子。比较例1除了省去退火工序外，与实施例1一样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜，其平均结晶粒径(R)在10～20nm范围内分布。用两面涂敷有二氧化硅的厚1.1mm的玻璃作为底电极基板，设定基板温度为150℃，用溅射法形成厚度为10nm的作为透明导电膜的ITO膜。用原子力显微镜(精工电子工业株式会社制的SPI3600)观察，其平均结晶粒径(R)在20～30nm范围内分布。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，发生断线和线歪，不能稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为4.3～4.4V的值且不稳定。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，跟初期的状态相比，线歪斜大且发生断线，还进一步观察到不能输入的地方。而且，测定输入电压时，得到比初期的值低的4.0～4.3V的值，不能在轻触输入中使用。比较例2与比较例1一样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜，其平均结晶粒径(R)在10～20nm范围内分布。测定透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1nm≤Ra≤0.25nm，均方根粗糙度(Rms)为0.55nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
用两面涂敷有二氧化硅的厚1.1mm的玻璃作为底电极基板，设定基板温度为80℃，用溅射法形成厚度为15nm的作为透明导电膜的ITO膜。用原子力显微镜(精工表面电子工业株式会社制的SPI3600)观察，其平均结晶粒径(R)在10～15nm范围内分布。透明导电膜的算术平均粗糙度(Ra)为0.1nm≤Ra≤0.22nm，均方根粗糙度(Rms)为0.35nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷，测定在加上5V的状态下的输入电压，显示为4.2～4.3V的值且不稳定。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，跟初期的状态相比，线歪斜大且发生断线，还进一步观察到不能输入的地方。而且，测定输入电压时，得到比初期的值低的3.7～4.0V的值，不能在轻触输入中使用。还有，用格子输入来评价经15万字的连续输入试验后的输入状态，检出部分3.9～4.1V的地方。比较例3与实施例3一样在聚对苯二甲酸乙二酯膜上形成透明导电膜。
把透明导电油墨组合物用薄膜形成装置(日本写真印刷株式会社制的商标名为ォングストロ-マ-的联机型)印刷在涂有二氧化硅的300mm×300mm×1.1mm的钠玻璃基板上。
把玻璃基板用热台进行预干燥后，用传送带式气氛分离炉在500℃烧结，接着在传送带式气氛分离炉中以含微量氢气的氮气氛中从500℃冷却至室温，得到厚度为10nm的透明导电膜。用原子力显微镜(精工电子工业株式会社制的SPI3600)观察，其平均结晶粒径(R)在10～30nm范围内分布。而且，测得透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.1nm≤Ra≤0.4nm，均方根粗糙度(Rms)为0.35nm。还有，基准长度与使用的截止值相等。评价长度是在700nm得到的值。
把上述膜和玻璃作为电极来制作透明触摸面板，用聚缩醛制的笔以总重量为20g那样的荷重作为负荷按格子状输入，发生断线和线歪，不能稳定输入。
而且，测定此透明触摸面板在加上5V的状态下的输入电压，显示为4.3～4.4V的值且不稳定。
进一步把此透明触摸面板进行60℃、相对湿度95％(RH)的耐湿热试验500小时，然后进行同样的格子输入试验，跟初期的状态相比，线歪斜大且发生断线，还进一步观察到不能输入的地方。而且，测定输入电压时，得到比初期的值低的4.0～4.3V的值，不能在轻触输入中使用。
由于本发明的透明触摸面板用透明导电膜及使用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法，是由上述内容所构成的，因此有以下的优异效果。
本发明的第1实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜，其表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。因此，成为晶粒聚集体致密排列且平滑性好的膜，可以在输入时迅速确保接触面积而适合于轻触输入。
本发明的第2实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样的积层透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜，它是由氧化铟-氧化锡膜所构成，而且是在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm那样构成的。因此，是一种以晶界等为代表的势垒少的稳定的氧化皮膜，并可降低对向基板上的透明导电膜接触时的接触电阻，达到稳定输入，可以适合于轻触输入。
本发明的第3实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜，它是由添加了氟或锑的氧化锡膜所构成，而且在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为80nm≤R≤400nm那样构成的。因此，是一种晶粒已生长的稳定的氧化皮膜，并可降低对向基板上的透明导电膜接触时的接触电阻，达到稳定输入，可以适合于轻触输入。
本发明的第4实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是按照第1或第2实施方案，由氧化铟-氧化锡膜构成的且表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm那样构成的。因此，成为晶粒聚集体致密排列且平滑性好的膜，可以在输入时迅速确保接触面积使轻触输入时的接触电阻小故适合于轻触输入。
本发明的第5实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是按照第1或第3实施方案，由添加了氟或锑的氧化锡膜所构成且表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。因此，可以在输入时迅速确保接触面积而适合于轻触输入。
本发明的第6实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是按照第1～5的任一实施方案，其中上述表面形状中，当以Rp表示中心线深度和Rmax表示最大粗度时，表现上述表面形状的参数(Rp/Rmax)成为0.55以下则使构成上述表面形状的晶粒聚集体的截面呈现台阶形状或矩形形状那样构成的。因此，这样得到的台阶形状或矩形形状可以在输入时迅速确保接触面积，而且轻触输入时发生的滑动特性也优异。由此，就可以在确保非常稳定的输入的同时延长作为开关所必须和不可缺少的滑动特性的寿命。
本发明的第7实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜是按照第1～6的任一实施方案，其中用使用凝胶-溶胶的涂布法或印刷法形成所构成的。因此，构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面成为台阶形状或矩形形状，故可以在输入时迅速确保接触面积，而且轻触输入时发生的滑动特性也优异，可以适合于轻触输入。
本发明的第8实施方案所涉及的透明触摸面板，它是将第1～7的任一实施方案中记载的透明导电膜设置在上述底电极和上述顶电极的至少一个电极的电极基板上，并构成该电极所构成的。因此，上述透明导电膜成为晶粒聚集体致密地排列，且平滑性也好的膜，并可以在输入时迅速确保接触面积，从而提供一种轻触输入优异的透明触摸面板。
本发明的第9实施方案所涉及的透明触摸面板，它是在上述底电极和上述顶电极的至少一个电极的电极基板上设有第1～7的任一实施方案中记载的透明导电膜并构成该电极所构成的。由此，上述透明导电膜，成为晶粒聚集体致密排列且平滑性也好的膜，可以在输入时迅速确保接触面积，从而提供一种轻触输入的优异透明触摸面板。
本发明的第10实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上所设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，它是由至少构成凝胶-溶胶材料的由铟和锡构成的有机金属氧化物所构成的、并通过使用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那样的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，形成表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm那样的氧化铟-氧化锡膜所构成的。因此，该方法能容易地得到适合于轻触输入的透明导电膜。
本发明的第11实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，它是用至少构成凝胶-溶胶材料的由铟和锡构成的有机金属氧化物所构成的、并通过使用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％那样的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法形成、并在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm那样的氧化铟-氧化锡膜所构成的。因此，本方法能容易地得到以晶界为代表的势垒少的稳定的透明导电膜。
本发明的第12实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，它是由使用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，并在凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结再继续进行还原烧结形成的表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm，均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm那样的氧化铟-氧化锡膜所构成的。因此，本方法能容易地得到适合于轻触输入的透明导电膜。
本发明的第13实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在底电极与顶电极之间用垫片隔开那样积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的、并构成此电极的透明导电膜的制造方法，它是由使用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，并在凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结，形成在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm那样的氧化铟-氧化锡膜所构成的。因此，能容易地得到以晶界为代表的势垒少的稳定的透明导电膜。
本发明的第14实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是按照第10或11实施方案，通过使用上述凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法来形成上述透明导电膜的场合，在把凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区内以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结形成上述透明导电膜所构成。因此，能稳定地得到适合于轻触输入的以晶界为代表的势垒少的稳定透明导电膜。
本发明的第15实施方案所涉及的透明触摸面板用透明导电膜，它是用由第10～14的任一实施方案中所记载的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法制造的透明触摸面板用透明导电膜所构成。因此，可以得到上述第10～14的任一实施方案所记载的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法的优点，从而可提供在输入时可迅速确保接触面积的适合于轻触输入的透明导电膜。
还有，当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为氧化铟-氧化锡膜、且控制其表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上时，就成为可确保接触面积而适合于轻触输入了。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为氧化铟-氧化锡膜时，若控制在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)在40nm≤R≤200nm，且其表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上时，由于可确保接触面积、在轻触输入时的接触电阻进一步减小而适合于轻触输入。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为氧化铟-氧化锡膜时，若控制其表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上且表示表面形状的下述参数在使构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面呈台阶形状或矩形形状的0.55以下时，则可确保接触面积、而且在轻触输入时发生的滑动特性优异，从而适合于轻触输入。其中，Rp/Rmax≤0.55时，Rp表示中心线的深度，Rmax表示最大的粗糙度，单位都是nm。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为添加了氟或锑的氧化锡膜时，若控制在表面所观察的金属氧化物的平面内平均结晶粒径(R)在40nm≤R≤400nm时，由于可以使轻触输入时的接触电阻Eb小故适合于轻触输入。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为添加了氟或锑的氧化锡膜时，若控制其表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上时，由于可确保接触面积而适合于轻触输入。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为添加了氟或锑的氧化锡膜时，若控制在表面所观察的金属氧化物的平面内平均结晶粒径(R)在40nm≤R≤400nm，且透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上时，由于在轻触输入时的接触电阻可进一步减小而且还可确保接触面积、并有优异的滑动特性，从而适合于轻触输入。
当本发明的透明触摸面板用透明导电膜或透明触摸面板中的至少一个基板上的透明导电膜为添加了氟或锑的氧化锡膜时，若控制在表面所观察的金属氧化物的平面内平均结晶粒径(R)在40nm≤R≤300nm，且透明导电膜表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)在0.6nm以上以及表示表面形状的下述参数在使构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面呈台阶形状或矩形形状的0.55以下时，由于可以迅速确保输入时的接触面积、在轻触输入时的接触电阻可进一步减小而且其轻触输入时发生的滑动特性也优异，从而适合于轻触输入。
本发明虽已参照附图对相关优选实施方案作了充分的记载，不过应该明白，熟悉本技术的人们可以作各种变形与修正。应该把这些变形与修正理解为它并不是在本发明的范围所附的权利要求范围之外，而是包含在其中的。
权利要求
1.一种透明触摸面板用透明导电膜，它是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置的并构成此电极的透明导电膜，其中，表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。
2.一种透明触摸面板用透明导电膜，它是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的并构成此电极的透明导电膜，其中，它是由氧化铟-氧化锡膜构成的、且在表面所观察的金属氧化物的平面内平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm。
3.一种透明触摸面板用透明导电膜，它是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板上设置的并构成此电极的透明导电膜，其中，它是由添加了氟或锑的氧化锡膜构成的、且在表面所观察的金属氧化物的平面内平均结晶粒径(R)为80nm≤R≤400nm。
4.权利要求1或2所记载的透明触摸面板用透明导电膜，它是由氧化铟-氧化锡膜构成的，且表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤2.0nm。
5.权利要求1或3所记载的透明触摸面板用透明导电膜，它是由添加了氟或锑的氧化锡膜构成的，且表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)为0.4nm≤Ra≤4.0nm、均方根粗糙度(Rms)为0.6nm≤Rms≤3.0nm。
6.权利要求1至5任一项所记载的透明触摸面板用透明导电膜，其中上述表面形状中，当以Rp表示中心线的深度、Rmax表示最大粗糙度时，其表现上述表面形状的参数(Rp/Rmax)成为0.55以下使构成上述表面形状的晶粒聚集体的断面呈台阶形状或矩形形状。
7.权利要求1至6任一项所记载的透明触摸面板用透明导电膜，它是用凝胶-溶胶材料由涂布法或印刷法所形成的。
8.一种透明触摸面板，它是将权利要求1至7的任一项所记载的透明导电膜设置在上述底电极(5)和上述顶电极(4)中的至少一个电极的电极基板上并构成此电极的透明触摸面板。
9.一种透明触摸面板，它是将权利要求1至7的任一项所记载的透明导电膜分别设置在上述底电极(5)和上述顶电极(4)中的2个电极的电极基板上并分别构成此电极的透明触摸面板。
10.一种透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置的并构成此电极的透明导电膜的制造方法，其中该膜是用至少由铟与锡构成的并已成了凝胶-溶胶材料的有机金属化合物所构成的、并通过使用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，形成表面形状中的算术平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化铟-氧化锡膜。
11.一种透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置的并构成此电极的透明导电膜的制造方法，其中该膜是用至少由铟与锡构成的凝胶-溶胶材料的有机金属化合物所构成的、并通过用铟与锡的构成重量比为5重量％≤{Sn/(In+Sn)}×100≤15重量％的凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，形成在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm之氧化铟-氧化锡膜。
12.-种透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置的并构成此电极的透明导电膜的制造方法，其中通过用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，在凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结，形成表面形状中的为算术平均粗糙度(Ra)0.4nm≤Ra≤3.0nm、均方根粗糙度(Rms)0.6nm≤Rms≤2.0nm的氧化铟-氧化锡膜。
13.一种透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，该方法是在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14，15)上设置的并构成此电极的透明导电膜的制造方法，其中通过用凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法，在凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结，形成在表面所观察的金属氧化物的平面内的平均结晶粒径(R)为40nm≤R≤200nm的氧化铟-氧化锡膜。
14.权利要求10或11所记载的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法，其中通过用上述凝胶-溶胶材料的涂布法或印刷法形成上述透明导电膜的场合中，在凝胶-溶胶材料涂布或印刷后经初步干燥，接着在200℃至400℃温度区以每分钟40℃～60℃的升温速度进行氧化烧结，再继续进行还原烧结形成上述透明导电膜。
15.由权利要求10至14任一项记载的透明触摸面板用透明导电膜的制造方法所制造的透明触摸面板用透明导电膜。
全文摘要
在由垫片(10)隔开的底电极(5)和顶电极(4)积层的透明触摸面板的至少一个电极的电极基板(14,15)上设置并构成此电极的透明导电膜中,表面形状中的算术平均粗糙度(R
文档编号G06F3/033GK1273650SQ99801082
公开日2000年11月15日 申请日期1999年7月6日 优先权日1998年7月6日
发明者面了明, 稻子吉秀, 松川阳介, 坂根正恭, 西川和宏 申请人:日本写真印刷株式会社