曲面触控显示模组及可穿戴设备的制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种曲面触控显示模组及采用该曲面触控显示模组的可穿戴设备。
【【背景技术】】
[0002]触控设备因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。
[0003]伴随近年来触摸屏在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触摸屏一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触摸屏主要是电阻式触摸屏和电容式触摸屏，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触摸屏作为其最佳首选设备。
[0004]在传统智能手机，如iphone等的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ΙΤΟ)。ΙΤ0的透光率很高，导电性能较好，广泛应用为目前触控面板与显示面板的导电电极材料。但ΙΤ0也有其明显的缺陷，ΙΤ0形成的导电电极很脆，缺乏柔韧性，不适用于如iwatch等曲面或柔性触摸屏上。
[0005]另外，在制造方法上，原来的ΙΤ0需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ΙΤ0的整体制作成本非常昂贵。而且，ΙΤ0薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ΙΤ0材料作为导电材料已无法不能应付市场的需求而逐渐被淘汰。
[0006]正因如此，产业界一直在致力于开发ΙΤ0的替代材料，其中纳米银线(silvernano wires,简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ΙΤ0成为优选的导电材料。SNW是诸多ΙΤ0替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ΙΤ0作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的曲面触控。
[0007]尽管纳米银线本身具有良好的耐曲挠性，但在纳米银线形成的导电薄膜用于曲面触控时，也必须妥善处理曲面应力对于纳米银线的影响。在纳米银线导电薄膜中，薄膜基材通常为微米级别，如125 μ m的PET，而形成在基材上的纳米银线厚度通常为纳米级别，如lOOnm，在对纳米银线导电薄膜弯曲时，即使弯曲程度很小，弯曲时产生的应力对于PET与纳米银线之间的附着，以及纳米银线之间的搭接都会产生较大的影响。尤其当这种应力为向外的拉应力时，其对于PET与纳米银线之间的附着，以及纳米银线之间的搭接影响更为严重。
[0008]同时，由于纳米银线的反光率比ΙΤ0高，采用纳米银线作为触控电极时，触控面板在视觉上会出现白雾现象，如果采用拉应力式的贴合方式，纳米银线离人眼更近，白雾现象更明显，从而影响触控面板的外观与透光度。
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【发明内容】
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[0009]为克服现有纳米银线替代ΙΤ0作为新的导电材料的诸多难题，本发明提供了一种可以解决所述难题的曲面触控显示模组及采用该曲面触控显示模组的可穿戴设备。
[0010]本发明解决技术问题的方案是提供一种曲面触控显示模组，包括一盖板，具有第一表面与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为触控面；一显单兀，包括偏光片和光学组件，所述偏光片位于所述第二表面与所述光学组件之间；一纳米银线导电层，设置于所述偏光片上且位于所述偏光片与所述光学组件之间；所述偏光片形变后，所述纳米银线导电层及所述偏光片的曲率大于0，所述纳米银线导电层被压缩。
[0011]优选地，所述偏光片的厚度与所述纳米银线导电层的厚度比大于100，所述偏光片形变后，纳米银线导电层压缩率为0-25%。
[0012]优选地，所述偏光片形变后，所述纳米银线导电层的导电率提高0-40 %。
[0013]优选地，所述偏光片的折射率为1.52-1.79。
[0014]优选地，纳米银线导电层的透光率至少为90%，雾度不超过5%，厚度为50nm-200nm，折射率为 1.35-1.8。
[0015]优选地，所述纳米银线导电层包括一基质及分布于基质上的多条纳米银线，所述多条纳米银线相互搭接形成导电网络，所述每条纳米银线的线长介于20-50 μ m，线径小于50nm，长宽比大于400。
[0016]优选地，还包括一高折射率粘合层，高折射率粘合层位于盖板和偏光片之间，所述高折射率粘合层的折射率为1.52-1.79，所述高折射率层的涂覆面积在纳米银线导电层表面上的涂覆率不低于50%。
[0017]优选地，还包括增粘层，设置于纳米银线导电层与偏光片之间，增粘层的膨胀系数小于偏光片的膨胀系数。
[0018]优选地，还包括透明绝缘的保护层，贴附于纳米银线导电层表面，包括透明的粘着材料以及透明的介电材料，粘着材料为感光性粘着剂或热固性粘着剂，介电材料选自聚亚酰胺、二氧化硅、氮硅氧化物、环氧树脂、亚克力聚合物之任意一种或其组合，所述保护层的折射率小于所述纳米银线导电层的折射率，所述纳米银线导电层的折射率小于偏光片的折射率。
[0019]一种可穿戴设备，包括驱动控制模组和如上所述的曲面触控显示模组，驱动控制模组电性连接该曲面触控显示模组。
[0020]与现有技术相比，本发明的曲面触控显示模组及采用该曲面触控显示模组的可穿戴电子设备的触控电极材料由传统的ΙΤ0材料替换为纳米银线材料，将导电效果更佳，成本更低，外观视觉效果更好的纳米银线更新换代到目前的曲面触控技术领域中，迎合并逐渐主导触控产品的发展方向，具有前瞻性与市场主导性的有益效果。
[0021]本发明的曲面触控显示模组主要应用在可穿戴式智能电子设备上，在使用环境上整个层状结构更容易弓I起微小的形变。本发明将显示单元的偏光片直接替代柔性的基材来承载纳米银线导电层，且纳米银线导电层位于偏光片的下方，本应该出现拉应力的纳米银线导电层变为借助偏光片形变而产生压应力。如此，由拉应力到压应力的转换，虽然在传统ΙΤ0的导电层上并不会起多大的效果，但是对于纳米银线导电层来说，其内部是有很多丝状的纳米银线溶入在基质中，导电性的最终体现即为内部多个纳米银线的相互搭接来实现的，搭接的优良程度除了与纳米银线的数量有关外，还与内部的紧密程度密切相关。当纳米银线导电层由于形变而承受压应力时，内部的多条纳米银线之间互相挤压搭接，使搭接强度和搭接密度增大，而致使导电率降得到大幅提高。在压应力的作用下，也会使得纳米银线导电层与偏光片相互更加靠近，从而增强两者之间的附着力，大幅降低纳米银线导电层与偏光片之间粘着性能要求。
[0022]从解决纳米银线雾度的角度来看，本发明将没有纳米银线导电层的偏光片的一面靠近触摸面，纳米银线导电层由通常结构的位于偏光片上方移至位于偏光片下方后，通过偏光片上方多层结构的覆盖，减低纳米银线导电层上纳米银线的光漫射，从而降低纳米银线导电层的雾度。另外，本发明将粘合层材料进行改进，选用高折射率的粘合层-0CA胶来粘接上层的盖板和偏光片，高折射率粘合层位于纳米银线材料的纳米银线导电层之上，可以有效降低纳米银线导电层的反射，解决纳米银线雾度明显的问题。同时，用高折射率的0CA胶无需额外增加高折射率层，也有利于降低曲面触控显示模组的厚度，取得轻薄化的效果。
[0023]从产品轻薄化的角度来看，本发明第四实施例采用混合材质制成的保护层，该保护层兼具粘着性和光学处理特性，在层体结构上不再需要单独的高折射率粘合层，和处理雾度问题的光学处理层，从而可以降低屏体的整体厚度，实现产品轻薄化的同时还能解决纳米银线导电层的雾度问题。
[0024]本发明的更优实施例五将偏光片做成具有一定折射率的要求后来承载纳米银线导电层，省去多余的光学处理层状结构，直接通过偏光片一方面对纳米银线导电层进行光学处理，解决其雾度问题，一方面在其下表面承载纳米银线导电层，省去光学处理层和基材，降低产品整体厚度并符合轻薄化的需求。如此，一举两得，成为最优解决方案。
【【附图说明】】
[0025]图1是本发明纳米银线薄膜的截面结构示意图。
[0026]图2是本发明纳米银线薄膜的平面示意图。
[0027]图3是本发明第一实施例曲面触控显示模组的爆炸结构示意图。