实施例中的掩膜板41为灰阶掩膜板，或为半阶掩膜板。掩膜板41包括全透光区411、部分透光区412和完全不透光区413，本发明具体实施例中的部分透光区412以透过的光线为50%为例进行介绍，图中的箭头方向表示光线的传播方向。
[0042]优选地，本发明具体实施例中的有机膜层33为负性曝光胶，负性曝光胶被光照射的部分在显影过程中被保留下来，没被光照射的部分在显影过程中被去掉。如图4所示，采用掩膜板41对有机膜层33进行曝光以及显影，在掩膜板41的全透光区411对应区域形成有机膜层完全保留区，在掩膜板41的部分透光区412对应区域形成有机膜层部分保留区，在掩膜板41的完全不透光区413对应区域形成有机膜层去除区，如图5所示，有机膜层完全保留区和有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层51，有机膜层去除区对应后续制作的桥接层与第一电极31的接触区，有机膜层部分保留区对应后续需要形成桥接层的区域，有机膜层完全保留区对应衬底基板上其它需要设置有机膜层的区域，需要设置有机膜层的区域根据实际产品的需要进行设置。
[0043]如图6所示，在制作有第一有机膜层51的衬底基板上沉积一导电层61，具体实施时，本发明具体实施例沉积的导电层61为透明导电层，优选地，该透明导电层为ITO的单层膜，或为IZO的单层膜，或为ITO和IZO的复合膜层。若本发明具体实施例中的衬底基板10为形成阵列基板的衬底基板时，导电层61可以与像素电极同层制作，也可以与公共电极同层制作，还可以通过单独沉积的透明导电层制作形成，当与像素电极或公共电极同层制作时，能够节省工艺流程，降低生产成本。
[0044]在具体实施时，本发明具体实施例沉积的导电层61还可以为金属导电层，优选地，本发明具体实施例中的导电层61为钼(Mo)、铝(Al)等金属的单层膜或复合膜。若本发明具体实施例中的衬底基板10为形成阵列基板的衬底基板时，导电层61可以与栅极同层制作，也可以与源极和漏极同层制作，还可以通过单独沉积的金属层制作形成，当与栅极或源极和漏极同层制作时，能够节省工艺流程，降低生产成本。
[0045]如图7所示，在导电层61上涂覆光刻胶71，优选地，本发明具体实施例中的光刻胶71为正性曝光胶，当然，在实际生产过程中，涂覆的光刻胶还可以为负性曝光胶，本发明具体实施例的光刻胶71仅以正性曝光胶为例进行介绍。通过掩膜板41进行曝光以及显影，正性曝光胶被光照射的部分在显影过程中被去掉，没被光照射的部分在显影过程中被保留下来，光刻胶71在掩膜板41的全透光区411对应区域形成光刻胶去除区，在掩膜板41的部分透光区412对应区域形成光刻胶部分保留区，在掩膜板41的完全不透光区413对应区域形成光刻胶完全保留区，如图8所示，光刻胶完全保留区对应导电层61与第一电极31接触的区域，光刻胶部分保留区对应需要形成桥接层的区域，光刻胶去除区对应衬底基板上其它不需要设置导电层的区域，该区域根据实际产品的需要进行设置。
[0046]接着，如图9所示，对图8所示的衬底基板进行刻蚀，去除未被光刻胶71覆盖区域的导电层，优选地，本发明具体实施例通过湿法刻蚀去除未被光刻胶71覆盖区域的导电层，然后去除光刻胶，形成桥接层91。
[0047]本发明具体实施例通过一张掩膜板即可完成触控面板中第一有机膜层和桥接层的制作，与现有技术在制作第一有机膜层和桥接层时需要两张不同的掩膜板相比，本发明具体实施例可以减少掩膜板的数量，简化制作流程，提高生产效率，降低生产成本。另外，由于在制作第一有机膜层和桥接层时采用同一张掩膜板，第一有机膜层和桥接层的对位更加精准。
[0048]优选地，如图10所示，本发明具体实施例触控面板的制作方法还包括，通过构图工艺在制作有第一有机膜层51和桥接层91的衬底基板上制作第二有机膜层52，第二有机膜层52的制作能够对该第二有机膜层52下面的膜层起到较好的保护作用。
[0049]本发明具体实施例还提供了一种触控面板，该触控面板为采用上述方法制作得到的触控面板，触控面板的具体结构参见图10所示。
[0050]本发明具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的触控面板，该显不装置可以为液晶面板、液晶显不器、液晶电视、有机发光一■极管(Organic LightEmitting D1de，0LED)面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
[0051]综上所述，本发明具体实施例提供一种触控面板的制作方法，包括:在衬底基板上通过构图工艺制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极在交叉位置处断开;沉积一层有机膜层，通过一掩膜板形成有机膜层完全保留区、有机膜层部分保留区和有机膜层去除区，有机膜层去除区对应后续制作的桥接层与第一电极或第二电极的接触区，有机膜层部分保留区对应后续需要形成桥接层的区域，有机膜层完全保留区和有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层;沉积一导电层，在导电层上涂覆光刻胶，通过掩膜板形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区，光刻胶完全保留区对应导电层与第一电极或第二电极接触的区域，光刻胶部分保留区对应需要形成桥接层的区域;对完成上述步骤的衬底基板进行刻蚀以及去除光刻胶，形成桥接层。本发明具体实施例在制作第一有机膜层和桥接层时，仅需要采用一张掩膜板，与现有技术在制作第一有机膜层和桥接层时需要两张不同的掩膜板相比，本发明具体实施例可以减少掩膜板的数量，简化制作流程，提高生产效率，降低生产成本。
[0052]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种触控面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 在衬底基板上通过构图工艺制作第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极在交叉位置处断开； 沉积一层有机膜层，通过一掩膜板形成有机膜层完全保留区、有机膜层部分保留区和有机膜层去除区，所述有机膜层去除区对应后续制作的桥接层与第一电极或第二电极的接触区，有机膜层部分保留区对应后续需要形成桥接层的区域，所述有机膜层完全保留区和所述有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层； 沉积一导电层，在所述导电层上涂覆光刻胶，通过所述掩膜板形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区，光刻胶完全保留区对应导电层与第一电极或第二电极接触的区域，光刻胶部分保留区对应需要形成桥接层的区域； 对完成上述步骤的衬底基板进行刻蚀以及去除光刻胶，形成桥接层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为透明电极;或，所述第一电极和所述第二电极为金属电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导电层为透明导电层;或，所述导电层为金属导电层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底基板为形成阵列基板的衬底基板，当所述第一电极和所述第二电极为透明电极时，所述第一电极和所述第二电极与像素电极同层制作，或与公共电极同层制作； 当所述第一电极和所述第二电极为金属电极时，所述第一电极和所述第二电极与栅极同层制作，或与源极和漏极同层制作。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底基板为形成阵列基板的衬底基板，当所述导电层为透明导电层时，所述导电层与像素电极同层制作，或与公共电极同层制作； 当所述导电层为金属导电层时，所述导电层与栅极同层制作，或与源极和漏极同层制作。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机膜层为负性曝光胶，所述光刻胶为正性曝光胶。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述掩膜板为灰阶掩膜板，或为半阶掩膜板。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括:通过构图工艺在制作有所述第一有机膜层和所述桥接层的衬底基板上制作第二有机膜层。9.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板为采用权利要求1-8任一权项所述方法制作得到的触控面板。10.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的触控面板。
【专利摘要】本发明公开了一种触控面板及其制作方法、显示装置，用以减少掩膜板的使用，降低生产成本。触控面板的制作方法包括：在衬底基板上通过构图工艺制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极在交叉位置处断开；沉积一有机膜层，通过一掩膜板形成有机膜层完全保留区、有机膜层部分保留区和有机膜层去除区，有机膜层去除区对应桥接层与第一电极或第二电极的接触区，有机膜层部分保留区对应桥接层区域，有机膜层完全保留区和有机膜层部分保留区对应的有机膜层形成第一有机膜层；沉积一导电层，在导电层上涂覆光刻胶，通过掩膜板形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区；对完成上述步骤的衬底基板进行刻蚀以及去除光刻胶，形成桥接层。
【IPC分类】G06F3/041, G06F3/044
【公开号】CN105677123
【申请号】CN201610016241
【发明人】万云海, 王文龙, 马涛, 操彬彬, 杨成绍
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月11日