专利名称：聚酯薄膜和记录带的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种聚酯薄膜。进一步，本发明涉及作为磁记录介质用聚酯薄膜、或光记录带用聚酯薄膜优选使用的记录介质用聚酯薄膜。本发明的聚酯薄膜，特别优选作为使数码摄像机摄像带用、数据存储带用等记录数字数据的强磁性金属薄膜型磁记录介质的重放输出、重复重放时的耐久性提高的磁记录用介质用聚酯薄膜使用。
背景技术：
在1995年被实用化的民用数码摄像带，是在厚度为6～7μm的带基薄膜上通过真空蒸镀设置Co的金属磁性薄膜，在其表面涂布有金刚石状碳膜。民用数码摄像带是在使用DV微型带的照相机一体型的摄像机时，在基本规格下(SD规格)具有1小时的录像时间。
该数码摄像机(DVC)是世界上最初的家用数码摄像机，在下述方面在市场上获得很高的评价。(1)虽然机身很小，但是可以记录庞大的信息。(2)由于信号不劣化、经过很多年画质·音质也不劣化。(3)由于不受杂音的妨碍，能享受到高画质·高音质。(4)即使重复配音，图像也不劣化。
作为民用数码摄像带的带基薄膜，可以使用下述记载的聚酯薄膜。
①由聚酯薄膜、和在该薄膜的至少一面上粘合的聚合物共混体和粒径50～500埃的微细粒子作为主体的不连续被膜构成的，在该不连续被膜中含有水溶性聚酯共聚物、通过微细粒子在不连续被膜上形成了微细突起的聚酯薄膜(特公昭63-57238号公报)。
②作为磁性层的底涂膜，在聚酯薄膜的表面上涂布含有平均粒径0.1μm或以下的微粒子的连续薄膜，在该薄膜中存在有微粒子产生的微小突起、和只由粘合剂树脂产生的微小突起的聚酯薄膜(特开平5-287101号公报)。
③作为磁性层的底涂膜，在聚酯薄膜的表面上涂布含有平均粒径0.1μm或以下的微粒子的连续薄膜，在该薄膜中存在平均粒径不到0.06μm微粒子产生的微小突起、和平均粒径0.06μm或以上的微粒子产生的大突起、和只由粘合剂树脂产生的微小突起的聚酯薄膜(特开平5-298670号公报)。
2001年秋天，上市了更小型、轻量的摄像机，作为携带方便、不经过个人电脑可以直接和网络连接的照相机一体型的摄像机，出现了新的摄像机规格。该新摄像机规格是和MICRO MV规格的DV微型带相比体积比为30％大小、具有1小时录像时间的视频规格。该视频规格是使用和DVC相同的蒸镀带的数码记录。该视频规格的图像压缩方式不是DVC规格的DV压缩，是MPEG2压缩，带宽在6.35mm到3.8mm、最短记录波长在0.49μm到0.29μm、磁道间距在DV的10μm、DVLP的6.7μm到5μm内变化，被大幅度地高密度化。该新视频规格用的蒸镀带的磁性层被大幅度薄膜化，DVC的Co氧化膜厚度为160～220nm、在MICRO MV带中Co氧化膜厚度为50nm、被大幅度地薄膜化。
通过新视频规格，可进行高密度记录、重放的理由是在重放中采用了硬盘中的MR磁头(磁阻头)。
但是，MR磁头是利用了在金属薄膜中一旦施加磁场其电阻值将变化的现象的磁头，虽然重放输出大、但是可以判断出具有以下的缺点。
由上述①的聚酯薄膜制作的MICRO MV带极容易产生图像缺陷(信号遗失)。另外，由上述①的聚酯薄膜制作的MICRO MV带、MR磁头的行走寿命急剧缩短为连续重放100小时左右，需要频繁地换MR磁头。
而且，由上述②或③的聚酯薄膜制作的MICRO MV带极容易产生图像缺陷(信号遗失)。
进一步，使用上述③的聚酯薄膜时，在连续重放10小时左右时需要频繁地换MR磁头。
发明内容
本发明的聚酯薄膜是为了解决上述问题点，在制造即使是作为MICRO MV带等的磁道间距6μm或以下的被大幅高密度化的数码记录用磁带时、也图像缺陷(信号遗失)少、很难使MR磁头磨损的磁带时适宜使用的聚酯薄膜。
进一步，本发明的记录带是形成即使被大幅高密度化作为数码记录用磁带时，图像缺陷(信号遗失)也少、很难使MR磁头磨损的磁带的记录带。
本发明的聚酯薄膜是在聚酯薄膜的单侧表面上形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜，被膜中的有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2～1∶5.0、被膜表面的表面突起直径为20～60nm，被膜表面的表面突起的个数为300万～1亿个/mm2、并且被膜表面的表面粗糙度Ra为0.5～1.9nm为特征的聚酯薄膜。本发明的聚酯薄膜优选在被膜表面中高度为20nm或以上的表面突起的个数为1000个/mm2或以下，表面突起的聚集程度为不到10％的聚酯薄膜。
具体实施例方式
本发明中的聚酯是通过分子取向成为高强度薄膜的聚酯。本发明中的聚酯优选其构成成分的80％或以上为对苯二甲酸乙二醇酯或萘二甲酸乙二醇酯的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚-2，6-萘二甲酸乙二醇酯。在本发明的聚酯中，作为对苯二甲酸乙二醇酯、萘二甲酸乙二醇酯以外的聚酯共聚物成分，可以列举，例如，一缩二乙二醇、丙二醇、新戊二醇、聚乙二醇、对苯二甲醇、1，4-环己烷二甲醇等的二醇成分，己二酸、癸二酸、苯二甲酸、间苯二甲酸、5-钠磺基间苯二甲酸等的二羧酸成分，偏苯三酸、均苯四甲酸等的多官能二羧酸成分，对羟基乙氧基苯甲酸等。
进一步，本发明中的聚酯，另外也可以在不超过5重量％的程度混合与聚酯非反应性的磺酸的碱金属盐衍生物，在该聚酯中实质不溶的聚亚烷基二醇等中的至少一种。
在本发明的聚酯薄膜的单侧表面上，形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜，该被膜中有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2～1∶5.0、被膜表面的表面突起直径为20～60nm，其个数为300万～1亿个/mm2，该被膜表面的表面粗糙度Ra为0.5～1.9nm。
在本发明的聚酯薄膜的单侧表面的含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜中，有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比优选为1∶0.8～1∶3.2、被膜表面的表面突起直径为25～45nm、被膜表面的表面突起的个数优选为500万～8000万个/mm2、被膜表面的表面粗糙度Ra优选为0.7～1.6nm。
本发明的聚酯薄膜，由于微细的表面突起，记录·重放时磁头产生的在被膜表面上真空蒸镀形成的强磁性金属薄膜层的磨损减少。而且，本发明聚酯薄膜的微细的表面突起由于是通过有机化合物微细粒子形成的，在磁带重放时MR磁头难于被磨削。
若聚酯薄膜单侧表面的表面突起的直径小于20nm、或者聚酯薄膜单侧表面的表面突起的个数少于300万个/mm2，则磁带的磁性层表面过于平滑、强磁性金属薄膜层变得过于平滑，磁带与磁头的移动耐久性降低。若聚酯薄膜单侧表面的表面突起的直径大于60nm、或聚酯薄膜单侧表面的表面突起的个数多于1亿个/mm2，则磁带的磁性层表面过于粗糙，磁带的信号遗失增加。
有机化合物的量若比聚酯薄膜单侧表面的被膜中的有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2还少，则有机化合物微细粒子不能均匀地存在于薄膜的表面上，有机化合物微细粒子容易聚集，有机化合物微细粒子的聚集体在磁带重放时容易磨削MR磁头。相反地，若有机化合物的量比聚酯薄膜单侧表面的被膜中的有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶5.0还多，则有机化合物微细粒子被埋入有机化合物被膜中，突起的高度变小，磁带的磁性层表面变平滑，强磁性金属薄膜层变得过于平滑，磁带与磁头的行走耐久性降低。
若聚酯薄膜单侧表面的被膜表面的表面粗糙度Ra小于0.5nm、则磁带的磁性层表面过于平滑、强磁性金属薄膜层变平滑，磁带与磁头的行走耐久性降低。若表面粗糙度Ra大于1.9nm、则磁带的磁性层表面过于粗糙，磁带的信号遗失增加。
在本发明的聚酯薄膜单侧表面上形成的表面突起的高度优选为不到20nm的微细表面突起，更优选为16nm或以下。表面突起的高度不到20nm，意味着表面突起中大多数以上高度不到20nm，高度在20nm或以上的表面突起的个数在1000个/mm2或以下。进一步优选，高度在20nm或以上的表面突起的个数在630个/mm2或以下。若高度在20nm或以上的表面突起存在多于1000个/mm2，则制造的磁带的磁性层表面过于粗糙，磁带的信号遗失有增加的倾向，不优选。
而且，在本发明的聚酯薄膜单侧表面上形成的表面突起的聚集度优选不到10％，更优选在5％或以下。若聚集度在10％或以上，则聚集体在磁带重放时容易磨削MR磁头，不优选。
构成在本发明的聚酯薄膜单侧表面上形成的被膜的有机化合物，优选由纤维素衍生物和氟系表面活性剂组成。纤维素衍生物和氟系表面活性剂的重量比优选为100∶1～100∶25，更优选为100∶2～100∶10。
本发明的聚酯薄膜优选通过在被膜中配合纤维素衍生物，可以抑制在聚酯薄膜中存在的聚酯寡聚物经过一段时间向薄膜表面析出寡聚物。进一步，通过配合氟系表面活性剂，由有机化合物微细粒子形成的表面突起不聚集、可以分散性良好地在薄膜表面均匀地形成，而且，可以防止被膜表面和薄膜相反侧表面之间的粘连、所以优选。
在本发明的聚酯薄膜的被膜中的氟系表面活性剂的使用量，若纤维素衍生物和氟系表面活性剂的重量比在100∶1或以上，则有机化合物微细粒子难于聚集，难于通过聚集体在磁带重放时磨削MR磁头，而且难于引起被膜和薄膜相反侧表面之间的粘连，磁带的信号遗失很难增加，所以优选。氟系表面活性剂的使用量，若纤维素衍生物和氟系表面活性剂的重量比在100∶25或以下，则薄膜和被膜的粘结强度增加，被膜难于剥离，作为磁带，在与磁头相对移动时，磁性层作为总体难于从聚酯表面剥离，所以优选。
作为本发明的聚酯薄膜的被膜中的纤维素衍生物，可以使用甲基纤维素、羧甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素、醋酸纤维素、羟乙基甲基纤维素等。
作为本发明的聚酯薄膜的被膜中的氟系表面活性剂，可以使用在分子内具有氟元素的表面活性剂，可以使用非离子系、阴离子系、阳离子系、两性表面活性剂中的任一种。作为氟系表面活性剂，例如，具有全氟烷基的表面活性剂、表面活性剂分子中的氢原子全部或一部分被氟原子取代的表面活性剂，进一步，在这些表面活性剂中、混合了乙烯-四氟乙烯共聚物、聚四氟乙烯、氟化钾等氟化合物等，任一种均可。具体地说，虽然可以使用全氟烷基磺酸盐、全氟烷基碳酸盐、全氟烷基环氧乙烷加成物、全氟烷基三甲基铵盐、全氟烷基氨基磺酸盐等的含全氟烷基的氟系表面活性剂等，但是并不限于此。
作为在本发明的聚酯薄膜表面上形成表面突起的有机化合物微细粒子，可以使用聚丙烯酸、聚苯乙烯、聚乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚环氧树脂、聚醋酸乙烯酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物、丙烯酸系共聚物、各种改性丙烯酸系树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、各种改性苯乙烯-丁二烯共聚物等的有机化合物粒子，或者，二氧化硅、氧化铝、碳酸钙等的无机粒子作为核，用有机高分子被覆的粒子等，但是并不限于这些。有机化合物优选末端基团用环氧、胺、羧酸、羟基等改性的自身交联性的物质。
为了防止在聚酯薄膜的加工、处理时在薄膜上产生缺陷，优选在本发明的聚酯薄膜表面的被膜中进一步配合有机硅化合物。进一步，通过提高被膜的平滑性、赋予光滑性来防止产生缺陷，优选有机硅化合物的配合量为纤维素衍生物氟系表面活性剂有机硅化合物的重量比是100∶[1～25]∶
的比例的量。作为有机硅化合物，可以使用例如、聚二甲基硅氧烷。
本发明的聚酯薄膜的形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜表面的相反侧的表面的Ra值优选为8～50nm，更优选为10～45nm。形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜表面的相反侧的表面的Ra值若为8～50nm，制成聚酯薄膜后，将聚酯薄膜切割为规定宽度时，容易取得卷姿好的制品，通过在聚酯薄膜的单侧被膜表面上设置强磁性薄膜后卷绕成辊状，可以将单侧表面B的粗糙度被转印到相反侧的表面上，而后在强磁性薄膜层上的波浪状变形的发生控制在最小限度。
在本发明的聚酯薄膜的形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜表面的相反侧表面上，虽然优选通过设置比形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜的表面粗糙的被覆层，但是没有特别的限制。在形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜的表面的相反侧表面上，优选使用含有聚硅氧烷等润滑剂的被覆层、或者含有更大微细粒子的聚酯薄膜层被层压形成的层、或者进一步在其上设置了上述被覆层的层。作为这里使用的微细粒子，可以列举碳酸钙、二氧化硅、氧化铝、聚苯乙烯等。作为微细粒子，优选使用平均粒径100～1000nm、更优选使用110～900nm的粒子，作为添加量，优选为0.05～1.0重量％、更优选为0.08～0.8重量％。
本发明的聚酯薄膜优选薄膜厚度不到10μm，进一步优选厚度为3.5～9.0μm。
本发明的聚酯薄膜优选在记录介质、更优选在磁记录介质、或光记录介质中使用。
为了在磁记录介质中使用本发明的聚酯薄膜，在单侧被膜面上设置强磁性金属薄膜层。进一步，优选在与设置有强磁性金属薄膜层的表面相反的表面上设置通过涂布固体微粒子和粘合剂形成的以及根据需要加入了各种添加剂的溶液形成的背面涂层。背面涂层中使用的固体微粒子、粘合剂、添加剂可以使用公知的，没有特别的限制。背面涂层的厚度优选为0.3～1.5μm左右。
下面，说明本发明的聚酯薄膜和磁记录带的制法的一例。
本发明的聚酯薄膜，作为其单侧表面(以下，称为A面)的原料使用尽可能除去了含有粒子的聚酯、通过熔融、成形、双轴拉伸、热定形组成通常的塑料薄膜制造工序来制造。本发明的聚酯薄膜是在其拉伸工序中，在90～140℃下、纵方向上拉伸2.7～5.5倍，横方向上拉伸3.5～7.0倍，在190～220℃的温度下热定形。进一步，通过进行下述操作可以制造聚酯薄膜。
(1)在一方向上拉伸后平滑的聚酯薄膜的A面侧，涂布含有有机化合物微细粒子0.5～12.0重量％、优选为0.6～10.0重量％，作为有机化合物含有纤维素衍生物和氟系表面活性剂的涂布液在表面A侧形成被覆层、在表面A侧形成表面突起。有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2～5.0，纤维素衍生物和氟系表面活性剂的重量比为100∶1～25。该表面突起的个数、被膜表面的表面粗糙度可以通过调整微细粒子的种类、平均粒径、固体成分涂布浓度来调节。
(2)用以下的方法，可以实现实质上没有高度在20nm或以上的表面突起，使表面突起的聚集度为10％或以下。
通过作为被膜中的微细粒子使用有机粒子，使涂布液中的有机微细粒子的重量浓度为45重量％或以下，可以使表面突起的聚集度为10％或以下。
表面突起的高度通过使用平均粒子径为10～55nm、玻璃化转变温度为0～90℃的有机粒子，在有机粒子的玻璃化转变温度或以上的温度下进行横向拉伸，调整涂布时的有机粒子的粒子径、有机粒子的玻璃化转变温度、拉伸温度可以进行控制。若在有机化合物的玻璃化转变温度或以上的温度下进行涂布后的拉伸，则拉伸时该微细粒子容易发生流动、微细粒子的直径增大、高度降低，表面突起的高度可以达到在20nm或以下。
使用共挤出技术，也可以使用上述A层用的原料、和积极地使其含有更大微粒子的B层用原料，熔融挤出A/B层压薄膜来制膜。另外，也可以不使用B层，在与上述表面A侧相反的表面B侧上涂布含有润滑剂的涂布液，在B面侧上进行易滑处理。或者，也可以使用B层，进一步涂布含有润滑剂的涂布液进行B面侧的易滑处理。
双轴拉伸可以用，例如依次双轴拉伸法、同时双轴拉伸法进行。另外，按照需要，在热定形前、进一步在纵或横方向、或者纵和横方向上进行再拉伸，提高机械强度，进行所谓的强力型的双轴拉伸。
本发明的聚酯薄膜，作为读取头使用MR磁头的磁记录介质的带基薄膜，特别是若在数码录像带用途、或在数据存储带用途中使用，将成为具有优异性能的磁记录介质，所以比较适合。
另外，若在本发明的聚酯薄膜上形成由光反应性的Ge、Sb、Te等形成的图像数据记录用合金薄膜，可适合作为可进行图像数据等的记录的光记录带的带基薄膜使用。
本发明的记录带作为磁记录带使用时，是在本发明的聚酯薄膜的表面A上设置通过真空蒸镀形成的强磁性金属薄膜层，然后裁成为带状的产品。作为磁记录带使用时，使用的金属薄膜可以使用公知的金属薄膜、虽然没有特别的限制，但是优选使用由铁、钴、镍、或它们的合金的强磁性体构成的金属薄膜。为了防止MR读取输出饱和，金属薄膜层的厚度优选为20～70nm。若金属薄膜层的厚度低于20nm，则来自磁带的重放输出信号过弱，存在不能读取记录信号的情况。若金属薄膜层的厚度超过70nm，则重放输出信号过强，存在MR磁头读取信号强度饱和，不可能读取记录的情况，所以不优选。
本发明的记录带，作为磁记录带使用时，是在本发明的聚酯薄膜单侧表面的被膜上，例如，通过真空蒸镀形成膜厚2070nm左右的由Co等构成的强磁性金属薄膜，在该金属薄上涂布10nm左右厚的金刚石状碳膜，进一步在其上涂布润滑剂，另外，在另一单侧表面上通过涂布由固体微粒子和粘合剂组成的，按照需要加入了各种添加剂的溶液，设置背面涂层，然后，可以通过切割成规定的带宽来进行制造。
本发明的聚酯薄膜是可以制造画质良好、不损伤MR磁头、且移动耐久性良好的MR磁头对应的磁带的磁记录介质用聚酯薄膜。本发明是对摄像机的MR磁头的搭载实用化有效的发明。
进一步，本发明的聚酯薄膜也可以适合作为光记录带的带基薄膜使用。实施例在本实施例中使用的测定方法如下所示。(1)薄膜上的表面突起的直径通过扫描型电子显微镜，在5万倍的放大倍数下从5个视野观察薄膜表面，从各视野随机选取10个能看到突起状的突起，将各突起的最大直径、最小直径的平均值作为各突起的直径，将50个突起的直径的平均值作为薄膜上的表面突起的直径。(2)薄膜上的表面突起的个数通过扫描型电子显微镜，在5万倍的放大倍数下从10个视野或以上观察薄膜表面，通过算出每1mm2能看到突起状突起的个数，测定薄膜上的表面突起的个数。(3)薄膜上的表面突起的聚集度与上述(2)记载的薄膜上的表面突起的个数相同地进行观察，求出能看到突起状的突起，相邻的突起之间接触的、和在突起的最大直径1/4或以下左右的距离接近的突起总数，除以总突起个数，其100倍的值作为薄膜上的表面突起的聚集度。(4)薄膜上的高度20nm或以上的表面突起的个数使用原子间力显微镜(扫描型探针显微镜)测定薄膜上的高度为20nm或以上的表面突起的个数。使用セイコ インスツルメント公司制的桌上小型探针显微镜(Nanopics 1000)，用转储方式(dumping mode)在40μm方块的范围内对薄膜表面进行原子间力显微镜测量扫描。通过得到的表面轮廓曲线制作Z轴方向剖面图，最小高度为0nm、求高于20nm的突起个数、换算成每1mm2的个数，作为薄膜上的高度在20nm或以上的表面突起的个数。面内方向的放大倍数为5千倍左右，高度方向的放大倍数为100万倍左右。n为5。另外，本测定方法的可测定高度约为100nm。(5)Ra值使用(4)中记载的原子间力显微镜(扫描型探针显微镜)测定薄膜的表面粗糙度Ra值。但是，测定面积为4μm方块的范围，通过得到的表面轮廓曲线，计算出相当于JIS·B0601·Ra的算术平均粗糙度，求出Ra。面内方向的放大倍数为1万～5万倍、高度方向的放大倍数为100万倍左右。(6)磁带的特性将磁带(MICRO MV带)使用市售的MICRO MV方式摄像机(MICRO MV摄像机)在安静的室内进行录像，通过数经过1分钟的重现，在画面中表现出的马塞克的个数(信号遗失(DO)个数)，评价磁带的特性。
首先调查在常温(25℃)下磁带制造后的初期特性，将其作为初期的DO个数。接着，经过全长重复磁带的再现200次，测定第200次的DO个数，进一步，评价MICRO MV带的信号遗失级、移动耐久性、对于重放磁头的磨损特性。
下面，基于实施例对本发明进行说明。
将实质不含非活性粒子的聚对苯二甲酸乙二醇酯原料A、和在同一聚对苯二甲酸乙二醇酯中含有0.20重量％的平均粒径300nm的硅酸铝的原料B以厚度比5∶1的比例共挤出，使其粘合在冷却辊上，薄片化，用辊拉伸法在110℃下纵向拉伸3.0倍。
在纵向拉伸后的工序中，在单侧表面A的外侧涂布下述组成的水溶液使固体成分涂布量达到16mg/m2。
对A面外侧的涂布水溶液甲基纤维素0.05重量％氟系表面活性剂(α-全氟壬烯基氧基-ω-甲基聚环氧乙烷/氟化钾/乙二醇单叔丁基醚＝10/0.3/60重量％的混合物)0.002重量％氨基改性硅酮0.01重量％平均粒径23nm的聚苯乙烯球(玻璃化转变温度107℃、固体成分10重量％、乳液状态)0.034重量％然后，用拉幅机，在110℃下在横方向上拉伸4.2倍，在215℃进行热处理，将其卷在中间卷轴上，用剪切机切成窄幅，在圆筒芯上卷成辊状，制造厚度6.3μm的聚酯薄膜。
在聚酯薄膜的表面A的被膜上，通过真空蒸镀形成50nm膜厚的钴-氧薄膜。接着，在钴-氧薄膜上，通过溅射法形成10nm厚的金刚石状碳膜、涂布3nm厚的含氟脂肪酸酯系润滑剂。然后，在表面B上，设置500nm厚的由碳黑、聚氨酯、硅酮组成的背面涂层，用剪切机切割为宽度3.8nm、卷在卷轴上、制成磁带(MICRO MV带)。
得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，将向A面外侧的涂布水溶液中的聚苯乙烯球改为平均粒子径50nm的聚甲基丙烯酸甲酯球(玻璃化转变温度118℃、固体成分40重量％、乳液状态)，改变横方向的拉伸温度为122℃。其它和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，将聚对苯二甲酸乙二醇酯改为聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯、将原料B内的硅酸铝含量改为1.1重量％、改变纵拉伸温度、倍数为在135℃，5.0倍，固体成分涂布量为50mg/m2，横拉伸温度、倍数为135℃，6.5倍，在200℃下进行热处理，其它的和实施例1的相同，制作厚度4.8μm的聚酯薄膜。由得到的聚酯薄膜和实施例1相同地制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为22nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，将横方向的拉伸温度改为103℃。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带。得到的聚酯薄膜和磁带(MICRO MV带)的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的聚苯乙烯球的浓度为0.080重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的甲基纤维素的浓度为0.06重量％、氟系表面活性剂的浓度为0.0005重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICROMV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的氟系表面活性剂的浓度为0.019重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，将涂布水溶液中的聚苯乙烯球改为平均粒径10nm的球。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，将涂布水溶液中的聚苯乙烯球改为平均粒径65nm的球。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的甲基纤维素的浓度为0.003重量％、氟系表面活性剂的浓度为0.0006重量％、在涂布水溶液中不配合硅酮。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的甲基纤维素的浓度为0.20重量％、氟系表面活性剂的浓度为0.003重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICROMV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的聚苯乙烯球的浓度为0.013重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的聚苯乙烯球的浓度为0.080重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的甲基纤维素的浓度为0.02重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
在实施例1的带基薄膜制造中，改变涂布水溶液中的甲基纤维素的浓度为0.09重量％。其它的和实施例1的相同，制作厚度6.3μm的聚酯薄膜，制成宽3.8mm的磁带(MICRO MV带)。得到的聚酯薄膜和磁带的特性如表1所示。聚酯薄膜的B面的Ra值为20nm。
表1
从表1的特性可以明确，使用本发明的聚酯薄膜制造的磁带(MICROMV带)基本上不产生信号遗失(DO)。使用本发明的聚酯薄膜制造的磁带(MICRO MV带)即使反复移动，DO个数也不到10个/分，不引起MR磁头的磨损，是画质、移动耐久性良好的MICRO MV带。
权利要求
1.一种聚酯薄膜，其特征在于，在聚酯薄膜的单侧表面上形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜，被膜中的有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2～1∶5.0，被膜表面的表面突起的直径为20～60nm，被膜表面的表面突起的个数为300万～1亿个/mm2，而且，被膜表面的表面粗糙度Ra为0.5～1.9nm。
2.如权利要求1记载的聚酯薄膜，其特征在于，被膜表面上高度在20nm或以上的表面突起的个数为1000个/mm2或以下。
3.如权利要求1记载的聚酯薄膜，其特征在于，表面突起的聚集度不到10％。
4.如权利要求1记载的聚酯薄膜，其特征在于，被膜表面的表面突起的高度为不到20nm的微细表面突起。
5.如权利要求1记载的聚酯薄膜，其特征在于，被膜中的有机化合物由纤维素衍生物和氟系表面活性剂构成。
6.如权利要求5记载的聚酯薄膜，其特征在于，被膜中的纤维素衍生物和氟系表面活性剂的重量比为100∶1～100∶25。
7.如权利要求1记载的聚酯薄膜，其特征在于，聚酯是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯。
8.如权利要求1记载的聚酯薄膜，是记录介质用聚酯薄膜。
9.如权利要求8记载的记录介质用聚酯薄膜，是磁记录介质用聚酯薄膜。
10.如权利要求9记载的磁记录介质用聚酯薄膜，被用于数码记录方式的磁带中。
11.如权利要求8记载的记录介质用聚酯薄膜，是光记录介质用聚酯薄膜。
12.一种记录带，其特征在于，在权利要求1记载的聚酯薄膜的单侧表面的被膜上设置了强磁性金属薄膜层。
13.一种记录带，其特征在于，在权利要求1记载的聚酯薄膜的单侧表面的被膜上设置了图像数据记录用合金薄膜。
全文摘要
在聚酯薄膜的单侧表面上形成含有有机化合物微细粒子和有机化合物的被膜，被膜中的有机化合物微细粒子和有机化合物的重量比为1∶0.2～1∶5.0，被膜表面的微细表面突起的直径为20～60nm，个数为300万～1亿个/mm
文档编号G11B5/733GK1462028SQ0313837
公开日2003年12月17日 申请日期2003年5月28日 优先权日2002年5月30日
发明者小野雅章, 冈本克哉, 深田一吉 申请人:东丽株式会社