专利名称：畴壁位移检测系统磁光记录介质及其制造方法
技术领域：
本发明通常涉及一种磁光记录介质，尤其涉及一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质，其中磁光记录布置膜形成在具有平台和凹槽的基板上，平台和凹槽都被用作信号记录区，而且该记录介质基于DWDD系统使用再现系统，并涉及制造这种DWDD系统磁光记录介质的方法。
背景技术：
就磁光记录介质而言，特别是DWDD(畴壁位移检测)系统磁光记录介质能获得高密度记录，它因而被认为是重要的磁光记录介质。
该DWDD系统磁光记录介质的再现系统是以其中磁记录标记由于伴随再现激光照射在磁光记录介质上产生的温度分布而尺寸放大，因而从磁光记录介质中读出放大的记录标记的系统为基础。依据这种布置，该记录标记被微型化直到尺寸小于该再现光的光衍射极限，因而可以增加线性记录密度以获得大记录容量。
就该DWDD系统磁光记录介质而言，为了改善抖动和误码率，有必要实现畴壁的平滑位移。
作为平滑位移畴壁的方法，有人提出这种方法，通过对该磁层退火使磁道间的磁层变为面内磁膜或非磁性膜，以免由相邻记录磁道产生的磁场影响畴壁平滑位移(例如，参见引用的专利参考1和2)。
上述DWDD系统磁光记录介质中，为了更增加记录容量，要求其记录系统要基于所谓的平台和凹槽记录系统，其中平台和凹槽都被用作记录区。在那种情况下，畴壁必须是相对于平台和凹槽的记录区都平滑地位移。
因此，在该平台和凹槽记录系统中，为了使畴壁令人满意地相对该两个记录区位移，如图1所示，通过对例如形成在基板101上的平台103和凹槽104之间的边界壁表面5的基本中心处照射退火光La使形成在记录介质基板101上的磁光记录布置膜102退火。
在这种情况下，退火光La如图1中的箭头a所示向凹槽104侧或向平台103侧移动时，如图2中互相对比的实线曲线和虚线曲线所示，该实线曲线和虚线曲线显示了对于平台103和凹槽104的各自的记录区中的退火功率和退火处理后获得的误码率之间的关系，平台103和凹槽104中显示出最小误码率的最佳退火功率PBL和PBG变得彼此不同。简而言之，在平台103和凹槽104中可以同时减少误码率的功率余量很狭窄。
因而获得的磁光记录介质使得平台和凹槽记录和再现特性彼此不同，这样就产生问题了，其中记录功率余量也不能被充分增加。
由于种种理由比如平台和凹槽中磁光记录布置膜的特征、形状和尺寸，所以并不总是希望退火位置应选在边界壁表面的中心。另外，经常观察到例如在每个制造批时都要选择最佳退火位置。
如上所述，为了同时改善平台和凹槽的记录区中的抖动和误码率，退火光要照射在沿着整个记录磁道的记录磁道长度方向的边界壁表面上、下边缘部份之间的最佳位置就变得非常必需。
然后，作为在预定位置照射退火光的方法，有人提出基于用于普通光记录介质所用的光学拾波器的所谓三光束推挽检测(three-beampush-pull detection)法的跟踪伺服系统法。
然而，依据这种方法，正如从随后将作的说明中将更加清晰地理解的那样，会产生这种问题，要检测边界壁上退火光位置的地方的灵敏度会很低。
日本特开专利申请No.8-147777，段号 [引用的专利参考2]日本特开专利申请No.2002-319198，段号 、 发明内容考虑到上述方面，本发明的目的是提供一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质，其中可以以高灵敏度检测退火光扫描平台和凹槽的边界壁表面的位置，以便通过同一退火处理在平台和凹槽中可以减少抖动和误码率。
本发明的另一目的是提供一种制造上述DWDD系统磁光记录介质的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种畴壁位移检测系统磁光记录介质，其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜，平台和凹槽都形成为信号记录区，基于畴壁位移检测系统记录和再现信号，并且其中在平台和凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分，用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射平台和凹槽之间的边界壁表面来改善畴壁位移。该畴壁位移检测系统磁光记录介质包括在沿着该边界壁表面的该记录磁道长度方向的一个部分上形成的在该记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法，其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜，平台和凹槽都形成为信号记录区，基于畴壁位移检测系统记录和再现信号，并且其中在平台和凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分，用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射平台和凹槽之间的边界壁表面来改善畴壁位移。该方法包括以下步骤准备盘状基板，在该盘状基板中在沿着该边界壁表面的该记录磁道长度方向的一个部分上形成在该记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分，而且在盘状基板上淀积磁光记录布置膜，退火光扫描和照射工艺，其中退火光照射在该平台和该凹槽之间的边界壁表面上以改变照射部分处的磁光记录布置膜，并通过检测所述退火光扫描和照射工艺中的所述退火光的返回光来检测所述退火光的照射位置，和通过所述摆动部分引起相当于所述摆动部分周期的周期的振幅出现在所述位置检测信号中。
如上所述，根据本发明的畴壁位移检测系统磁光记录介质，用平台和凹槽之间边界壁表面上的照射退火光使磁光记录布置膜在退火光的基本上中心高温加热部分处变为非磁性或面内磁化膜，因而可以令人满意地转移畴壁。依据这种磁光记录介质，因为该摆动部分是形成在边界壁表面上，所以退火光扫描与该摆动部分的凹面和凸面交叉的边界壁表面，以提高扫描位置处检测信号的振幅，从而提高了检测灵敏度。
图1是根据现有技术的磁光记录介质的横截面简图，将参考它解释退火光照射在边界壁表面的基本中心处的方法；图2是显示根据现有技术的退火功率和误码率之间关系的图表；
图3显示根据本发明的磁光记录介质的例子的横截面简图；图4显示根据本发明磁光记录介质的例子的磁光记录布置膜布置的示意图；图5显示根据本发明磁光记录介质的例子的摆动部份的平面图；图6是显示根据本发明磁光记录介质的例子的平面图；图7是参考其来解释在根据本发明制造方法中的激光退火的透视简图；图8A和8B分别是三光束伺服系统中中心激光的推挽输出(MPP)和基于侧面激光的差值推挽输出(DPP)的波形图；图9是显示退火光照射在预定设置位置上时获得的MPP输出的图表；图10是显示退火光从预定设置位置位移时获得的MPP输出的图表；图11是显示在退火光从预定设置位置位移时通过创造性的摆动部分产生的效果获得的MPP输出的图表。
具体实施例方式
下面将参考附图描述根据本发明实施例的畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质及其制造方法。应当理解本发明不限制于该实施例。
图3是显示根据本发明实施例的DWDD系统磁光记录介质主要部分的简要横截面图。如图3所示，根据本发明的DWDD系统磁光记录介质包括具有形成在一个主表面上具有不平坦表面的盘状基板1，其中平台3形成在具有螺旋图案或同心环形图案的凹槽4和相邻凹槽4之间。
例如，凹面和凸面之间的间距T可以选择为1.08μm，并且凹面和凸面之间的差值可以选择为55nm。
在盘状基板1的不平坦表面上，形成了至少具有包括磁层的记录层和再现层的磁光记录布置膜2，该磁层沿着由平台3和凹槽4形成的不平坦表面形成。
在该磁光记录布置膜2中，在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上，例如，沿着记录磁道长度方向在平台3两侧的边界壁表面5A和5B上形成带状变化部分6，在该带状变化部分6中，磁光记录布置膜2变为非磁性膜或面内磁化膜。
磁光记录布置膜2可以形成为公知的布置。例如图4是显示磁光记录布置膜2的例子的布置的示意图。如图4所示，磁光记录介质布置膜2具有基板1，在基板1上具有按照该顺序层叠的由SiN层形成的膜厚为40nm的介电层20、由GdFeCo层形成的膜厚为40nm的再现层(位移层)21、由TbFeCo制成的膜厚为50nm的控制层22、由TbFeCoAl制成的膜厚为15nm的中间开关层23、由TbFeCo制成的膜厚为50nm的记录层24和由GdFeCo制成的膜厚为10nm的记录辅助层25。
尽管没有示出，但是在该磁光记录布置膜2上形成了保护层26以填充磁光记录布置膜2表面上的凹面和凸面。
在该磁光记录介质中，该记录层24和再现层21以磁交换耦合的形式彼此耦合。
通过正常状态下的控制层22和中间开关层23，记录在记录层24上的记录标记即磁畴转为再现层21。
然后，在再现时，再现激光从后侧照射在盘状基板1上，例如因而根据DWDD而进行再现，即在其中的记录标记(磁畴)要被再现的部分处的中间开关层23通过再现激光的照射而在大于居里温度的温度下上升，从而释放再现层21和记录层24之间的交换耦合，由此在再现层21中的记录标记的畴壁随着激光束斑内的温度分布而沿着记录磁道长度方向位移，因而放大了记录标记，从而由于克尔效应引起的再现激光偏振面的旋光而获得必需和充分的再现输出。
在根据本发明的磁光记录介质中，如图5所示，具有在记录磁道宽度方向上摆动的波形图案的摆动部分7形成在沿着边界壁表面5的记录磁道长度方向延伸的一个部分上，从而检测退火光扫描部分的位移。
在该摆动部分7中，其周期Tpw可以选择为11μm，其振幅可以选择为40nm。
图6是磁光记录介质30平面简图。如图6所示，该摆动部分7形成在磁光记录介质的信号记录无效区，例如螺旋图案的外端或内端之一或有限制的螺旋图案的两端。
下面将描述一种根据本发明实施例的制造方法。
根据本发明，制造了基板1，例如该盘状基板具有上述平台3、凹槽4和摆动部分7，该摆动部分7具有在记录磁道的磁道宽度方向上摆动的波形图案以检测退火光扫描位置的位移。在该盘状基板1的该制造过程中，在通过注塑成型盘状基板1的同时，成型上述平台3、凹槽4和摆动部分7。
可选择的，通过所谓2P(光致聚合作用)方法形成在其中形成有上述平台3、凹槽4和摆动部分7的盘状基板1，其中，在塑料基板或玻璃基板的平滑表面上涂覆紫外线固化树脂光致抗蚀剂层，并用具有上述摆动部分7反向不平坦表面的转印图案的模子压制，以形成上述平台3、凹槽4和摆动部分7。
然后，在盘状基板1上，通过适当的方法例如溅射法按照该顺序淀积了由SiN层形成的厚度为40nm的介电层、由GdFeCo层形成的厚度为40nm的再现层21、由TbFeCo制成的厚度为5nm的控制层22、由TbFeCoAl制成的厚度为15nm的中间开关层23、由TbFeCo制成的厚度为50nm的记录层24和由GdFeCo制成的厚度为10nm的记录辅助层25。
然后，对平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上的磁光记录布置膜2退火以形成上述变化部分6。
图7显示激光照射光学系统40的例子的透视简图。在该退火工艺中，如图7所示。来自激光源41波长为405nm的单束激光L被引入光栅31，从而输出衍射光将激光L分成第0级光和±第1级光的三个光束。
然后，在基于大功率的第0级光的主激光器光被用作退火光La、基于±第一级光的侧光Ls1和Ls2被用作获得跟踪伺服系统信号的激光时，退火光La沿着记录磁道长度方向在边界壁表面5上扫描。在该激光扫描操作时，使用其中激光La在存在于平台3两侧上的一个边界壁表面5a上扫描、然后激光La再在另一边界壁表面5B上扫描的方法。
这些激光La、Ls1、Ls2通过数值孔径(N、A)为0.85的物镜32聚焦在盘状基板1上。
然后，通过类似于普通工艺中三光束跟踪伺服系统的方法，通过控制移动该光学系统40的驱动机构例如致动器(未显示)，以控制这些激光La、Ls1、Ls2的返回光，使中央光束的退火光La可以照射在预定的边界壁表面5上，例如平台3一个侧面的边界壁表面5A上。
具体而言，来自磁光记录介质30的相应激光La、Ls1和Ls2的返回光例如分别通过两个光电二极管(未显示)检测，从而分别得到推挽信号MPP、SP1和SP2。然后，获得基于推挽信号SP1和SP2之间的差信号(SP1-SP2)即DPP(差分推挽)信号的跟踪误差信号。
当变化部分6的最佳位置例如位于边界壁表面5的宽度方向(即，沿着记录磁道宽度方向延伸的方向)中心位置时，如果通过跟踪伺服系统控制光学系统40的驱动系统使得退火光La的最佳位置例如处于边界壁表面5的宽度方向中心位置，那么该激光(退火光)La的MPP输出和照射位置之间的关系如图8B所示，例如，其中分别在边界壁表面5A和5B的相应的中心位置PsA和PsB获得最大和最小点。图8B示出了激光(退火光)La的DPP输出和照射位置之间的关系。
当退火光La的退火最佳位置设在图8A、8b所示的例子中的边界壁表面5中心位置时，如果想由于平台3和凹槽4的形状和特征使退火光La照射在从边界壁表面5的中心偏离到平台3侧或凹槽4侧以形成变化部分6，就可以通过调整从电路固定点输出的MPP在偏离的设定位置处随意选择最大位置和最小位置。然而，在任何情况下，当通过MPP输出在目标照明设定位置处检测退火光La的位置时，由于指示最佳位置的输出变为最大位置和最小位置，如果退火光La从该设定位置向平台3侧或凹槽4侧波动，MPP输出的变化量小并且其灵敏度低。
例如，当退火光La以退火光La设定在设定位置的一个边界壁表面5A或夹着平台3的另一个边界壁表面5B上的状态扫描时，例如，如图9所示，获得如实线直线70A或虚线曲线70B所示的MPP输出。
现在假定退火光La从这样设定的扫描位置向平台3侧或凹槽4侧精细位移，然后图9所示直线70A或70B就象图10中的曲线80A或80B所示地波动。然而，正如参考图8A、8B描述的那样，该MPP输出灵敏度很低，因而曲线80A和80B波动量很小。
另一方面，摆动部分7如图5所示形成在磁光记录介质上因而退火光如箭头E所示扫描该摆动部分7时，在由侧面激光Ls1和Ls2进行的伺服控制操作下，这样就变成相当于激光Ls基本上扫描平台3或凹槽4的事实，扫描边界畴壁位置的退火光La例如在边界畴壁宽度方向上波动。结果，这变为相当于该退火最佳位置从如图8A所示的中心位置PsA或PsB位移到左方或右方任何之一，即，该退火最佳位置位移到输出特性变陡的位置。因此，可以获得图10所示的很小波动监控信号作为图11所示放大了振幅的监控信号。即，提高灵敏度以此检测退火光斑点位置。
然后，设置了摆动部分7时，如果摆动部分7有限制地形成在记录磁道开始端或结束端，例如，在除了基本上记录区之外的记录无效区中，那么可以避免摆动部分7影响信息的记录。一旦精细调整了退火光La的位置以便例如校正侧光Ls1和Ls2的DPP信号，在基于三射束扫描法的控制下，该退火光La将被跟踪到该最佳位置。
如上所述，根据本发明，因为可以精确地设定退火光的边界畴壁位置，在相对于平台3和凹槽4的最佳位置处形成变化部分6，并且，由此平台3和凹槽4都可以用其中抖动和误码率可以最小化的退火功率的退火光照射。
如上所述，因为根据本发明的DWDD磁光记录介质具有其中摆动部分形成在盘状基板上的结构，在面内磁化膜或非磁性变化部分例如形成在相对于磁光记录布置膜的平台和凹槽的边界壁表面上时，可以以高精度在设定位置形成变化部分，该磁光记录布置膜使畴壁在平台和凹槽的记录区中可以平滑地位移。
此外，根据本发明的制造方法，在生产磁光记录介质的盘状基板时，通过其中形成上述摆动部分的工艺并且在盘状基板上形成磁光记录布置膜后对平台和凹槽之间的边界壁表面退火形成面内磁化膜的工艺或者通过其中由非磁性膜形成变化部分的工艺中使用摆动部分，可以非常精确地在最佳位置形成变化部分。简而言之，就有可能设定共同的最佳退火功率以使畴壁可以在平台和凹槽两者的相应信号记录区内平滑地位移。
更准确地说，根据本发明，因为畴壁可以在平台和凹槽两者的记录磁道中平滑地位移，并且可以减少抖动和误码率，可以减少相邻记录磁道之间的影响并由此可以使磁道间距变窄，因而可以更加提高记录密度。
尽管参考附图描述了本发明的优选实施例，但应当理解本发明不限于精确的实施例，本领域技术人员在不偏离本发明所附的权利要求中定义的精神或范围的情况下可进行各种变化和修改。
权利要求
1.一种畴壁位移检测系统磁光记录介质，其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜，所述平台和凹槽都形成为信号记录区，基于畴壁位移检测系统记录和再现信号，并且其中在所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分，用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面改善畴壁位移，该畴壁位移检测系统磁光记录介质包括在沿着所述边界壁表面的所述记录磁道长度方向的一个部分上形成的在所述记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分。
2.根据权利要求1的畴壁位移检测系统磁光记录介质，其中所述摆动部分形成在磁光记录介质的信号记录无效区中记录磁道长度方向两个端部中至少任何一个上。
3.一种制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法，在该畴壁位移检测系统磁光记录介质中，在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜，所述平台和凹槽都形成为信号记录区，基于畴壁位移检测系统记录和再现信号，并且其中在所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分，用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面来改善畴壁位移，该方法包括以下步骤准备盘状基板，在该盘状基板中在沿着所述边界壁表面的所述记录磁道长度方向的一个部分上形成在所述记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分，并且在盘状基板上淀积所述磁光记录布置膜；退火光扫描和照射工艺，其中退火光照射在所述平台和所述凹槽的边界壁表面上以改变所述照射部分处的所述磁光记录布置膜；和通过检测所述退火光扫描和照射工艺中的所述退火光的返回光来检测所述退火光的照射位置；和通过所述摆动部分使对应于所述摆动部分周期的周期的振幅出现在所述位置检测信号中。
4.根据权利要求3的制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法，其中单束激光分成三束，中央光束被用作所述退火光，通过其它的两束光获得所述退火光的跟踪伺服信号。
5.根据权利要求3的制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法，其中所摆动部分形成在磁光记录介质的信号记录无效区中记录磁道长度方向两个端部中至少任何一个上。
全文摘要
一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质将平台3和凹槽4形成为信号记录区。通过在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上照射退火光La改变畴壁位移改进时，通过在沿着边界壁表面5的记录磁道长度方向延伸的部分上形成的退火光扫描位置位移检测摆动部分7检测该退火光的位置。该退火光扫描该摆动部分7，因而产生了对应于摆动部分7周期的周期的振幅从而高灵敏度地检测和监测退火光扫描位置的微小变化。因此，在该DWDD系统磁光记录介质中，可以以高灵敏度检测平台3和凹槽4之间边界壁表面处退火光的扫描位置。
文档编号G11B11/105GK1577556SQ20041006201
公开日2005年2月9日 申请日期2004年6月25日 优先权日2003年6月25日
发明者三木刚, 藤田五郎 申请人:索尼株式会社