专利名称：干蚀刻方法及信息记录媒体的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于加工例如半导体、信息记录媒体等的干蚀刻方法及信息记录媒体。
背景技术：
以往，作为半导体、信息记录媒体等的微细加工技术已知的方法是干蚀刻方法，这种干蚀刻方法包含在被加工层上形成规定图案的掩膜层的掩膜层加工工序和用干蚀刻方法除去被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序。
虽然干蚀刻中有各种各样的方法，但是现在广泛使用的方法是其中的反应性离子蚀刻法，其原因是这种方法能够通过适当地选择反应性气体的种类和掩膜材料增大被加工层的蚀刻速率与掩膜的蚀刻速率的选择比，这样，就可以减薄掩膜层，从而能够实现微细图案的加工。
反应性离子蚀刻法是一种主要在半导体制造领域中发展起来的技术，而在具有磁性层的信息记录媒体的制造等其他领域中也可以利用这种技术(例如，参照特开平12-322710号公报)。
但是，即便使用干蚀刻方法能把被加工层加工成微细图案的形状，如图21(A)所示，也很难把被加工层100加工成相当于图案的轮廓的周缘部100A有棱角的形状，实际上，被加工层的周缘部被加工成了带圆角的形状，在所希望的加工形状与实际的加工形状之间产生了一定的偏差。
更详细地说，在干蚀刻中，除去被加工层的同时，也将被加工层上的掩膜层除去了一点点，此时，如图21(B)所示，掩膜层102的周缘部102A比其他部分更快地被除去。因此，如图21(C)所示，被加工层100的周缘部100A就比其他部分更快地从掩膜层102显露出来。这样，被加工层100的周缘部100A就比其他部分更快地被除去，如图21(D)所示，周缘部100A就被加工成带圆角的形状。虽然这种现象一般是见于干蚀刻，但是反应性离子蚀刻中特别显著。
而且，在干蚀刻中，由于对被加工层稍微倾斜地照射部分离子，所以，对于倾斜照射的离子，掩膜遮住的被加工层100的侧面就被加工成锥形状。
随着图案的微细化，这种加工形状的偏差殃及产品特性的影响有相对增大的趋势，例如，在信息记录媒体、信息的录放装置中，这种加工形状的偏差殃及产品特性等的影响就容易成为问题。因此，对能够把被加工层加工成周缘部有棱角的形状的干蚀刻技术的需求就日见增高。
而且，如果考虑到掩膜层的周缘部也比其他部分更早地被除去，而在被加工层上预先形成足够厚的掩膜层的话，虽然可以避免发生这种事情，但是一般也是用干蚀刻法把掩膜层加工成规定图案的形状，由于其侧面也呈斜劈状，所以在图案的节距小的情况下，如果加厚掩膜层，在掩膜层或被加工层上就形成两侧面连续的V形断面的凹部，此后蚀刻就不再进行，有可能无法把被加工层加工到所希望的深度。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的目的在于提供一种干蚀刻方法，能够把被加工层加工成细微的图案且周缘部有棱角的形状。
本发明通过沿相当于图案的轮廓的掩膜层的周缘部形成突出于被加工层的对面侧的突部来实现上述的目的。
这样，在干蚀刻被加工层时，即使周缘部比其他部分掩膜层的腐蚀进行得更快，由于被加工层中周缘部的露出要晚一个突部的量，所以能够防止被加工层的周缘部比其他部分更快地被除去，从而可以把被加工层加工成周缘部有棱角的形状。
在完成本发明的过程中，在图案很微细的情况下，虽然很难在掩膜层的周缘部上形成突部，但是发明人错试各种各样的干蚀刻方法，发现了即使图案很微细也可以在掩膜层的周缘部上形成突部的方法，从而完成了本发明。
即，如下的本发明可以实现上述的目的。
(1)一种干蚀刻方法，包括将被加工层上的掩膜层加工成规定图案的掩膜层加工工序和用干蚀刻除去所述被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序；其特征在于，所述掩膜层加工工序沿相当于所述图案的轮廓的所述掩膜层的周缘部形成突出于所述被加工层的对面侧的突部。
(2)如(1)所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜层加工工序包含第二掩膜层加工工序和第一掩膜层加工工序；该第二掩膜层加工工序是把所述掩膜层作为第一掩膜层，在该第一掩膜层上形成第二掩膜层并加工成所述图案的形状；该第一掩膜层加工工序是用离子束蚀刻除去所述第一掩膜层的露出部分，同时使由该离子束蚀刻被除去而飞散的粒子再次附着在所述第二掩膜层的侧面，由此在所述第一掩膜层的周缘部上形成所述突部。
(3)如(2)所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第一掩膜层加工工序通过设定所述离子束蚀刻的束电压的调节和气体种类的选择中的至少一个蚀刻条件来控制所述突部的形状。
(4)如(2)或(3)所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第二掩膜层加工工序采用抗蚀材料作为所述第二掩膜层的材料。
(5)如(1)至(4)中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，在所述掩膜层与所述被加工层之间形成中间膜层，在所述被加工层加工工序之后，设置除去所述中间膜层的中间膜层除去工序。
(6)如(1)所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜层加工工序包含如下工序把所述掩膜层作为第一掩膜层，按照与所述图案的凹凸相反的图案在所述被加工层上直接或间接地形成第二掩膜层的第二掩膜层形成工序；在所述第二掩膜层上以及该第二掩膜层之间的沟部底面上，使第一掩膜层成膜，形成具有沿所述沟部的侧面突出的突部的第一掩膜层的第一掩膜层形成工序；以及，在溶解液中溶解除去所述第二掩膜层的第二掩膜层除去工序。
(7)如(1)至(6)任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述被加工层加工工序是用反应性离子蚀刻法来加工所述被加工层的工序。
(8)一种信息记录媒体，其特征在于，用上述(1)至(7)中任一项所述的干蚀刻方法，把信息记录层作为所述被加工层分割成多个记录要素，并且，把该记录要素的周缘部加工成有棱角的形状。
在本说明书中，术语“离子束蚀刻”是例如离子研磨等把离子化的气体照射于被加工体来进行除去的加工方法的统称，并不限定于照射离子束一种方法。
另外，术语“有棱角的形状”并不限定于有几何学严格的角的形状，还包含有不带过度圆角的，换言之，能够得到良好产品特性的带有一点点圆角的形状。
图1是本发明的第一实施方式的试件的毛坯的结构的侧断面示意图。
图2是加工该试件所得到的试件成品的结构的侧断面示意图。
图3是包含示意性地表示加工该试件用的离子束蚀刻装置的结构的局部框图的侧面图。
图4是表示该试件的加工工序的流程图。
图5是按规定图案分割了第二掩膜层的试件的形状的侧断面图。
图6是除去沟底面的第一掩膜层同时形成了突部的试件的形状的侧断面示意图。
图7是进一步除去沟底面的第一掩膜层同时突部生长起来的试件的形状的侧断面示意图。
图8是除去突部之间的第二掩膜层而使之低于突部的试件的形状的侧断面示意图。
图9是完全除去了沟底面的第一掩膜层的试件的形状的侧断面示意图。
图10是完全除去了沟底面的中间膜层的试件的形状的侧断面示意图。
图11是把磁性薄膜层分割后的试件的形状的侧断面示意图。
图12是表示本发明的第二实施方式的试件的加工工序的流程图。
图13是该试件的毛坯的结构的侧断面示意图。
图14是按规定图案分割了第二掩膜层的该试件的形状的侧断面图。
图15是在沟底面等上形成了第一掩膜层的该试件的形状的侧断面示意图。
图16是除去第二掩膜层后，存留了周缘部具有突部的第一掩膜层的试件的形状的侧断面示意图。
图17是表示本发明的例子的试件的第一掩膜层的加工形状的显微镜照片。
图18是表示该试件的记录要素的形状的显微镜照片。
图19是表示比较例的试件的第一掩膜层的加工形状的显微镜照片。
图20是表示该试件的记录要素的形状的显微镜照片。
图21是理想的被加工层的形状与用原来的干蚀刻法加工的实际被加工层的形状的侧断面示意图。
具体实施例方式
以下参照附图详细说明本发明的优选实施例。
本发明实施方式是这样一种干蚀刻方法，即在图1所示的试件的毛坯上实施干蚀刻等加工，由此将磁性薄膜(被加工层)加工成图2所示的规定的条间隔图案(line-and-space patten)的形状，被覆磁性薄膜的掩膜的形状及其形成方法具有特征。有关其他结构与现有的干蚀刻方法一样，适当省略其说明。
试件10的毛坯的结构是在玻璃基板12上按顺序形成磁性薄膜层16、中间薄膜层18、第一掩膜层20、第二掩膜层22。
磁性薄膜层16的厚度是5～30nm，材料是CoCr(钴-铬)合金。
中间薄膜层18的厚度是5～50nm，材料是TiN(氮化钛)。
第一掩膜层20的厚度是5～30nm，材料是Ni(镊)。
第二掩膜层22的厚度是30～300nm，材料是电子射线光刻胶(ZEP520日本ゼォン公司)。
用图3所示的离子束蚀刻装置来进行试件10的加工。
离子束蚀刻装置30具有真空室32、用于在真空室32内装载试件10的ESC(静电吸盘)载台电极34、用来产生离子来照射载台电极34的离子枪36、用于把氩气供给离子枪36的供气部38以及用来对离子枪36施加束电压的电源40。在真空室32上设置有用来排出氩气的排气孔32A。
离子枪36设置有连接在电源40上的阳极36A和阴极36B；阴极36B上设置有多个微细孔36C，从该微细孔36C放出·照射离子化了的氩气。
下面，沿图4所示的流程来说明试件10的加工方法。
首先，准备图1所示的所述试件10的毛坯(S102)。用溅射法在玻璃基板12上顺序形成磁性薄膜层16、中间膜层18、第一掩膜层20，再用旋转涂布法涂布第二掩膜层22，由此来得到试件10的毛坯。
用电子射线装置曝光装置(省略图示)在该试件10的毛坯的第二掩膜层22上把相当于所述图案的间隔部分曝光，用ZED-N50(日本ゼォン公司)在室温下显影5分钟，除去曝光部分，从而如图5所示，按微细间隔形成多条沟(S104)。
然后，如图6所示，用离子束蚀刻装置30除去沟底面的第一掩膜层20(S106)。具体地说，将试件10装载固定在ESC载台电极34上，将氩气供给离子枪36，把氩气离子化，当电源40把束电压施加在阳极36A与阴极36B之间时，氩气就接近阴极36B侧，再插通微细孔36C，氩气就被放出到真空室32内，照射到试件10上。这样，氩气撞击试件10，而将第一掩膜层20的表面除去。而且，氩气还除去第二掩膜层22的表面。
这时，如图6所示，从第一掩膜层20除去而飞散的粒子的一部分再次附着在沟底面附近的第二掩膜层22的侧面上。如后所述，该再次附着物就成为第一掩膜层20的周缘部的突部。而且，因沟侧面的锥角，在第一掩膜层20上形成沟，该沟的宽度比形成在第二掩膜层22上的沟窄。
在进行离子束蚀刻时，如图7和图8所示，沟底面的第一掩膜层20和沟外区域的第二掩膜层22逐渐减薄，而第二掩膜层22侧面的再次附着物增加而生长。而且，可以按照离子束蚀刻的设定条件控制再次附着物的形状。例如，如果增大电源40的束电压，就可以让再次附着物长大。
如果进一步进行离子束蚀刻，如图9所示，沟底面的第一掩膜层20就被完全除去，被加工成所述图案，同时，再次附着物沿相当于图案轮廓的第一掩膜层20的周缘部存留下来，这样，就沿第一掩膜层20的周缘部形成了突出于磁性薄膜层16的对面侧的突部21。虽然第二掩膜层22的大部分也被除去，但是在突部21之间仍旧存留微小量。
虽然再次附着物沿第一掩膜层20的周缘部存留下来的原因未必清楚，但是，认为其原因大致如下。如图6、图7所示，第二掩膜层22的高度比再次附着物(即突部)的高度还高的情况下，再次附着物增加并生长。另一方面，如图8所示，如果第二掩膜层的高度低于再次附着物的高度，再次附着物也开始被蚀刻。但是，在再次附着物上，由于从第一掩膜层20除去而飞散的粒子的一部分再次附着，所以，如果与第二掩膜层22相比，至少因蚀刻而使高度减低的速度小。结果，最终如图9所示，再次附着物沿第一掩膜层20的周缘部存留下来，从而形成了在周缘部具有突部21的第一掩膜层20。
然后，如图10所示，用以CF4(四氟化碳)气体或SF6(六氟化硫)气体(卤素系反应气体)作为反应气体的反应性离子蚀刻法除去沟底面的中间膜层18(S108)。由于第二掩膜层22对卤素系反应气体的耐腐蚀性低，所以蚀刻开始后，短时间内就被完全除去。另外，虽然第一掩膜层20也被除去，但是由于对卤素系反应气体的耐腐蚀性高，所以蚀刻开始后，慢慢地被除去。此时，虽然第一掩膜层20的周缘部比其他部分蚀刻进行得快，但是，由于沿第一掩膜层20的周缘部形成有突部21，所以，第一掩膜层20的其他部分比周缘部更快地被除去，第一掩膜层20存留在中间膜层18的周缘部，从而沿中间膜层18的周缘部形成突部。而且，在中间膜层18的周缘部以外的区域上也存留有第一掩膜层20，但是其量很微小(图示省略)。
然后，如图11所示，用以CO气体或NH3气体为反应气体的反应性离子蚀刻法除去沟底面的磁性薄膜层16(S110)。这样，把磁性薄膜层16分割为多条记录要素16A。
由于中间膜层18对CO气体的耐腐蚀性高，所以蚀刻开始之后，慢慢地被除去。此时，虽然中间膜层18的周缘部比其他部分蚀刻进行得快，但是由于第一掩膜层20沿中间膜层18的周缘部成为突部而存留下来，所以，中间膜层18被加工得缩小了周缘部与其他部分的厚度偏差，同时按周缘部比其他部分稍微隆起的形状存留在记录要素16A上。即，由于记录要素16A的上面没有暴露，所以记录要素16A的周缘部不会比其他部分更快被除去。因此，记录要素16A的周缘部不会带有圆角，而被加工成有棱角的形状。
这里，如前所述，术语“有棱角的形状”并不限定于有几何学严格的角的形状，还包含有不带过度圆角的，换言之，能够得到良好产品特性的带有一点点圆角的形状。例如，在硬盘的情况下，如果在其上面残留有足以进行录放的平坦的宽度，即使周缘部带有一点点圆角也相当于“有棱角的形状”。就具体的形状而言，要根据磁记录媒体的种类、面记录密度、轨距、轨宽、录放磁头等适当进行判断。
然后，用以CF4气体或SF6气体作为反应气体的反应性离子蚀刻法完全除去残留在记录要素16A上面的中间膜层18(S112)。并且，也可以用以CF4气体或SF6气体作为反应气体的反应性研磨装置(图示省略)除去残留在记录要素上面的中间膜层18。这样，除去中间膜层18就可靠地除去了用离子束蚀刻法等干蚀刻形成的突部，而不会转印在记录要素16A上。
由于残留在记录要素16A上面的中间膜层18很薄，所以可以在短时间内将其除去，另外，由于记录要素16A对卤素系反应气体的蚀刻速率低，所以，记录要素16A的周缘部不会被加工成带有圆角的形状。
就这样，完成加工而得到图2所示的所述试件10。
如上所述，沿第一掩膜层20的周缘部形成突部21可以防止磁性薄膜层16的周缘部比其他部分更快地露出来，并能够把磁性薄膜层16加工成周缘部有棱角的形状。
另外，沿第一掩膜层20的周缘部形成突部21可以防止磁性薄膜层16的周缘部比其他部分更快地露出来，而不会把第一掩膜层20加厚，从而能够按微细的图案加工磁性薄膜层16。
由于可以用离子束蚀刻法把第一掩膜层20加工成图案形状，同时形成突部21，所以，本实施方式的干蚀刻方法的生产效率高。
由于离子束蚀刻法可以直接使用抗蚀材料作为掩膜，不需要像反应性蚀刻那样的转印抗蚀材料得到的掩膜，出自这一点，本实施方式的干蚀刻方法的生产效率也高，蚀刻图案的转印精度也好。
在本实施方式中，用电子射线曝光装置将第二掩膜层22加工成规定的图案，但是也可以用例如压印法把规定的图案的凹凸转印到第二掩膜层22上，用作第一掩膜层20的离子束蚀刻的掩膜。另外，如果是对离子束蚀刻的蚀刻速率较低的材料，就不特别限定第二掩膜层的材料。
在本实施方式中，第一掩膜层20的材料是Ni，但是本发明并不限定于此，如果是对加工中间膜层18的干蚀刻的蚀刻速率低的材料，就不特别限定第一掩膜层的材料。同样，如果是对加工磁性薄膜层16的干蚀刻的蚀刻速率低的材料，也不特别限定中间膜层18的材料。
在本实施方式中，在磁性薄膜层16与第一掩膜层20之间形成有中间膜层18，但是本发明并不限定于此，也可以直接把第一掩膜层20形成在磁性薄膜层16上。而且，这种情况下，第一掩膜层20的材料只要适当选择对加工磁性薄膜层16的干蚀刻的蚀刻速率低的材料就可以。
在本实施方式中，把磁性薄膜层16的材料取为CoCr合金，但是本发明并不限定于此，在例如含有铁族元素(Co、Fe(铁)、Ni)的其他合金、它们的叠层体等其他材料的磁性薄膜层的加工中也可以使用本发明。
在本实施方式中，使用添加NH3气体的CO气体作为用来加工磁性薄膜层16的反应性蚀刻的反应气体，但是本发明并不限定于此，也可以用添加了具有抑制CO分解的作用的胺类气体等其他含氮化物气体的CO气体作为反应气体来加工磁性薄膜层16。
在本实施方式中，把CF4或SF6作为加工、除去中间膜层18的反应性蚀刻的反应气体，但是本发明并不限定于此，也可以用其他的卤素系反应气体加工、除去中间膜层18。
在本实施方式中，采取使用氩气的离子束蚀刻方法除去第一掩膜层20的露出部分，同时使除去而飞散出来的粒子再附着于第二掩膜层22的侧面，从而形成突部21，但是本发明并不限定于此，也可以采取使用例如Kr(氪)、Xe(氙)等其他稀有气体的离子束蚀刻方法除去第一掩膜层20的露出部分，同时形成突部21。在本实施方式中，示例束电压作为控制突部21的形状的离子束蚀刻的设定条件，但是也可以通过选择气体的种类来控制突部21的形状。
另外，例如即使用反应性离子蚀刻等其他干蚀刻方法，只要适当调节蚀刻条件，也可以除去掩膜层的露出部分同时沿掩膜层的周缘部形成突部。
像本发明的第二实施方式那样，也可以用发射方法(lift off)在第一掩膜层20的周缘部形成突部21。
如图12的流程图所示，本第二实施方式是在玻璃基板12上顺序形成磁性薄膜层16、中间膜层18、第二掩膜层22(S202)而构成图13所示的试件10的毛坯，在后续工序中形成第一掩膜层20。
首先，在第二掩膜层22上用电子射线曝光装置(省略图示)，与第一实施方式相反地使相当于所述图案的线条的部分曝光，再用ZED-N50(日本ゼォン公司)在室温下显影5分钟，除去曝光部分，如图14所示，按微细的间隔形成多条沟(S204)。
然后，用溅射法、CVD(化学汽相淀积)法等使第一掩膜层20在第二掩膜层22上和第二掩膜层22之间的沟部形成膜(S206)。如图15所示，第一掩膜层20被形成在第二掩膜层22的上端附近和第二掩膜层22之间的中间膜层18的露出部分上。此时，在沟部底面附近的第二掩膜层22的侧面上也形成有第一掩膜层20，沟底面的第一掩膜层20被形成为周缘部有突部的形状。而且，第一掩膜层20几乎不附着在第二掩膜层22的侧面的上下方向中间部。
虽然这样把第一掩膜层20形成为周缘部有突部的形状的理由未必清楚，但是认为大致如下。以采用溅射法为例，存在从垂直于试件10的方向倾斜接近的溅散粒子，这些溅散粒子在附着于沟底面之前附着在第二掩膜层22的侧面上。但是，因形成在第二掩膜层22的上端附近的第一掩膜层20的遮挡，粒子就到不了第二掩膜层22的侧面的上下方向中间部分，第一掩膜层20几乎不附着在第二掩膜层22的侧面的上下方向中间部分，而集中附着在沟部底面附近。结果，就把第一掩膜层20形成为周缘部有突部的形状。
这里，把试件10浸渍在溶解液中，将第二掩膜层22溶解掉，如图16所示，周缘部有突部21的第一掩膜层20就残留在中间膜层18上(S208)。而且，形成在第二掩膜层22的上端附近的第一掩膜层20与第二掩膜层22一起被除去。
以后，进行与上述的第一实施方式中的工序S108～112(参照图10、图11)同样的工序S210～214，从而得到上述图2所示的试件10。
而且，在上述第一实施方式和第二实施方式中，试件10是在玻璃基板12上形成磁性薄膜层16而构成的实验用试件，但是，除在硬盘等磁盘、光磁盘、磁带、磁头等具有磁性薄膜层的信息记录媒体、信息录放装置之外，半导体产品等的产品加工中也可以使用本发明。
(例)像上述的实施方式那样加工成试件10。磁性薄膜层16的厚度约25nm，中间膜层18的厚度约40nm，第一掩膜层20的厚度约15nm，第二掩膜层22的厚度约130nm。
在第二掩膜层22上将节距约200nm、条与间隔的比率约3∶1的图案(即，条宽约150nm，间隔宽约50nm的图案)曝光·显影之后，形成侧面垂直的沟。
然后，用离子束蚀刻法除去沟底面的第一掩膜层20之后，如图17所示，在第一掩膜层20周缘部上形成突部21。而且，将束电压调节到500V，把束电流调节到500mA。
另外，把源功率调节到1000W，把偏置功率调节到150W；用以SF6气体为反应气体的反应性离子蚀刻法除去沟底面的中间膜层18。接着，把源功率调节到1000W，把偏置功率调节到250W；用以CO气体和NH3气体为反应气体的反应性离子蚀刻法除去并分割沟底面的磁性薄膜层16，形成记录要素16A。最后，把源功率调节到1000W，把偏置功率调节到50W；用以SF6气体为反应气体的反应性离子蚀刻法除去残留在记录要素16A上的中间膜层18。如图18所示，确认记录要素16A被加工成有棱角的形状而周缘部不带圆角。
(比较例)相对于上述例，未形成中间膜层18。另外，取第一掩膜层20的材料为TiN(氮化钛)，用以SF6气体为反应气体的反应性离子蚀刻法加工成第一掩膜层20。把源功率调节到1000W，把偏置功率调节到150W；把第二掩膜层22的厚度作成约250nm。其他条件与上述的例子一样，加工成试件10。
如图19所示，用反应性离子蚀刻法加工出来的第一掩膜层20的周缘部不形成突部，稍微带有圆角。
另外，如图20所示，最终形成的记录要素16A的周缘部带有圆角，记录要素16A被加工成断面呈大致半圆形。
这样，在使用原来的干蚀刻方法的情况下，被加工层的周缘部大多被加工成带圆角的形状，换言之，用本发明的干蚀刻方法加工成把信息记录层等被加工层加工成周缘部有棱角的形状的信息记录媒体等产品的可能性高。
特别是用反应性离子蚀刻法加工被加工层且把被加工层的周缘部加工成有棱角的形状的产品可以推定为是用本发明的干蚀刻方法加工成的产品。
产业上的可用性如以上的说明，按照本发明，具有能够把被加工层加工成微细图案且周缘部有棱角的形状的优良效果。
权利要求
1.一种干蚀刻方法，包括将被加工层上的掩膜层加工成规定的图案形状的掩膜层加工工序；以及用干蚀刻除去所述被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序；其特征在于，所述掩膜层加工工序沿着相当于所述图案的轮廓的所述掩膜层的周缘部，形成向所述被加工层的对面侧突出的突部。
2.如权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜层加工工序包含第二掩膜层加工工序和第一掩膜层加工工序；该第二掩膜层加工工序是把所述掩膜层作为第一掩膜层，在该第一掩膜层上形成第二掩膜层并加工成所述图案的形状；该第一掩膜层加工工序是用离子束蚀刻除去所述第一掩膜层的露出部分，同时使由该离子束蚀刻被除去而飞散的粒子再次附着在所述第二掩膜层的侧面，由此在所述第一掩膜层的周缘部形成所述突部。
3.如权利要求2所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第一掩膜层加工工序通过设定所述离子束蚀刻的束电压的调节和气体种类的选择中的至少一个蚀刻条件来控制所述突部的形状。
4.如权利要求2或3所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第二掩膜层加工工序采用抗蚀材料作为所述第二掩膜层的材料。
5.如权利要求1至4中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，在所述掩膜层与所述被加工层之间形成中间膜层，在所述被加工层加工工序之后，设置除去所述中间膜层的中间膜层除去工序。
6.如权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜层加工工序包含如下工序把所述掩膜层作为第一掩膜层，按照与所述图案的凹凸相反的图案，在所述被加工层上直接或间接地形成第二掩膜层的第二掩膜层形成工序；在所述第二掩膜层上以及该第二掩膜层之间的沟部底面上，使所述第一掩膜层成膜，形成具有沿所述沟部的侧面突出的突部的第一掩膜层的第一掩膜层形成工序；在溶解液中溶解除去所述第二掩膜层的第二掩膜层除去工序。
7.如权利要求1至6中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述被加工层加工工序是用反应性离子蚀刻来加工所述被加工层的工序。
8.一种信息记录媒体，其特征在于，用权利要求1至7中任一项所述的干蚀刻方法，把信息记录层作为所述被加工层分割成多个记录要素，并且，把该记录要素的周缘部加工成有棱角的形状。
全文摘要
一种干蚀刻方法，能够把被加工层加工成微细图案且周缘部有棱角的形状，用这种干蚀刻方法沿相当于蚀刻图案的轮廓的第一掩膜层(20)的周缘部形成向磁性薄膜层(被加工层)(18)的对面侧突出的突部(21)。
文档编号G11B5/84GK1748295SQ20048000401
公开日2006年3月15日 申请日期2004年6月11日 优先权日2003年6月30日
发明者大川秀一, 服部一博, 高井充 申请人:Tdk股份有限公司