专利名称：干蚀刻方法
技术领域：
本发明涉及在半导体器件制造中的干蚀刻方法，尤其是涉及通过由光刻胶构成的掩模层对有机类防反射膜蚀刻的干蚀刻方法。
背景技术：
近年来，在半导体器件的制造领域，为了防止在通过逐次曝光装置等曝光之际，在光刻胶膜内发生多重干涉引起的驻波等，多用防反射膜(ARC(Anti-Reflecting Coating)膜)。作为这样的防反射膜之一，使用有机类高分子的有机类防反射膜一直以来被使用。
图8是示出用上述有机类防反射膜的半导体器件的制造工序的一例。
如图8(a)所示，在半导体晶片(硅基板)201上，形成由氧化硅膜等构成的绝缘层202、多晶硅等构成的导体层203，在该导体层203上，通过旋转涂膜等方法形成有机类防反射膜204，和由光刻胶构成的掩模层205。
而且，首先，通过由逐次曝光装置的曝光工序以及由显像装置的显像工序，对由光刻胶构成的掩模层205进行曝光、显像，如图8(b)所示，形成预定图案掩模层205。其后，通过使用由Cl2气和O2构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，通过掩模层205对有机类防反射膜204进行蚀刻，如图8(c)所示，对有机类防反射膜204按照预定图案进行图案形成。
然后，通过掩模层205以及防反射膜204，对导体层203进行蚀刻，按照预定形状进行图案形成，其后，通过研磨加工除去掩模层205以及有机类防反射膜204(未图示)。
如上述所示，按照传统方式，通过使用由Cl2气和O2气构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，进行有机类防反射膜的蚀刻。
然而，在这样的传统方法，如图8(c)所示，有机类防反射膜204的侧壁部分204a成为锥状，存在侧壁部分形状不能垂直这样的问题。
此外，如图9所示，在形成的图案形状具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分(图中左侧部分)，和邻接的图案彼此之间隔开并稀疏地配置的部分(图中右侧部分)的情况下，上述的侧壁部分的形状由于图案紧密地配置部分和稀疏地配置部分而具有相异倾向。
即，在图9所示的例子中，在图案稀疏地配置的部分比图案紧密地配置的部分，侧壁部分的锥形形状具有更加显著的倾向。
此外，这样的侧壁部分的形状，即使在一个半导体晶片的面内，也在其中央部和周缘部具有相异的倾向。
因此，例如，对蚀刻气体的流量或压力、蚀刻中的半导体晶体的温度、在平行平板型等离子体蚀刻装置的电极上所加高频功率等的蚀刻条件进行调整，即使控制了上述侧壁部分的形状，但在半导体晶片的中央部、周缘部以及图案的稀疏部分、紧密部分的全部部位上使侧壁部分形状良好地进行蚀刻是困难的。
发明内容
因此，与传统的比较，本发明的目的是提供可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态的干蚀刻方法。
本发明的干蚀刻方法是通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻的干蚀刻方法，其特征在于，通过使用包含CF4气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对前述有机类防反射膜进行蚀刻。
本发明的特征为，通过上述的干蚀刻方法，前述预定的图案具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分，和邻接的图案彼此之间隔开并稀疏地配置的部分。
本发明的特征为，在上述的干蚀刻方法中，前述掩模层由光刻胶构成。
本发明的特征为，在上述的干蚀刻方法中，前述掩模层由ArF光刻胶构成。
本发明的特征为，在上述的干蚀刻方法中，横方向蚀刻前述掩模层及前述有机类防反射膜，进行线宽的微调。
本发明的干蚀刻方法是通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，该预定图案具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分和邻接的图案彼此之间隔开并稀疏地配置的部分，其特征在于，通过用含N2气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻对前述有机类防反射膜进行蚀刻。
本发明的干蚀刻方法的特征为，前述蚀刻气体大体含有同量的N2气和O2气。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，对前述掩模层以及前述有机类防反射膜横方向蚀刻，进行线宽的微调。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，前述掩模层由光刻胶构成。
本发明的干蚀刻方法是通过形成预定图案的至少一掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻的干蚀刻方法，其特征在于，对至少一掩模层进行横方向蚀刻，进行线宽的微调。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，前述掩模层由光刻胶形成。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，使用含N2气和O2气的蚀刻气体作为蚀刻气体。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，前述掩模层由ArF光刻胶形成。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，使用包含CF4气和O2气的蚀刻气体作为蚀刻气体。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，改变O2流量对蚀刻气体总流量之比(O2流量/(CF4流量+O2流量))来控制微调。
本发明的特征为，在上述干蚀刻方法中，改变施加在下部电极上的高频功率的功率密度，控制微调。
图1是示意地示出用于说明本发明—实施方式的晶片截面构成的图。
图2是本发明—实施方式中使用的装置的结构的实例示意图。
图3是示出用于说明本发明—实施方式的图案结构的图。
图4是第一实施例的CD移位的测量结果的示意图。
图5是第二实施例的CD移位的测量结果的示意图。
图6是示意地示出用于说明本发明其它实施方式的晶片截面结构的图。
图7是流量比和微调量关系的测量结果的示意图。
图8是示意地示出用于说明传统技术的晶片截面的结构的图。
图9是用于说明传统技术的图案结构的图。
图10是示出比较例的CD移位的测量结果的图。
具体实施例方式
以下，参照附图对实施方式说明本发明的细节。图1是为了说明本发明的—实施方式，示意地示出放大半导体晶片(硅基板)的纵截面一部分的图。
正如同图(a)所示，在半导体晶片(硅基板)101形成由氧化硅膜形成的绝缘层102，由多晶硅等形成的导体层103，在该导体层103上通过旋转涂膜等方法形成有机类防反射膜104和由光刻胶形成的掩模层105。
而且，首先通过逐次曝光装置等的曝光工序以及通过显像装置的显像工序对由光刻胶形成的掩模层105进行曝光、显像，如图1(b)所示，形成预定图案掩模层105。其后，从图1(b)所示的状态，通过使用由CF4气和O2气构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，通过掩模层105对有机类防反射膜104进行蚀刻，如图1(c)所示地，按照预定图案使有机类防反射模104进行图案形成。在上述有机类防反射膜104的蚀刻工序之后，通过掩模层105以及有机类防反射膜104，对导体层103进行蚀刻，按照预定图案进行图案形成处理，其后，通过研磨加工除去掩模105以及有机类防反射膜104。
图2是示意地示出在本发明的实施方式中使用的等离子体处理装置(蚀刻装置)构成的一例的图。如同图所示，蚀刻装置1构成为电极板上下平行地对置、一方与形成等离子体用电源连接的电容耦合型平行平板蚀刻装置。
该蚀刻装置1例如按照具有由表面经阳极氧化处理(氧化铝膜处理)的铝构成的成型为圆筒形的腔室2，该腔室2接地。腔室2内的底部通过陶瓷等绝缘板3，设置用于载置晶片W的大体为圆柱状的基座支持台4。在该基座支持台4之上设置构成下部电极的基座5。该基座5与高通滤波器(HPF)6连接。
在基座支持台4的内部设置温度调节媒体室7。而且，经导入管8把温度调节媒体导入温度调节媒体室7，进行循环，从排出管9排出。通过这样的温度调节媒体的循环，可以控制基座5在所希望的温度上。
在基座5的上侧中央部按照凸状的圆板状成形，其上设置与晶片W大体同形的静电卡盘11。静电卡盘11为在绝缘材料之间介入电极12的构成。静电卡盘11通过从与电极12连接的直流电源13施加例如1.5kV的直流电压，由库仑力静电吸附晶片W。
而且，在绝缘板3、基座支持台4、基座5、以及静电卡盘11上，在作为被处理体的晶片W的背面形成供给传热媒体(例如He气等)的气体通路14，经该传热媒体，进行在基座5和晶片W之间的热传导，从而把晶片W维持在预定的温度。
在基座5的上端周缘部上配置环状的聚焦环15，以包围在静电卡盘11上载置的晶片W。该聚焦环15由陶器或石英等绝缘材料或导电性材料构成，使蚀刻的均匀性提高。
在基座5的上方，设置上部电极21，与该基座5平行、对置，。该上部电极21通过绝缘材料22在腔室2的内部被支持。上部电极21通过构成与基座5的对置面的、具有多个排气孔23的电极板24(例如由石英构成)和支持该电极24的电极支持体25(导电性材料，例如表面经氧化铝膜处理的铝构成)构成。基座5和上部电极21的间隔作成可以调节。
在上部电极21的电极支持体25的中央设置气体导入口26。该气体导入口26与气体供给管27连接。此外，在该气体供给管27上经阀门28以及质量流量控制器29，与处理气体供给源30连接。从该处理气体供给源30供给用于等离子体蚀刻的蚀刻气体。图2只图示了一台由上述处理气体供给源30等构成的气体供给系统，然而可构成为设置多个这些处理气体供给系统，各自独立地对例如CF4、O2、N2、CHF3等气体进行流量控制，供给腔室2内。
另一方面，在腔室2底部连接排气管31，在该排气管31上连接排气装置35。排气装置包含涡轮分子泵等真空泵，使腔室2可真空抽气直到预定的减压环境(例如0.67Pa以下)。在腔室2的侧壁上设置门阀32。在打开该门阀32的状态下，晶片W可以与邻接的载置锁定装置(未图示)之间进行传送。
上部电极21与第一高频电源40连接，在其馈电线上介插匹配器41。上部电极21与低通滤波器(LPF)42连接。该第一高频电源40具有50～150MHz范围的频率。这样一来，通过施加高频功率，腔室2内可为优选的离解状态，且形成高密度的等离子体，使在比传统方式更低压条件下的等离子体处理成为可能。优选该第一高频电源40的频率为50～80MHz，典型地采用图示的60MHz或其附近的频率。
在作为下部电极的基座5上连接第二高频电源50，在其馈电线上介插匹配器51。该第二高频电源50具有数百KHz～十几MHz范围的频率。通过施加这样的范围的频率，可以对作为被处理体的晶片W提供不会损伤的合适的离子作用。第二高频电源50的频率典型地采用图示的13.56MHz或800KHz等的频率。
其次，通过上述构成的蚀刻装置1，对通过由光刻胶形成的掩模层105对在晶片W上形成的有机类防反射膜104按照预定图案进行蚀刻的工序，加以说明。
首先，如前述所示，打开门阀，把形成有有机类防反射膜104、以及按照预定图案的进行图案形成的掩模层105的晶片W，从未图示的载置锁定装置搬入到腔室2内，在静电卡盘11上载置。而且，通过从直流电源13施加直流电压，使晶片W在静电卡盘11上静电吸附。
其次，关闭门阀32，通过排气装置35对腔室2内真空抽气直到预定的真空度。其后，打开阀门28，通过质量流量控制器29边调整其流量，边通过处理气体供给管27、气体导入口26、上部电极21的中空部、电极板24的排出孔23，如图2箭头所示，从处理气体供给源30对晶片W均匀吐出CF4+O2的蚀刻气体。与此同时，腔室2内的压力维持在预定的压力。而且，从第一高频电源40以及第二高频电源50，在作为上部电极21以及下部电极的基座5上施加高频电压，使蚀刻气体等离子体化，对晶片W的有机类防反射膜104进行蚀刻。在成为前述的图1(C)状态的时刻，结束蚀刻工序。
通过上述的工序，如图3所示，以预定的图案进行具有邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置的部分(图中左侧部分，线∶间隔＝1∶1)和邻接的图案彼此之间相隔开而稀疏地配置的部分(图中右侧部分，线∶间隔＝1∶10以上)形状的图案形成的200mm晶片作为第一实施例，在以下的条件下进行蚀刻，即蚀刻气体CF4(流量35SCCM)+O2(流量5SCCM)CF4流量∶O2流量＝7∶1压力0.67Pa(5mTorr)上部电极所加高频功率325W下部电极所加功率30W电极间距离80mm基座温度80℃。
在通过上述第一实例的工序得到的有机类防反射膜的图案中，由SEM(扫描电子显微镜)观测的时候，如图3所示，有机类防反射膜104的侧壁部分的形状是大体垂直的良好形态。这样的良好形状在邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置的部分以及邻接的图案彼此之间隔开而稀疏地配置的部分的任一部分，而且在晶片的中央部、周缘部的任一部均不变化。对这样的有机类防反射膜的图案，在晶片面内的各部(晶片中央部和周缘部)中，在邻接的图案彼此之间接近而密切地配置的部分、以及邻接的图案彼此之间相隔开而稀疏地配置的部分的双方测量设计值的线宽和在实际上通过蚀刻形成图案的线宽之间的错位(CD移位)。
图4的曲线图是示出该测量结果，纵轴示出CD移位(nm)，横轴示出晶片面内的径向位置(离开晶片中心的距离)(mm)。
在图4的曲线图中，实线A示出邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置的部分在X方向线宽的测定结果，实线B示出邻接的图案彼此之际相隔开而稀疏地配置的部分在X方向线宽的测定结果，实线C示出邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置的部分在Y方向线宽的测定结果，实线D示出邻接的图案相隔开而稀疏地配置的部分在Y方向线宽的测定结果。
如同图所示，在第一实施例中，图案紧密地配置的部分和稀疏地配置的部分之间线宽的偏差小，晶片面内的线宽的偏差也小。CD移位的平均值为-19.8nm，图案密切地配置的部分和稀疏地配置的部分之间线宽之差为4.4nm。
为了比较，使用由一直以来使用的Cl2+O2构成的蚀刻气体，在以下条件下进行与上述同样的图案的有机类防反射膜的蚀刻，即蚀刻气体Cl2(流量10SCCM)+O2(流量30SCCM)压力0.67Pa(5mTorr)上部电极所加高频功率325W下部电极所加高频功率30W电极间距80mm基座温度80℃。
对通过上述蚀刻得到的有机类防反射膜的图案由SEM(扫描电子显微镜)观测时，如图9所示，有机类防反射膜204侧壁部分的形状成为锥形。
与图4曲线同样地，图10的曲线示出对这样的有机类防反射膜图案测定设计值的线宽和实际上蚀刻形成的图案线宽之间的错位(CD移位)的结果。
如同图所示，对在图4的曲线中示出的前述实施例的情况作比较，在比较例中，图案紧密地配置部分和稀疏地配置部分的线宽偏差大，晶片面内的线宽偏差也大。CD移位的平均值为-29.9nm，图案紧密地配置部分和稀疏地配置部分的线宽之差为14.6nm。
其次，作为第二实施例，把前述的CF4+O2的蚀刻气体变更为N2+O2的蚀刻气体，如图3所示，预定的图案在以下条件下蚀刻成具有邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置部分(图中左侧部分)和邻接的图案彼此之间隔开而稀疏地配置的部分(图中右侧部分)的形状的图案，即蚀刻气体N2(流量20SCCM)+O2(流量20SCCM)压力0.67Pa(5mTorr)上部电极所加高频功率325W下部电极所加高频功率30W
电极间距80mm基座温度80℃。
对通过上述第二实施例的蚀刻工序得到的有机类防反射膜的图案，通过SEM(扫描电子显微镜)观测时，与前述的第一实施例同样地，即使在邻接的图案彼此之间接近而紧密地配置的部分以及邻接的图案彼此之间隔开而稀疏地配置的部分的任一部分中，也可以使有机类防反射膜的侧壁部分形状为大体垂直的良好形状。
对这样的有机类防反射膜的图案，与图4曲线同样地，图5中的曲线示出测量设计值的线宽和实际上由蚀刻形成的图案的线宽之间的错位(CD移位)的结果。
如图5的曲线所示，即使在第二实施例中，也如前述的第一实施例同样地，图案紧密地配置的部分和稀疏地配置的部分的线宽的偏差也小，在晶片面内的线宽的偏差也小。CD移位的平均值为-50.3nm，图案紧密地配置的部分和稀疏地配置的部分的线宽之差为2.6nm。
在该第二实施例中，如上述所示，CD移位的平均值为-50.3nm大。因此，与设计值的线宽相比，实际的线宽细，然而，可以预先设定掩模层的线宽宽，通过由蚀刻工序使该线宽变狭(微调)，在掩模层的曝光、显像工序中，不强迫使掩层的线宽变得过细，通过在蚀刻工序中的微调，作为结果，可以形成线宽细的配线等。
即根据上述第二实施例的蚀刻工序，在曝光工序、显像工序中形成的、由光刻胶构成的掩模层的线宽通过作成比实际线宽粗50nm，经蚀刻工序的微调，可以形成必要细的线宽的配线等。
可是，在近年，常使用通过以ArF气体作为发光源的激光曝光的光刻胶，即所谓ArF光刻胶。该ArF光刻胶与传统的KrF光刻胶相比较，可以形成更微细的图案。可是因为耐等离子体性低，存在产生光刻胶表面受损、与被蚀刻部的选择比(蚀刻速度比)小，此外，产生光刻胶垮塌问题。构成ArF光刻胶的主要物质例如为环稀树脂、含有脂环族的丙烯树脂、环稀—无水马来酸树脂等。
即使在使用这样的ArF光刻胶的情况下，也可以使用本发明。以下对使用这样的ArF光刻胶的实施方式加以说明。
图6是示意地示出为了说明使用ArF光刻胶的实施方式，对半导体晶片(硅基板)的纵截面的部分进行放大的图。
在图6示出的半导体晶片中，如图6(a)所示，在多晶硅膜121上，以预定膜厚(在本实施方式为50nm)形成氧化硅膜122，在该氧化硅膜122上以预定膜厚(在本实施方式80nm)形成有机类防反射膜123。在有机类防反射膜123之上，经前述那样的曝光工序、显像工序，按照预定图案形成经图案化后的预定膜厚(在本实施方式为240nm)的ArF光刻胶124。在本实施方式中，ArF光刻胶124的线宽(图中用d示出)为80nm。
而且，从图6(a)所示的状态出发，首先通过使用由CF4气和O2气构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，通过ArF光刻胶124(掩模层)对有机类防反射膜123进行蚀刻，如图6(b)所示，以预定图案进行有机类防反射膜123图案形成。
其后，从图6(b)所示状态出发，经ArF光刻胶124(掩模层)以及有机类防反射膜123，通过使用由CF4气和CHF3气构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，如图6(c)所示，以预定图案对氧化硅膜122进行图案形成。
而且，其后，通过研磨加工除去ArF光刻胶124以及有机类防反射膜123。
通过以上的工序，通过对有机类防反射膜123以及氧化硅膜122进行蚀刻，不引起ArF光刻胶124表面受损或光刻胶垮塌，从而可以对氧化硅膜122进行蚀刻。
在有机类防反射膜123的蚀刻工序中，可以进行前述的微调，也可以容易地进行该微调量的控制，此外，在氧化硅膜122的蚀刻工序中，可以几乎不改变该微调的线宽地进行蚀刻。
通过上述工序，作为第三实施例在以下条件下，对直径200mm的晶片进行蚀刻。此外，为了调查改变O2气流量对蚀刻气体的总流量(CF4+O2)的流量比之际的微调量的变化，改变[O2流量/CF4+O2]流量，进行多次蚀刻。
(有机类防反射膜的蚀刻)蚀刻气体CF4+O2(总流量40sccm)压力0.67Pa(5mTorr)
上部电极所加高高频功率300W下部电极所加高频功率60W电极间间距140mm温度(顶/壁/底)80/60/75℃He气压力(中央/边缘)400/400Pa(3Torr)过蚀刻10％。
(氧化硅膜的蚀刻)蚀刻气体CF4(流量20sccm)+CHF3(流量20sccm)压力5.3Pa(40mTorr)上部电极所加高频功率600W下部电极所加高频功率100W电极间间距140mm温度(顶/壁/底)80/30/65℃He气压力(中央/边缘)1300/1300Pa(10Torr)过蚀刻10％。
对通过上述第三实施例的蚀刻工序得到的图案，通过SEM(扫描电子显微镜)观测时，可以不产生ArF光刻胶表面受损或光刻胶垮塌而对有机类防反射膜以及氧化硅膜进行蚀刻。
通过改变[O2流量/(CF4+O2)流量]，可以容易地对有机类防反射膜微调量进行控制。在图7中示出该微调量的控制结果。图7的曲线以纵轴为微调量(nm)，横轴为[O2流量/(CF4+O2)流量]之比(％)，示出它们之间的关系，图中的三角形示出第三实施例的结果。在这种情况下，在下部电极上所加的每单位面积的高频功率(RF功率密度)为0.19W/cm2。如同图所示，通过改变[O2流量/(CF4+O2)流量]，可以使微调量大体直线状地改变。
在氧化硅膜的蚀刻工序中，可以几乎不改变线宽(微调量少)地进行蚀刻。在该氧化硅膜蚀刻工序中的微调量(线宽减少量)平均为-0.2nm。
其次，对于直径300mm的晶片，作为第四实施例，在以下条件下，与上述第三实施例同样地，对有机类防反射膜进行蚀刻。
(有机类防反射膜的蚀刻)
蚀刻气体CF4+O2(总流量80sccm)压力0.93Pa(7mTorr)上部电极所加高频功率100W下部电极所加高频功率400W电极间间距170mm温度(顶/壁/底)80/60/75℃He气压力(中央/边缘)670/670Pa(5Torr)过蚀刻10％。
在前述的图7曲线上，用圆形符号表示上述第四实施例中的微调量(nm)和[O2流量/CF4+O2流量]之比的关系。如同图所示，即使在第四实施例中，通过改变[O2流量/(CF4+O2)流量]，也可以使微调量大体直线状地改变。
可是，该第四实施例中的下部电极上所加的每单位面积的高频功率量(RF功率密度)为0.57W/cm2。该值比前述的第三实施例中的0.19W/cm2高。而且，其结果如图7所示，如果与第三实施例比较，则微调量相对地增加。这被认为是由于在下部电极上所加的功率密度大，则离子能量增加，而向横方向进行蚀刻(微调)的缘故。
因此，使[O2流量/(CF4+O2)流量]一定，通过改变在下部电极上所加的高频功率的功率量(功率密度)，则也可以控制微调量。
在上述各例中，对使用作为平行平板型、对上部电极和下部电极的双方供给高频功率，并进行蚀刻的蚀刻装置的实施方式加以了说明，然而，本发明当然并不限于这样的实施方式，可以使用所有的等离子体蚀刻装置，例如只在上部电极、下部电极的一方上供给高频功率的方式的蚀刻装置，用磁场控制等离子体的蚀刻装置等。
工业上利用的可能性本发明的干蚀刻方法，可在进行半导体器件制造的半导体制造工业等之中使用。因而，本发明具有工业上利用的可能性。
权利要求
1.一种干蚀刻方法，通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有CF4气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对所述有机类防反射膜进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述预定的图案具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分和邻接的图案彼此隔开并稀疏地配置的部分。
3.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由光刻胶构成。
4.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由ArF光刻胶构成。
5.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，对所述掩模层以及所述有机类防反射膜横方向蚀刻，并进行线宽的微调。
6.一种干蚀刻方法，通过形成具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分和邻接的图案彼此之间隔开并稀疏地配置的部分的预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有N2气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对所述有机类防反射膜进行蚀刻。
7.根据权利要求6所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻气体含有大体相同量的N2气和O2气。
8.根据权利要求6所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由光刻胶构成。
9.根据权利要求6所述的干蚀刻方法，其特征在于，对所述掩模层以及所述有机类防反射膜横向蚀刻，并进行线宽的微调。
10.一种干蚀刻方法，通过形成预定图案的至少一掩模层，对有机类防反射层进行蚀刻，其特征在于，对所述至少一掩横层横向蚀刻，并进行线宽的微调。
11.根据权利要求10所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由光刻胶构成。
12.根据权利要求10所述的干蚀刻方法，其特征在于，使用含有N2气和O2气的蚀刻气体，作为蚀刻气体。
13.根据权利要求11所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由ArF光刻胶构成。
14.根据权利要求13所述的干蚀刻方法，其特征在于，使用含有CF4气和O2气的蚀刻气体作为蚀刻气体。
15.根据权利要求13所述的干蚀刻方法，其特征在于，改变O2气流量对蚀刻气体总流量之比(O2流量/(CF4流量+O2流量))，控制微调量。
16.根据权利要求13所述的干蚀刻方法，其特征在于，改变在下部电极上所施加的高频功率的功率密度，控制微调量。
全文摘要
使用CF
文档编号H01L21/027GK1535474SQ0281379
公开日2004年10月6日 申请日期2002年7月5日 优先权日2001年7月10日
发明者清水昭贵, 鹤田敬, 榎本隆, 冈广实, 高明辉 申请人:东京毅力科创株式会社