调适存储器系统中的字线脉冲宽度的制作方法

专利名称：调适存储器系统中的字线脉冲宽度的制作方法
技术领域：
本发明的实施例涉及存储器系统。更明确地说，本发明的实施例涉及调适存储器 系统中使用的字线脉冲宽度。
背景技术：
随着CMOS技术持续缩放到较小尺寸，归因于工艺控制限制以及基本物理限制的 工艺变化趋于增加。例如内嵌式SRAM等内嵌式存储器由于侵入性设计规则及其与其它数 字逻辑相比较小的大小而尤其容易受到较大工艺变化的影响。为了应对工艺变化的此较大 增加，存储器电路设计者通常使用过于保守的设计方法以便实现高参数和功能良率。举例来说，设计者可通过设计特定集成电路(IC)以在较广的工艺变化范围(包含 局部(每一 IC内)和全局(IC之间)变化两者)内起作用来针对良率折衷性能(例如，速 度)和/或功率消耗。这导致所生产的较大百分比的IC可操作(即，增加的良率)，但性能 和/或功率消耗的牺牲在未经历完全范围的工艺变化的那些IC中可能较大。归因于工艺 变化的统计性质，经历较大性能和/或功率消耗降级的IC的实际数目可能相当高。图1是说明常规存储器系统100的示意图。100包含存储器110、内建自测(BIST) 电路120，和脉冲宽度设定模块130。BIST 120测试存储器110的内部功能性的全部或一部 分。脉冲宽度设定模块130设定WL脉冲宽度以用于存储器110中的读取/写入循环。脉 冲宽度设定模块130可从系统控制器等接收指示所需WL脉冲宽度的外部η位代码。如此项技术中众所周知，WL脉冲宽度确定每一读取或写入操作完成所需的时间长 度，其直接影响所述存储器的性能和功率消耗两者。一般来说，增加的WL脉冲宽度确保较 准确的读取/写入操作，但操作较缓慢且需要较多功率。相比之下，减小的WL脉冲宽度可 能较不准确(尤其在较广的工艺变化范围内)，但可较快地操作且需要较少功率。因此，设 定所需WL脉冲宽度经常是存储器性能与良率之间的设计折衷。当生产实施存储器系统100的一批IC时，用于优化存储器性能并增加良率的常规 制造后技术之一是使用后硅(post-silicon)数字调整。通常，用于控制WL脉冲宽度的外 部数字代码(WL脉冲宽度代码)经设定以实现针对某一存储器的目标良率。对存储器的较 大样本执行测量，且针对不同WL脉冲宽度确定良率。基于目标良率确定最佳WL脉冲宽度， 且其对于所有存储器为固定的。此方法具有若干限制。一个限制是WL脉冲宽度对于基于极端工艺变化的所有IC 是固定的。如上文所论述，许多(如果不是大部分)IC不经历此类极端工艺变化。因此，较大性能损失和额外功率消耗可影响大部分所生产的IC。另一限制是需要较大测试时间来测 量准确确定针对给定目标良率的最佳WL脉冲宽度的值所需的较大样本大小。

发明内容
本发明的示范性实施例针对用于调适存储器系统中使用的WL脉冲宽度的系统、 电路和方法。本发明的一个实施例针对一种设备，包括具有相关联WL脉冲宽度的字线(WL)脉 冲；内建自测(BIST)单元，其与存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内 部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL 控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所 述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。本发明的另一实施例针对一种调节存储器系统中的字线(WL)脉冲宽度的方法， 所述存储器系统包含根据WL脉冲操作的存储器。所述方法包括对存储器系统执行自测以 测试当前WL脉冲宽度下存储器的内部功能性；以及使用芯片上自适应WL控制电路基于自 测的结果调节存储器的WL脉冲宽度。本发明的另一实施例针对一种用于调节存储器系统中的字线(WL)脉冲宽度的设 备，所述存储器系统包含根据WL脉冲操作的存储器。所述设备包括用于对存储器系统执 行自测以测试当前WL脉冲宽度下存储器的内部功能性的装置；以及用于基于自测的结果 调节存储器的WL脉冲宽度的芯片上装置。本发明的另一实施例针对一种计算机可读媒体，其包含可由处理器执行以调节存 储器系统中的字线(WL)脉冲宽度的指令集，所述存储器系统包含根据WL脉冲操作的存储 器。所述计算机可读媒体包括第一指令集，其可由处理器执行以对存储器系统执行自测以 测试当前WL脉冲宽度下存储器的内部功能性；以及第二指令集，其可由处理器执行以基于 自测的结果调节存储器的WL脉冲宽度。


呈现附图以辅助描述本发明的实施例，且附图仅为了说明实施例而非对其的限制 而提供。图1是说明根据字线(WL)脉冲读取/写入数据的常规存储器系统的示意图。图3是说明自适应WL控制回路的操作的流程图。图4说明使用η位计数器的图2的脉冲宽度控制器的实例实施方案。图5展示无线通信系统中的无线通信装置的设计的框图。
具体实施例方式在针对本发明的特定实施例的以下描述和相关图式中揭示本发明的实施例的各 方面。可在不脱离本发明的范围的情况下设计出替代实施例。另外，本发明的众所周知的 元件将不详细描述或将省略以免混淆本发明的相关细节。本文中使用词语“示范性”来表示“充当一实例、例子或说明”。本文描述为“示范 性”的任何实施例不必解释为与其它实施例相比为优选或有利的。同样，术语“本发明的实施例”不要求本发明的所有实施例均包含所论述的特征、优点或操作模式。如背景技术中所论述，优化一批给定集成电路(IC)中的存储器系统的字线(WL) 脉冲宽度的常规方法通过折衷个别IC中的性能和/或功率消耗以增加总体良率而虑及较 广的工艺变化范围。然而，此方法通常对于IC中的许多(如果不是大部分)存储器系统来 说过于保守。为了增加性能和减少功率消耗，同时仍维持且潜在地增加总体良率，本发明的 实施例个别地针对每一 IC调节WL脉冲宽度。尽管常规方法基于针对IC群组的平均测量 值将每一 IC中的WL脉冲宽度限制为保守值，但本发明的实施例允许WL脉冲宽度个别地适 应每一 IC以便鉴于所述IC所经历的实际工艺变化而优化性能和功率消耗。图2说明根据本发明实施例的存储器系统200。存储器系统200包含背景技术中 描述的存储器210、内建自测(BIST)。然而，存储器系统200添加了自适应WL脉冲控制模 块240、脉冲宽度控制器250、解码器260和代码重编程模块270，其与预先存在的常规存储 器系统基础结构(包含存储器210、BIST 220和脉冲宽度设定模块230)介接以形成自适应 WL控制回路280，所述自适应WL控制回路280个别地控制一个或一个以上IC中的每一存 储器的WL脉冲宽度，如下文将更详细描述。自适应WL脉冲控制模块240使用一系列控制信号直接与BIST 220、脉冲宽度控制 器250和代码重编程模块270介接。如图2中所说明，自适应WL脉冲控制模块240从系统 控制器等(未图示)接收loacLcode信号、启用信号和CLK信号。loacLcode信号指示将载 入初始WL脉冲宽度代码。启用信号指令自适应WL脉冲控制模块240开始最佳WL脉冲宽 度确定程序。CLK信号简单地向自适应WL脉冲控制模块240提供系统时钟。自适应WL脉冲控制模块240将en_bist信号发送到BIST 220，指令BIST 220对 存储器210执行自测。en_bist可简单地实施为单一位，其中例如“1”指令BIST 220执行 自测且“0”指令BIST 220不执行自测，或通过使用更精细的方案。作为响应，BIST 220将 通过(pass)信号和完成(done)信号发送到自适应WL脉冲控制模块240。通过信号指示存 储器210是否通过自测(即，存储器210令人满意地操作)或存储器210是否未通过自测 (即，存储器210不令人满意地操作)。通过信号可简单地实施为单一位，其中例如“1”指 示“通过”且“0”指示“未通过”，或通过使用更精细的方案。完成信号指示BIST 220已完 成对存储器210执行自测。完成信号可简单地实施为单一位，其中例如“1”指示自测完成 且“ 0 ”指示自测未完成，或通过使用更精细的方案。自适应WL脉冲控制模块240通过发送载入信号和向上/向下信号而与脉冲宽度 控制器250通信。载入信号指令脉冲宽度控制器250载入初始WL脉冲宽度代码。初始WL 脉冲宽度代码可由例如系统控制器提供到脉冲宽度控制器250。可基于因为初始WL脉冲宽 度代码可指示可能不是初始最佳(即，太大或太小)的WL脉冲宽度，所以向上/向下信号 指示脉冲宽度控制器250从初始值增加或减小WL脉冲宽度代码，而确定初始WL脉冲宽度 代码值。向上/向下信号可简单地实施为单一位，其中例如“1”指令脉冲宽度控制器250 增加WL脉冲宽度代码值且“0”指令脉冲宽度控制器250减小WL脉冲宽度代码值，或通过 使用更精细的方案。另外，自适应WL脉冲控制模块240还向脉冲宽度控制器250提供时钟 clk_cout信号。clk_c0ut信号可为例如CLK信号的经降频转换版本，以促进脉冲宽度控制 器250递增或递减WL脉冲宽度代码。自适应WL脉冲控制模块240还从脉冲宽度控制器250接收超载信号，其指示WL脉冲宽度代码是否已增加到其最大值或减小到其最小值。超载信号可简单地实施为单一 位，其中例如“ 1，，指示已达到最大值或最小值且“0”指示未达到最大值或最小值，或通过使 用更精细的方案，例如两位信号，其中“10”指示已达到最大值，“01”指示已达到最小值，且 “ 00，，指示未达到最大值或最小值。当已选择最终代码时，脉冲宽度控制器250将所述最终代码输出到代码重编程模 块270，且自适应WL脉冲控制模块240将writejode信号发送到代码重编程模块270，指令 代码重编程模块270将经优化最终WL脉冲宽度代码编程到其中所含的存储器中。write_ code可简单地实施为单一位，其中例如“1”指令代码重编程模块270对最终代码进行编程 且“0”指令代码重编程模块270不对最终代码进行编程，或通过使用更精细的方案。代码 重编程模块270允许存储器系统100的动态实时重编程，且允许经优化最终WL脉冲宽度代 码的永久存储。在一些应用中，代码重编程模块270中的存储器可为能够无限期地存储经 优化最终WL脉冲代码的非易失性存储器。举例来说，代码重编程模块270可以eFUSE存储 器或任何其它众所周知的可编程非易失性存储来实施。然而，在其可应用的其它应用中，可 使用易失性存储器。解码器260在WL脉冲宽度确定期间从脉冲宽度控制器250或一旦已最终确定WL 脉冲宽度代码则从代码重编程模块270接收WL脉冲宽度代码。因为WL脉冲宽度代码可不 必具有与实际WL脉冲宽度的单调关系，所以解码器260用于映射或解码每一 WL脉冲宽度 代码，使得从脉冲宽度设定模块230输出的WL脉冲宽度相对于预先解码的WL脉冲宽度代 码单调地增加/减小。脉冲宽度设定模块230又设定用于从存储器210读取或向存储器 210写入的WL脉冲宽度。所属领域的一般技术人员将了解，解码器260允许自适应WL控制回路280搜索潜 在WL脉冲宽度代码以获得经优化代码，而不跟踪已通过在单一增加/减小方向上搜索而搜 索到哪些代码。然而，解码器260的使用不希望限制本发明的各种实施例的范围，本发明的 各种实施例可替代地使用存储器等来跟踪已测试哪些代码。图3是说明根据本发明的实施例的自适应WL控制回路的操作的流程图。现将在 下文中参看图2和3且参考上文描述的控制信号来描述优化存储器系统200的WL脉冲宽 度的操作。根据本发明的实施例，每一 IC独立地设定其自身的WL脉冲宽度。这可例如在初 始加电时或每当需要时进行。举例来说，众所周知的寿命相依存储器降级效应(例如，热载 流子效应、负偏压温度不稳定性(NBTI)效应等)可减小存储器随时间的性能。因此，可能 需要不仅初始地而且在鉴于降级的IC特性优化存储器操作之后调节根据本发明的实施例 的存储器的WL脉冲宽度。一旦系统控制器使用启用信号启用自适应WL控制回路280，其就使用loacLcode 信号指令自适应WL脉冲控制模块240载入初始WL脉冲宽度代码。自适应WL脉冲控制模 块240又使用载入信号指令脉冲宽度控制器250载入初始WL脉冲宽度代码。脉冲宽度控 制器250将初始WL脉冲宽度代码输出到解码器260，解码器260随后经由将WL脉冲宽度设 定为初始值。一旦设定WL脉冲宽度，自适应WL脉冲控制模块240就使用en_bist信号指令 BIST220对存储器210执行自测(框310)。BIST 220执行自测且使用完成信号向自适应WL脉冲控制模块240指示完成。BIST 220还使用通过信号将自测的结果传递到自适应WL 脉冲控制模块240 (框320)。如果通过信号指示通过，那么IC至少满足最小设计规格。因此，自适应WL脉冲控 制模块240将试图增加此特定IC的性能且减小其功率消耗。为此，自适应WL脉冲控制模 块240进入优化模式(框群组330)。在此模式中，自适应WL脉冲控制模块240使用向上/ 向下信号指令脉冲宽度控制器250减小WL脉冲宽度代码(框332)。减小WL脉冲宽度代码 以及相应地减小WL脉冲宽度可允许IC以增加的性能和减小的功率消耗起作用。当前WL 脉冲宽度以上文针对初始WL脉冲宽度代码描述的方式依据当前WL脉冲宽度代码被应用于 存储器210。一旦WL脉冲宽度已经更新，自适应WL脉冲控制模块240就使用en_biSt信号指 令BIST 220对存储器210执行后续自测，以测试存储器210在当前WL脉冲宽度值下是否 操作(框334)。与之前一样，BIST 220执行自测且使用完成信号向自适应WL脉冲控制模 块240指示完成。BIST 220还使用通过信号将自测的结果传递到自适应WL脉冲控制模块 240 (框336)。如果存储器210通过此后续自测，那么其即使在由减小的WL脉冲宽度引起 的增加的功能要求下仍将操作。自适应WL脉冲控制模块240接着将试图通过以迭代方式 重复以上操作(框332到336)直到存储器210未通过后续自测而进一步增加性能和减小 功率消耗。一旦后续自测指示未通过，就已达到存储器210的操作限度。因此，自适应WL脉 冲控制模块240使用writejode信号指令代码重编程模块270对导致通过自测的最后WL 脉冲宽度代码(即，此模式中的先前WL脉冲宽度代码)进行编程(框338)。如果达到最 小WL脉冲宽度代码，那么超载信号。如果存储器210在最小WL脉冲宽度的情况下仍通过 后续自测，那么最小WL脉冲宽度代码将被编程到代码重编程模块270中。因此，通过进入优化模式，根据本发明实施例的自适应WL控制回路可潜在地增加 特定IC的性能并减小其功率消耗。现返回初始BIST通过/未通过(框320)，如果通过信号指示未通过，那么IC不满 足最小设计规格。在常规存储器系统100中，这将意味着此特定IC有缺陷且将必须丢弃。 然而，根据本发明实施例，此特定IC仍可进行补救。举例来说，BIST未通过可潜在地通过 增加读取容限(即，增加WL脉冲宽度)来减轻。为此，自适应WL脉冲控制模块240进入恢 复模式(框群组340)。在此模式中，自适应WL脉冲控制模块240使用向上/向下信号指令 脉冲宽度控制器250增加WL脉冲宽度代码(框341)。增加WL脉冲宽度代码以及相应地 WL脉冲宽度可允许IC稳定地起作用，即使在减小的性能和较高的功率消耗下。当前WL脉 冲宽度以上文针对初始WL脉冲宽度代码描述的方式依据当前WL脉冲宽度代码而应用于存 储器210。一旦WL脉冲宽度已经更新，自适应WL脉冲控制模块240就使用en_biSt信号指 令BIST 220对存储器210执行后续自测，以测试存储器210在当前WL脉冲宽度值下是否 操作(框343)。与之前一样，BIST 220执行自测且使用完成信号向自适应WL脉冲控制模 块240指示完成。BIST 220还使用通过信号将自测的结果传递到自适应WL脉冲控制模块 240 (框345)。如果存储器210未通过此后续自测，那么其即使在由增加的WL脉冲宽度引 起的减小的功能要求下仍不操作。只要未达到最大可允许WL脉冲宽度(框347)，自适应WL脉冲控制模块240就接着将试图通过以迭代方式重复以上操作(框341到345)直到存 储器210通过后续自测而更进一步减小功能要求。一旦后续自测指示通过，操作限度就使用write_COde信号指令代码重编程模块 270对导致通过自测的最后WL脉冲宽度代码(S卩，此模式中的当前WL脉冲宽度代码)进行 编程(框350)。如果达到最大WL脉冲宽度代码且存储器210仍未通过后续自测，那么脉冲 宽度控制器250将使用超载信号向自适应WL脉冲控制模块240警告此情况(框347)。在 此情况下，此特定存储器未能恢复且被认为是不可操作的(框349)。因此，通过进入恢复模式，根据本发明实施例的存储器系统可通过恢复不满足最 小原始设计要求但仍能够在提供某一可接受操作水平的减小的要求下起作用的IC来潜在 地增加良率。一旦最终WL脉冲宽度代码经编程，系统启用信号就可减活且停用自适应WL控制 回路280。在此点上，经优化最终WL脉冲宽度代码存储在代码重编程模块270中并传递到 解码器260以用于存储器210中。所属领域的一般技术人员将了解，上文描述的递增搜索算法是出于说明性目的而 展示的，且不希望限制根据本发明的各种实施例可实施的搜索算法的范围。举例来说，树搜 索算法、随机搜索算法或此项技术中众所周知的其它搜索算法也可根据本发明的各种实施 例而使用。图4说明使用η位计数器的图2的脉冲宽度控制器的实例实施方案。如图所示，η位计数器410接收载入信号、向上/向下信号和clk_c0Ut信号。如上 文参看图2所描述，这些控制信号可从自适应WL脉冲控制模块240输出。η位计数器410 还从系统控制器等接收η位初始WL脉冲宽度代码。η位计数器410输出η位当前WL脉冲 宽度代码和超载信号。如上文参看图2所描述，超载信号可由自适应WL脉冲控制模块240 接收，且η位当前WL脉冲宽度代码可由解码器260和/或代码重编程模块270接收。N位计数器410包含用于根据上文描述的操作参考进入一系列位存储装置(例如， 触发器)中的脉冲宽度代码值b0到bn而增加和减小初始WL脉冲宽度代码的电路。当接 收到向上/向下信号时，η位计数器410使用计数器电路根据clk_c0ut信号递增或递减所 存储的WL脉冲宽度代码，所述计数器电路是此项技术中众所周知的，且此处将省略对其的 进一步描述。一旦当前WL脉冲宽度代码已经更新，其就作为可用于调节WL脉冲宽度等的当前 WL脉冲宽度代码值QO-Qn输出。计数操作还跟踪从计算中产生的任何溢出位。溢出位使用 超载信号输出以指示已达到最大或最小值。如上文所论述，这可用于确定是否已达到最大 或最小功能性。本文描述的技术可用于例如无线通信装置、手持式装置、游戏装置、计算装置、计 算机、膝上型计算机、消费型电子装置等各种电子装置。下文描述所述技术针对无线通信装 置的示范性用途。图5展示无线通信系统中的无线通信装置500的设计的框图。无线装置500可为 蜂窝式电话、终端、手持机、个人数字助理(PDA)等。无线通信系统可为码分多址(CDMA)系 统、全球移动通信系统(GSM)系统等。无线装置500能够经由接收路径和发射路径提供双向通信。在接收路径上，基站(未图示)发射的信号由天线512接收且提供到接收器(RCVR)514。接收器514调节 所接收的信号并将模拟输入信号提供到专用集成电路(ASIC) 520。在发射路径上，发射器 (TMTR) 516接收并调节来自ASIC 520的模拟输出信号，且产生经调制信号，所述经调制信 号经由天线512发射到基站。ASIC 520可包含各种处理、接口以及存储器单元，例如接收ADC(Rx ADC)522、发射 DAC (Tx DAC) 524、调制解调器处理器526、精简指令集计算(RISC)处理器528、控制器/处 理器530、内部存储器532、外部总线接口 534、输入/输出(I/O)驱动器536、音频DAC/驱 动器538，和视频DAC/驱动器540。Rx ADC 522将来自接收器514的模拟输入信号数字化 并将样本提供到调制解调器处理器526，且将模拟输出信号提供到发射器516。调制解调器 处理器526执行用于数据发射和接收的处理，例如编码、调制、解调、解码等。RISC处理器 528可执行用于无线装置500的各种类型的处理，例如用于视频、图形、较高层应用等的处 理。控制器/处理器530可引导ASIC 520内的各种处理和接口单元的操作。内部存储器 532存储用于ASIC 520内的各种单元的数据和/或指令。EBI 534促进ASIC 520与主存储器544之间的数据的转移。I/O驱动器536经由 模拟或数字接口驱动I/O装置546。音频DAC/驱动器538驱动音频装置548，所述音频装 置548可为扬声器、头戴式送受话器、耳机等。视频DAC/驱动器540驱动显示单元550，所 述显示单元550可为液晶显示器(IXD)等。内部存储器532、主存储器544和/或其它单元可实施本文描述的技术。举例来 说，可如图2所示产生存储器的任一者。鉴于以上内容，将了解，本发明的实施例还可包含执行本文描述的功能、动作序列 和/或算法的方法。举例来说，可根据图3中说明的流程图执行调适存储器系统中使用的 WL脉冲宽度的方法。还将了解，根据本发明实施例的方法可在硬件和/或软件中实施。硬件/软件实 施方案可包含处理器与制品的组合。举例来说，RISC处理器528可经配置以实施本文描述 的用于调适WL脉冲宽度的技术以优化内部存储器532和/或主存储器544的操作。所述 制品可进一步包含存储媒体和可执行计算机程序，例如存储在计算机可读媒体上的计算机 程序产品。可执行计算机程序可包含指令集以执行所描述的操作或功能。将了解，如本文 所使用，指令集可包含一个或一个以上指令。上文描述的本发明的实施例提供优于常规技术的若干优点。举例来说，本文描述 的技术提供总体良率的增加。此外，所生产的IC不承担最差情况工艺变化，从而导致WL脉 冲宽度减小，其可改进性能和功率消耗特性，以及改进单元稳定性(例如，通过减小单元翻 转的概率)。由于不同IC上功率消耗的较紧密分布，因此可存在总IC功率的较好预测。另 外，因为所制造的IC的较大部分可具有较低功率消耗，所以可减小所有所制造的IC的平均 功率消耗。感测容限也可减小，只要存储器不发生故障(其导致较快的感测容限响应)。感 测容限还可视存储器正确操作的需要而针对每一存储器个别地优化。对测试时间的影响也 是可以忽略的，因为本文描述的技术使用芯片上BIST来调适WL脉冲宽度，其不需要额外外 部测试。虽然以上揭示内容展示本发明的说明性实施例，但应注意到，可在不脱离如所附 权利要求书界定的本发明的范围的情况下在本文中作出各种变化和修改。举例来说，所属领域的一般技术人员将了解，上文描述的递增搜索算法仅是可经实施以找到经优化的WL 脉冲宽度代码的许多搜索算法中的一者。还可根据本发明的各种实施例使用树搜索算法、 随机搜索算法或此项技术中众所周知的其它搜索算法。根据本文描述的本发明的实施例的 方法权利要求项的功能、步骤和/或动作不需要以任何特定次序执行。此外，尽管本发明的 元件可以单数形式描述或主张，但预期复数形式，除非明确陈述限于单数形式。
权利要求
一种包括存储器系统的设备，所述存储器系统包括存储器，其根据具有相关联字线(WL)脉冲宽度的WL脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述自适应WL控制电路经配置以在所述BIST单 元提供的所述信号指示所述存储器未通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度，且在 所述BIST单元提供的所述信号指示所述存储器通过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽 度。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述自适应WL控制电路进一步经配置以指令所 述BIST单元在所述WL脉冲宽度增加或减小时执行所述存储器的所述内部功能性的后续自 测，直到所述自测的结果从通过改变为未通过或从未通过改变为通过为止。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制电路经配置以将所述存储器的 所述WL脉冲宽度设定为紧接在所述自测从通过改变为未通过之前使用的WL脉冲宽度值。
5.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制电路经配置以将所述存储器的 所述WL脉冲宽度设定为当所述自测从未通过改变为通过时使用的WL脉冲宽度值。
6.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制电路经配置以通过提供基于所 述BIST单元提供的所述信号确定的新值而以反馈回路的方式从初始值增加或减小所述WL 脉冲宽度。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述自适应WL控制电路经配置以递增或递减所述 WL脉冲宽度。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述自适应WL控制电路包括第一控制电路，其与所述BIST单元介接，所述第一控制电路经配置以基于所述BIST单 元提供的所述信号确定增加还是减小所述存储器的所述WL脉冲宽度，且提供指示对所述 WL脉冲宽度的所确定的调节的第一控制信号；以及第二控制电路，其与所述第一控制电路介接，所述第二控制电路经配置以基于所述第 一控制电路提供的所述第一控制信号来调节所述WL脉冲宽度。
9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一控制电路确定在所述BIST单元提供的所 述信号指示所述存储器未通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度，且在所述BIST单 元提供的所述信号指示所述存储器通过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽度。
10.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二控制电路进一步经配置以将指示所述 WL脉冲宽度已达到最大或最小所允许值的超载信号提供到所述第一控制电路。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二控制电路是计数器，其经配置以根据 所述第一控制电路提供的所述第一控制信号来递增或递减WL脉冲宽度值，且经配置以提 供所述经调节的WL脉冲宽度作为经递增/递减值并提供所述超载信号作为所述递增/递 减操作的溢出位。
12.根据权利要求8所述的设备，其中所述自适应WL控制电路进一步经配置以用单调 增加或减小的方式将所述经调节的WL脉冲宽度映射到所述存储器的所允许的WL脉冲宽度。
13.根据权利要求8所述的设备，其中所述自适应WL控制电路进一步包含与所述第一 和第二控制电路介接的重编程模块，所述第二控制电路经配置以将所述经调节的WL脉冲 宽度值提供到所述重编程模块，所述第一控制电路经配置以提供指令所述重编程模块存储 所述第二控制电路所提供的所述经调节的WL脉冲宽度值的写入信号，且所述重编程模块 经配置以提供对所述经调节的WL脉冲宽度值的非易失性存储。
14.根据权利要求8所述的设备，其中所述重编程模块被实施为eFUSE存储器。
15.根据权利要求8所述的设备，其中所述设备是无线通信装置，所述设备进一步包括 系统控制器。
16.根据权利要求15所述的设备，其中所述系统控制器经配置以指令所述存储器系统 在所述无线通信装置初始加电后即刻调节所述WL脉冲宽度。
17.根据权利要求15所述的设备，其中所述系统控制器经配置以指令所述存储器系统 根据给定的时间间隔周期性地调节所述WL脉冲宽度。
18.—种调节存储器系统中的字线(WL)脉冲宽度的方法，所述存储器系统包含根据WL 脉冲操作的存储器，所述方法包括对所述存储器系统执行自测以测试当前WL脉冲宽度下所述存储器的内部功能性；以及使用芯片上自适应WL控制电路基于所述自测的结果调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述调节包含在所述存储器未通过所述自测的 情况下增加所述WL脉冲宽度，且在所述存储器通过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽度。
20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包括重复所述执行和所述调节直到所述自测的所述结果从通过改变为未通过或从未通过 改变为通过为止。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括用单调增加或减小的方式将所述经调节的WL脉冲宽度映射到所述存储器的所允许的 WL脉冲宽度。
22.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为紧接在所述自测从通过改变为未通过之前使 用的WL脉冲宽度值。
23.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为当所述自测从未通过改变为通过时使用的WL 脉冲宽度值。
24.根据权利要求18所述的方法，其中在所述存储器系统初始加电后即刻启始所述执 行和调节操作。
25.根据权利要求18所述的方法，其中根据给定的时间间隔周期性地启始所述执行和 调节操作。
26.一种用于调节存储器系统中的字线(WL)脉冲宽度的设备，所述存储器系统包含根3据WL脉冲操作的存储器，所述设备包括用于对所述存储器系统执行自测以测试当前WL脉冲宽度下所述存储器的内部功能性 的装置；以及用于基于所述所述自测的结果调节所述存储器的所述WL脉冲宽度的芯片上装置。
27.根据权利要求26所述的设备，其中所述用于调节的装置包含用于在所述存储器未 通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度的装置，以及用于在所述存储器通过所述自 测的情况下减小所述WL脉冲宽度的装置。
28.根据权利要求27所述的设备，其进一步包括用于重复所述执行和所述调节直到所述自测的结果从通过改变为未通过或从未通过 改变为通过为止的装置。
29.根据权利要求28所述的设备，其进一步包括用于用单调增加或减小的方式将所述经调节的WL脉冲宽度映射到所述存储器的所允 许的WL脉冲宽度的装置。
30.根据权利要求28所述的设备，其进一步包括用于将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为紧接在所述自测从通过改变为未通过之 前使用的WL脉冲宽度值的装置。
31.根据权利要求28所述的设备，其进一步包括用于将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为当所述自测从未通过改变为通过时使用 的WL脉冲宽度值的装置。
32.—种计算机可读媒体，其包含可由处理器执行以调节存储器系统中的字线(WL)脉 冲宽度的指令集，所述存储器系统包含根据WL脉冲操作的存储器，所述计算机可读媒体包 括第一指令集，其用以对所述存储器系统执行自测以测试当前WL脉冲宽度下所述存储 器的内部功能性；以及第二指令集，其用以基于所述自测的结果调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。
33.根据权利要求32所述的计算机可读媒体，其中所述第二指令集包含可由所述处理 器执行以在所述存储器未通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度且在所述存储器通 过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽度的指令。
34.根据权利要求33所述的计算机可读媒体，其进一步包括第三指令集，其用以重复所述第一和第二指令集直到所述自测的所述结果从通过改变 为未通过或从未通过改变为通过为止。
35.根据权利要求34所述的计算机可读媒体，其进一步包括第四指令集，其用以用单调增加或减小的方式将所述经调节的WL脉冲宽度映射到所 述存储器的所允许的WL脉冲宽度。
36.根据权利要求34所述的计算机可读媒体，其进一步包括第五指令集，其用以将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为紧接在所述自测从通过 改变为未通过之前使用的WL脉冲宽度值。
37.根据权利要求34所述的计算机可读媒体，其进一步包括第六指令集，其用以将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为当所述自测从未通过改变为通过时使用的WL脉冲宽度值。
38.根据权利要求32所述的计算机可读媒体，其进一步包括第七指令集，其用以在所述存储器系统初始加电后即刻运行所述第一和第二指令集。
39.根据权利要求32所述的计算机可读媒体，其进一步包括第八指令集，其用以根据给定的时间间隔周期性地运行所述第一和第二指令集。
全文摘要
本发明揭示用于调适存储器系统中使用的字线(WL)脉冲宽度的系统、电路和方法。本发明的一个实施例针对一种包括存储器系统的设备。所述存储器系统包括存储器，其根据具有相关联WL脉冲宽度的字线(WL)脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。
文档编号G11C29/50GK101925963SQ200880125490
公开日2010年12月22日 申请日期2008年12月15日 优先权日2007年12月17日
发明者杨赛森, 穆罕默德·H·阿布-拉赫马 申请人:高通股份有限公司