专利名称：一种应用于快闪存储器中的动态ldpc纠错码方法
技术领域：
本发明属于非挥发存储器中的数据纠错领域，特别涉及一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法。
背景技术：
NAND型快闪存储器广泛地应用于MP3、智能手机、平板电脑等便携式电子产品。 NAND型快闪存储器发展的一个重要趋势是MLC(Multi-Level Cell)技术的发展。MLC技术能够在一个存储单元上存储多比特的信息，因此能够成倍地提高存储容量，减少每比特存储成本，目前市场的NAND型快闪存储器均采用每个存储单元(cell)中存储2_bit信息的 MLC技术，即2b/cell MLC技术。然而，随着NAND型快闪存储器制造工艺的不断进步，每个存储单元中存储3-bit信息的MLC技术，即北/cell MLC技术将应用于新一代的NAND型快闪存储器产品。显然，3b/cell MLC技术能够显著提高存储容量，然而，却使得NAND型快闪存储器的可靠性急剧下降。其原因是对于MLC技术，每个存储单元中存储n-bit数据信息需要2n个电荷存储态，从2b/cell MLC技术发展到北/cell MLC技术，则阈值电压窗口中电荷态的数量从4增加到8，因而相邻电荷态间的有效读取窗口急剧减少。这使得闪存读取操作时，读出信息中的页错误率(PER)显著上升。存储单元尺寸的缩小、MLC技术的进步等工艺原因所导致的闪存可靠性下降不可避免，因此通过可靠性设计技术，尤其是纠错码技术， 来提高闪存的可靠性，成为新一代闪存应用的关键技术。目前 NAND 型闪存均采用 BCH(Bose-Chaudur-Hocquenghem)纠错码技术。BCH 纠错码进行数据纠错的原理是向原始的信息数据中添加冗余位，进行编码；对接收到的信息，利用冗余位能够找出接收信息中错误的位置，并进行纠正，从而恢复原始的信息数据， 这个过程也称为解码。显然，纠错码的冗余位开销越多，纠错性能越好。在闪存产品中，数据的写入、读出均以页为单位进行操作，因此，纠错码的冗余位存放在闪存每页中的空闲存储区。随着新一代北/cell NAND型闪存产品可靠性的严重下降，空闲存储区有限的冗余位使得BCH码的纠错能力遭受到了严重制约。
发明内容
本发明针对上述缺陷公开了一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法。 该方法根据NAND型快闪存储器的页错误率动态改变LDPC码软信息的量化精度。该方法包括以下步骤DNAND型快闪存储器使用LDPC码作为其纠错码，NAND型快闪存储器的页错误率为PER，当PER < al时，LDPC码的软信息的量化精度为l_bit ；幻当al彡PER < a2时，LDPC码的软信息的量化精度为2_bit ；幻当a2彡PER < a3时，LDPC码的软信息的量化精度为3_bit ；4)当a3彡PER < a4时，LDPC码的软信息的量化精度为4_bit ；幻当a4彡PER < a5时，LDPC码的软信息的量化精度为5_bit ；
6)当PER彡a5时，则将对应的页标记为失效页。所述al、a2、a3、a4和a5的取值范围如下1-0. 9999PS 彡 al < a2 < a3 < a4 < a5 彡 1-0. 99PSPS的取值有如下几种4096、8192和16384。所述LDPC码的软信息为LLR，它通过以下公式计算LLR=In ^(X = t = J;o)
p(x = l\y = y0)上式中χ为发送端发送的二进制码字，y为接收端获得的码字的浮点值。本发明的有益效果为在NAND型快闪存储器使用的初始阶段，闪存内部每页的编程擦除次数较小，页错误率也较小，采用量化精度为Ι-bit的LDPC码软信息，能够提高NAND 型快闪存储器的读取时间，并降低LDPC解码器的功耗；随着闪存不断的使用，页错误率逐渐升高，增加LDPC码的量化精度，进而提高LDPC码的纠错能力，能够提高NAND型快闪存储器的可靠性。本发明的设计方法和电路结构，与其附加的对象和好处，能在研读下列多个实施例和相应附图时被充分了解。
图Ia为LDPC码的检验矩阵示意图；图Ib为LDPC码的检验矩阵对应的Tanner图；图2为本发明的实施例中北/cell NAND型快闪存储器中电荷存储态的阈值电压分布模型示意图；图3为本发明的实施例中北/cell NAND型闪存储单元3_bit的格雷码表示图；图4为本发明的实施例中北/cell NAND型快闪存储器中存储单元中每一比特相应的LLR值的表达式示意图；图5为本发明的实施例中北/cell NAND型快闪存储器的读取操作示意图；图6为本发明的实施例中应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法示意图。
具体实施例方式为使本发明的技术方法和优点更加清楚，以下结合具体的实施例并参照附图，对本发明进行更详细地说明。LDPC码是一种线性分组码，于1962年由Villager在其博士论文中提出。在1996 年被MacKay和Neal重新发现。LDPC码被认为是迄今为止性能最好的码，已广泛应用于光通信、移动通信系统又及磁记录系统中。目前NAND型快闪存储器的制造工艺尺寸不断减少，最先进的NAND型快闪存储器制造工艺已达到19nm，此外，多位存储技术也在不断发展， 最先进的NAND型快闪存储器一个存储单元上能够存储3-bit的数据信息。然而这些技术却使得存储单元的器件漏电，相邻存储单元间的电容耦合效应，以及编程擦除次数下降等问题变得非常严重，这使得NAND型快闪存储器的可靠性不断下降，因此，LDPC码被寄望于应用到新一型的NAND型快闪存储器中。如图1所示，一种LDPC码用一个MXN(行数*列数)的稀疏校验矩阵H来表示，其中N代表LDPC码的码长，M代表LDPC码冗余位的长度，因此LDPC码中信息数据的长度为 N-M0 另夕卜，LDPC 码的码率定义为 R = (N-M)/N。LDPC 码(Low Density Parity Check) 中文名为低密度奇偶检验，此处低密度是指在校验矩阵H中，数据“1”的密度较低，即校验矩阵H中的大部分元素为零。LDPC码的校验矩阵可以用相应的Tarmer图来表示，如图1中的校验矩阵H可以用右边的Tarmer图表示，Tarmer图中有两类节点，分别是校验节点和变量节点，图中上方vl v6为变量节点，下方cl c3为检验节点。Tarmer图中的边是指校验节点和变量节点间的连接。Tarmer图与校验矩阵的对应关系是校验矩阵的每一行对应 Tanner图中的一个校验节点，校验矩阵的每一列对应着Tanner图中的一个变量节点。如果检验矩阵中Hu = 1，那么Tarmer图中第i个校验节点和第j个变量节点间就存在一条边， 因此检验矩阵中的“ 1 ”元素与Tarmer图中的边是一一对应关系。LDPC码纠错系统主要由LDPC码编码器和LDPC码解码器组成。LDPC码的编码过程与传统的线性码，如BCH码编码过程较为相似，信息数据通过编码器产生相应的冗余位， 从而形成一个LDPC码的码字，将码字写入到快闪存储器存储阵列对应的页(Page)中。然而，LDPC码的解码过程却与传统线性码(如BCH码)有着很大的不同，传统的纠错码，如BCH 码，RS码解码器的输入信息为二进制数据，即每一位信息非‘0’即‘1’，LDPC码采用了基于置信传播(Belief Propagation,BP)的软判决迭代译码算法，因而具有良好纠错性能，详细说明如下在LDPC码中，解码器的输入信息是具有一定量化精度的软信息值，软信息值的含义是该位信息为‘0’或者‘1’的概率值。LDPC码的软信息为LLR，它通过以下公式计算LLR=In ^(X = t = J;o)
p(x = l\y = y0)上式中χ为发送端发送的二进制码字，y为接收端获得的码字的浮点值；从LLR的计算公式中可以看出，对于接收到的码字信息值％，当计算出的发送码字 χ为0的概率大于发送码字χ为1的概率时LLR > 0 ；反之，LLR < 0。因此从LLR的符号位就可以判决原始输入信息。由于ρ (χ = 0 I y = yQ)和ρ (χ = 1 I y = y0)是浮点值，LLR也是浮点值，从而，软信息的量化精度与LDPC码的解码过程存在密切的关系，LDPC码的纠错性能与软信息的量化精度也有着密切的关系。量化精度越高，说明比特为‘0’或者‘1’的概率越准确，因而能够纠正的比特数越多，纠错性越好。如图2所示，LDPC码软信息的获取需要数据传输的信道模型，而在NAND型快闪存储器中，由于错误的产生是在数据的存储过程中发生，因此软信息需要根据NAND型快闪存储器的数据存储模型来获得。通常，NAND型快闪存储器的数据存储模型通过存储单元中电荷态的阈值电压分布模型来建立。对于北/cell的存储单元，共有8个电荷态，每个电荷态的阈值电压可以用高斯曲线来表示。高斯曲线的平均值Hiutl mu7代表该电荷态的中心阈值电压，而高斯曲线的方差σ代表由于工艺偏差以及编程擦除的磨损、读写干扰、漏电等各种因素导致的阈值电压的分布和漂移情况，也就是数据存储的“噪声”。另外，相邻高斯曲线的7个交点把整个阈值电压窗口分成8块区间，即从(-C ，SO)到[S6，+c )。每个电荷态i (0 < i < 7)的高斯曲线，其概率密度P可表示为
(x-muj Pj(^x) =坤2
上式中mUi代表第i电荷态的阈值电压的均值，σ i代表第i电荷态的阈值电压的标准差。每个电荷态都有相对应的3-bit编码表示。为了获得最好的编码增益，通常使用格雷码(Gray code)来进行编码。使用格雷码的特点是任意两个相邻电荷态对应的3_bit 编码中，只有1位不相同。当定义top、high、low来表示每个存储单元中3-bit信息时，格雷码的表示如图3所示。如图4所示，根据LLR的计算公式以及NAND型快闪存储器中电荷存储态的阈值电压分布模型，可以计算出存储单元的阈值电压值为y时，存储单元所存贮的3比特信息中每比特信息的LLR值。图中，Amu = Hiui-Imv1，(i = 1-7)，LLR > 0的情况表示对应的信息位为“0”的概率较大，LLR <0则表示对应的信息位为“1”的概率较大。LLR的绝对值更大， 则表示对应的信息位为“0”或“1”的概率更大。从图4中可以看出，LLR值与读取时得到的阈值电压值y近似成线性关系，因此读取操作时获得的阈值电压精度能够决定所计算的 LLR值的精度。如图5所示，通过对所读出的存储单元电流进行阶梯式的比较来感知存储单元阈值电压的值，显然读取电压(对应于VR1-VRn)的阶梯增幅越小，获得的阈值电压值就越精确，因此所得到的LLR值就更加准确。然而，读取电压的阶梯增幅越小，闪存内部灵敏放大器的感应时间越长，使读取性能下降。对北/cell NAND型快闪存储器，假定施加7个读电压来区分8个电荷态，读取操作时施加阶梯式读电压，与参考支路经过7次阶梯式比较判决每个存储单元的3比特的信息，读电压的位置如图2中SO S6所示。LDPC码的软信息的量化精度为Ι-bit时，通常感应比较时间的典型值为60μ S。当存储单元每比特的软信息的量化精度为5-bit时，则需要非常小的读取电压的阶梯增幅，相应的感应比较时间将变得非常长，可近似计算为O5-Oxeoyst5可以看出，NAND型快闪存储器读取时的感应时间与 LDPC码软信息的量化精度成指数关系。因此，存在着LLR的量化精度与快闪存储器的读取时间的权衡。另一方面，LLR的量化精度也决定了 LDPC码的纠错性能。LLR的量化精度越高，LDPC码的纠错能力越强，所允许的页错误率也越高，因此也存在着LLR的量化精度与页错误率之间的权衡。如图6所示，NAND型快闪存储器中页错误率(PER)的特点是随着快闪存储器的不断使用，反复的编程擦除操作，页错误率(PER)不断增加，即PER随着闪存的使用时间呈单调递增的特点。根据快闪存储器PER的这一特性，以及上述LLR量化精度与读取时间、PER 间的权衡关系，设计出应用于NAND型快闪存储器的动态LDPC纠错码技术。本发明的具体实施过程如下DNAND型快闪存储器使用LDPC码作为其纠错码，NAND型快闪存储器的页错误率为PER，当PER < al时，LDPC码的软信息的量化精度为l_bit ；幻当al彡PER < a2时，LDPC码的软信息的量化精度为2_bit ；幻当a2彡PER < a3时，LDPC码的软信息的量化精度为3_bit ；4)当a3彡PER < a4时，LDPC码的软信息的量化精度为4_bit ；幻当a4彡PER < a5时，LDPC码的软信息的量化精度为5_bit ；6)当PER彡a5时，采用5_bit的LDPC码的软信息的量化精度也无法满足NAND型快闪存储器的纠错要求，则将对应的页标记为失效页。PER由2个因素决定，一是单元错误率，其值为BER ；另一个是页的大小，其值为PS ；PER的计算方式如下PER = I-(I-BER)PS其中BER的范围约为10_4彡BER彡10_2，而PS的取值有如下几种4096(对应 4Kbyte) ,8192(对应 8Kbyte)，16384(对应 16Kbyte)。因而，al、a2、a3、a4和a5的取值范围如下1-0. 9999PS 彡 al < a2 < a3 < a4 < a5 彡 1-0. 99PS
权利要求
1.一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法，其特征在于，它包括以下步骤1)NAND型快闪存储器使用LDPC码作为其纠错码，NAND型快闪存储器的页错误率为 PER,当PER < al时，LDPC码的软信息的量化精度为l_bit ；2)当al彡PER< a2时，LDPC码的软信息的量化精度为2_bit ；3)当a2彡PER< a3时，LDPC码的软信息的量化精度为3_bit ；4)当a3彡PER< a4时，LDPC码的软信息的量化精度为4_bit ；5)当a4彡PER< a5时，LDPC码的软信息的量化精度为5_bit ；6)当PER彡a5时，则将对应的页标记为失效页。
2.根据权利要求1所述的一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法，其特征在于，所述al、a2、a3、a4和a5的取值范围如下1-0. 9999ps ^ al < a2 < a3 < a4 < a5 ^ 1-0. 99PS PS的取值有如下几种4096、8192和16384。
3.根据权利要求1所述的一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法，其特征在于，所述LDPC码的软信息为LLR，它通过以下公式计算LLR=In ^(X = t = J;o)1)p(x = l\y = y0)式1)中χ为发送端发送的二进制码字，y为接收端获得的码字的浮点值。
全文摘要
本发明公开了属于非挥发存储器中的数据纠错领域的一种应用于快闪存储器中的动态LDPC纠错码方法。本发明根据NAND型快闪存储器的页错误率动态改变LDPC码软信息的量化精度。本发明的有益效果为在NAND型快闪存储器使用的初始阶段，闪存内部每页的编程擦除次数较小，页错误率也较小，采用量化精度为1-bit的LDPC码软信息，能够提高NAND型快闪存储器的读取时间，并降低LDPC解码器的功耗；随着闪存不断的使用，页错误率逐渐升高，增加LDPC码的量化精度，进而提高LDPC码的纠错能力，能够提高NAND型快闪存储器的可靠性。
文档编号G11C29/42GK102394113SQ20111035944
公开日2012年3月28日 申请日期2011年11月14日 优先权日2011年11月14日
发明者周润德, 潘立阳, 王雪强 申请人:清华大学