本发明是有关于一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。
背景技术：
：：数码相机、手机与mp3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非挥发性存储器(rewritablenon-volatilememory)具有数据非挥发性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于便携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快速存储器模块作为存储介质的存储器存储装置。因此，近年快速存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。一般来说，可复写式非挥发性存储器模块通常包括多个实体抹除单元，并且每一个实体抹除单元会包括多个实体程序化页面。特别是，可复写式非挥发性存储器模块中的实体抹除单元的抹除次数是有限的，例如，一个实体抹除单元在经历一万次的抹除操作后就会磨损。而当一个实体抹除单元磨损时，会导致将数据程序化(也称，写入)至此实体抹除单元时产生错误位元，更严重者还会导致例如数据遗失或无法存储数据等不利的影响。此外，当一个实体抹除单元中的一个实体程序化单元所存储的数据被进行多次的读取后(例如，十万至百万次的读取次数)，则此实体程序化单元所存储的数据也很有可能会因所施加的读取电压而产生错误位元或遗失，甚至可能造成位于同一实体抹除单元中存储在其他实体程序化单元中的数据产生错误位元或遗失，此类现象被本发明领域具有通常知识者惯称为“读取干扰”(read-disturb)。可复写式非挥发性存储器模块存在着实体抹除单元会随着使用而造成磨损与读取干扰的现象，此些现象无不驱使各家厂商必须发展出各种存储器的管理方法，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或抑制读取干扰发生的 机率。技术实现要素：本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置，可有效地降低实体抹除单元磨损的机率或抑制读取干扰发生的机率，进而提高可复写式非挥发性存储器模块的生命周期与可靠度。本发明提出一种存储器管理方法，用于可复写式非挥发性存储器模块，其中可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，实体抹除单元之中的每一个具有多个实体程序化单元，此存储器管理方法包括：为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值；根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。在本发明的一范例实施例中，上述根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤包括：记录每一实体抹除单元的抹除计数；以及当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的步骤包括：判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及倘若对应第一实体程序化单元的读取次数大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，将存储在第一实体抹除单元的数据复制到这些实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤包括：记录每一实体抹除单元的抹除计数，以及当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，第四门槛值大于第三门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的步骤包括：从第一实体抹除单元的第一实体程序化单元读取一读取数据；判断从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；倘若从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，上述根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤包括：检查可复写式非挥发性存储器模块的温度；以及根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤包括：当可复写式非挥发性存储器模块的温度从第一温度值增加为第二温度值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值。本发明一范例实施例提供一种用于控制可复写式非挥发性存储器模块的存储器控制电路单元。此存储器控制电路单元包括：用以电性连接至主机系统的主机接口；用以电性连接至可复写式非挥发性存储器模块的存储器接口，其中可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，此些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元；以及电性连接至主机接口与存储器接口的存储器管理电路。存储器管理电路用以为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值，根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器管理电路还用以记录每一实体抹除单元的抹除计数，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器管理电路还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数 值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的运作中，存储器管理电路还用以判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，倘若对应第一实体程序化单元的读取次数大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，存储器管理电路还用以将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器管理电路还用以记录每一实体抹除单元的抹除计数，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器管理电路还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，第四门槛值大于第三门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的运作中，存储器管理电路还用以从第一实体抹除单元的第一实体程序化单元读取一读取数据，存储器管理电路还用以判断从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，倘若从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，存储器管理电路还用以将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器管理电路还用以检查可复写式非挥发性存储器模块的温度，存储器管理电路还用以根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，当可复写式非挥发性存储器模块的温度从第一温度值增加为第二温度值时，存储器管理电路还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛 值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值。本发明一范例实施例提供一种存储器存储装置。其包括：用以电性连接至主机系统的连接接口单元、可复写式非挥发性存储器模块以及电性连接至连接接口单元与可复写式非挥发性存储器模块的存储器控制电路单元。其中可复写式非挥发性存储器具有多个实体抹除单元，此些实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元。存储器控制电路单元用以为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值，根据可复写式非挥发性存储器模块的一状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器控制电路单元还用以记录每一实体抹除单元的抹除计数，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的运作中，存储器控制电路单元还用以判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，倘若对应第一实体程序化单元的读取次数大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元还用以将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器控制电路单元还用以记录每一实体抹除单元的抹除计数，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，第四门槛值大于第三门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的运作中，该存储器控制电路单元还用以从第一实体抹除单元的第一实体程序化单元读取一读取数据，存储器控制电路单 元还用以判断从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，倘若从第一实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元还用以将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，存储器控制电路单元还用以检查可复写式非挥发性存储器模块的温度，存储器控制电路单元还用以根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。在本发明的一范例实施例中，其中根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的运作中，当可复写式非挥发性存储器模块的温度从第一温度值增加为第二温度值时，存储器控制电路单元还用以将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值。基于上述，本发明提出根据实体抹除单元的抹除次数动态地调整读取干扰门槛值，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或读取干扰发生的机率。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是根据一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图；图2是根据另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图；图3是根据本发明范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；图4是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的概要方块图；图5是根据一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图。图6与图7是根据一范例实施例所示出的管理实体抹除单元的范例示意图；图8是根据一范例实施例所示出的存储器管理方法的流程图；图9是根据第一范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的示意图；图10是根据第一范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的流程图；图11是根据第一范例实施例所示出的执行预防读取干扰操作的流程图；图12是根据第二范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的示意图；图13是根据第二范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的流程图；图14是根据第二范例实施例所示出的执行预防读取干扰操作的流程图；图15a、图15b与图15c是根据第三范例实施例所示出的根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整读取干扰门槛值的示意图；图16是根据第三范例实施例所示出的根据温度调整读取干扰门槛值的流程图。附图标记说明：10：存储器存储装置；11：主机系统；12：输入/输出(i/o)装置；110：系统汇流排；111：处理器；112：随机存取存储器(ram)；113：只读存储器(rom)；114：数据传输接口；20：主机板；204：无线存储器存储装置；205：全球定位系统模块；206：网路接口卡；207：无线传输装置；208：键盘；209：屏幕；210：喇叭；30：存储器存储装置；31：主机系统；32：sd卡；33：cf卡；34：嵌入式存储装置；341：嵌入式多媒体卡；342：嵌入式多芯片封装存储装置；402：连接接口单元；404：存储器控制电路单元；406：可复写式非挥发性存储器模块；410(0)～410(n)：实体抹除单元；502：存储器管理电路；504：主机接口；506：存储器接口；508：缓冲存储器；510：电源管理电路；512：错误检查与校正电路；514：温度传感电路；602：数据区；604：闲置区；606：系统区；608：取代区；lba(0)～lba(h)：逻辑位址；lz(0)～lz(m)：逻辑区域；s801：为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值的步骤；s803：根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹 除单元的读取干扰门槛值的步骤；s805：根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的步骤；s1001：对第一实体抹除单元进行抹除操作的步骤；s1003：更新第一实体抹除单元的抹除计数的步骤；s1005：当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值的步骤；s1101：对第一实体抹除单元的第一实体程序化单元进行读取操作的步骤；s1103：更新对应于第一实体程序化单元的读取次数的步骤；s1105：判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤；s1107：将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元的步骤；s1301：对第一实体抹除单元进行抹除操作的步骤；s1303：更新对应于第一实体抹除单元的抹除计数的步骤；s1305：当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第四门槛值大于第三门槛值的步骤；s1401：从第一实体抹除单元的第一实体程序化单元读取一读取数据的步骤；s1403：判断从实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤；s1405：将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元的步骤；s1601：检查可复写式非挥发性存储器模块的温度的步骤；s1603：当可复写式非挥发性存储器模块的温度从第一温度值增加为第二温度值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值的步 骤。具体实施方式一般而言，存储器存储装置(也称，存储器存储系统)包括可复写式非挥发性存储器模块与控制器(也称，控制电路单元)。通常存储器存储装置是与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器存储装置或从存储器存储装置中读取数据。图1是根据一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图，并且图2是根据另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图。请参照图1与图2，主机系统11一般包括处理器111、随机存取存储器(randomaccessmemory,ram)112、只读存储器(readonlymemory,rom)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114皆电性连接至系统汇流排(systembus)110。在本范例实施例中，主机系统11是通过数据传输接口114与存储器存储装置10电性连接。例如，主机系统11可通过数据传输接口114将数据写入至存储器存储装置10或从存储器存储装置10中读取数据。此外，主机系统11是通过系统汇流排110与i/o装置12电性连接。例如，主机系统11可通过系统汇流排110将输出信号传送至i/o装置12或从i/o装置12接收输入信号。在本范例实施例中，处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114是可设置在主机系统11的主机板20上。数据传输接口114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口114，主机板20可以通过有线或无线方式电性连接至存储器存储装置10。存储器存储装置10可例如是u盘201、存储卡202、固态硬盘(solidstatedrive,ssd)203或无线存储器存储装置204。无线存储器存储装置204可例如是近距离无线通讯(nearfieldcommunicationstorage,nfc)存储器存储装置、无线保真(wifi)存储器存储装置、蓝牙(bluetooth)存储器存储装置或低功耗蓝牙存储器存储装置(例如，ibeacon)等以各式无线通讯技术为基础的存储器存储装置。此外，主机板20也可以通过系统汇流排110电性连接至全球定位系统(globalpositioning system,gps)模块205、网路接口卡206、无线传输装置207、键盘208、屏幕209、喇叭210等各式i/o装置。例如，在一范例实施例中，主机板20可通过无线传输装置207存取无线存储器存储装置204。在一范例实施例中，所提及的主机系统为可实质地与存储器存储装置配合以存储数据的任意系统。虽然在上述范例实施例中，主机系统是以电脑系统来作说明，然而，图3是根据另一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图。请参照图3，在另一范例实施例中，主机系统31也可以是数码相机、摄像机、通讯装置、音频播放器、视频播放器或平板电脑等系统，而存储器存储装置30可为其所使用的sd卡32、cf卡33或嵌入式存储装置34等各式非挥发性存储器存储装置。嵌入式存储装置34包括嵌入式多媒体卡(embeddedmmc,emmc)341及/或嵌入式多芯片封装存储装置(embeddedmultichippackage,emcp)342等各类型将存储器模块直接电性连接在主机系统的基板上的嵌入式存储装置。图4是根据一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的概要方块图。请参照图4，存储器存储装置10包括连接接口单元402、存储器控制电路单元404与可复写式非挥发性存储器模块406。在本范例实施例中，连接接口单元402是相容于序列先进附件(serialadvancedtechnologyattachment,sata)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元402也可以是符合并列先进附件(paralleladvancedtechnologyattachment,pata)标准、电气和电子工程师协会(instituteofelectricalandelectronicengineers,ieee)1394标准、高速周边零件连接接口(peripheralcomponentinterconnectexpress,pciexpress)标准、通用序列汇流排(universalserialbus,usb)标准、超高速一代(ultrahighspeed-i,uhs-i)接口标准、超高速二代(ultrahighspeed-ii,uhs-ii)接口标准、安全数字(securedigital,sd)接口标准、记忆棒(memorystick,ms)接口标准、多芯片封装(multi-chippackage)接口标准、多媒体存储卡(multimediacard,mmc)接口标准、嵌入式多媒体存储卡(embeddedmultimediacard,emmc)接口标准、通用快速存储器(universalflashstorage,ufs)接口标准、嵌入式多芯片封装(embeddedmultichippackage,emcp)接口标准、小型快速 (compactflash,cf)接口标准、整合式驱动电子接口(integrateddeviceelectronics,ide)标准或其他适合的标准。在本范例实施例中，连接接口单元402可与存储器控制电路单元404封装在一个芯片中，或者连接接口单元402是布设在一包含存储器控制电路单元的芯片外。存储器控制电路单元404用以执行以硬件式或软件式实作的多个逻辑门或控制指令，并且根据主机系统11的指令在可复写式非挥发性存储器模块406中进行数据的写入、读取与抹除等运作。可复写式非挥发性存储器模块406是电性连接至存储器控制电路单元404，并且用以存储主机系统11所写入的数据。可复写式非挥发性存储器模块406具有实体抹除单元410(0)～410(n)。例如，实体抹除单元410(0)～410(n)可属于同一个存储器晶粒(die)或者属于不同的存储器晶粒。每一实体抹除单元分别具有复数个实体程序化单元，其中属于同一个实体抹除单元的实体程序化单元可被独立地写入且被同时地抹除。然而，必须了解的是，本发明不限于此，每一实体抹除单元是可由64个实体程序化单元、256个实体程序化单元或其他任意个实体程序化单元所组成。更详细来说，实体抹除单元为抹除的最小单位。亦即，每一实体抹除单元含有最小数目的一并被抹除的存储单元。实体程序化单元为程序化的最小单元。即，实体程序化单元为写入数据的最小单元。每一实体程序化单元通常包括数据位元区与冗余位元区。数据位元区包含多个实体存取位址用以存储使用者的数据，而冗余位元区用以存储系统的数据(例如，控制信息与错误更正码)。在本范例实施例中，每一个实体程序化单元的数据位元区中会包含8个实体存取位址，且一个实体存取位址的大小为512位元组(byte)。然而，在其他范例实施例中，数据位元区中也可包含数目更多或更少的实体存取位址，本发明并不限制实体存取位址的大小以及个数。例如，在一范例实施例中，实体抹除单元为实体区块，并且实体程序化单元为实体页面或实体扇区，但本发明不以此为限。在本范例实施例中，可复写式非挥发性存储器模块406为复数阶存储单元(trinarylevelcell，tlc)nand型快速存储器模块(即，一个存储单元中可存储3个数据位元的快速存储器模块)。然而，本发明不限于此，可复写式非挥发性存储器模块406也可是多阶存储单元(multilevelcell，mlc) nand型快速存储器模块(即，一个存储单元中可存储2个数据位元的快速存储器模块)或其他具有相同特性的存储器模块。图5是根据一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图。请参照图5，存储器控制电路单元404包括存储器管理电路502、主机接口504与存储器接口506、缓冲存储器508、电源管理电路510、错误检查与校正电路512与温度传感电路514。存储器管理电路502用以控制存储器控制电路单元404的整体运作。具体来说，存储器管理电路502具有多个控制指令，并且在存储器存储装置10运作时，此些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。在本范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令是以软件式来实作。例如，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)与只读存储器(未示出)，并且此些控制指令是被烧录至此只读存储器中。当存储器存储装置10运作时，此些控制指令会由微处理器单元来执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。图6与图7是根据一范例实施例所示出的管理实体抹除单元的范例示意图。必须了解的是，在此描述可复写式非挥发性存储器模块406的实体抹除单元的运作时，以“提取”、“分组”、“划分”、“关联”等词来操作实体抹除单元是逻辑上的概念。也就是说，可复写式非挥发性存储器模块的实体抹除单元的实际位置并未更动，而是逻辑上对可复写式非挥发性存储器模块的实体抹除单元进行操作。请参照图6，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将实体抹除单元410(0)～410(n)逻辑地分组为数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608。逻辑上属于数据区602与闲置区604的实体抹除单元是用以存储来自于主机系统11的数据。具体来说，数据区602的实体抹除单元是被视为已存储数据的实体抹除单元，而闲置区604的实体抹除单元是用以替换数据区602的实体抹除单元。也就是说，当从主机系统11接收到写入指令与欲写入的数据时，存储器管理电路502会使用从闲置区604中提取实体抹除单元来写入数据，以替换数据区602的实体抹除单元。逻辑上属于系统区606的实体抹除单元是用以记录系统数据。例如，系统数据包括关于可复写式非挥发性存储器模块的制造商与型号、可复写式非挥发性存储器模块的实体抹除单元数、每一实体抹除单元的实体程序化单元数等。逻辑上属于取代区608中的实体抹除单元是用在坏实体抹除单元取代程序，以取代损坏的实体抹除单元。具体来说，倘若取代区608中仍存有正常的实体抹除单元并且数据区602的实体抹除单元损坏时，存储器管理电路502会从取代区608中提取正常的实体抹除单元来更换损坏的实体抹除单元。特别是，数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608的实体抹除单元的数量会根据不同的存储器规格而有所不同。此外，必须了解的是，在存储器存储装置10的运作中，实体抹除单元关联至数据区602、闲置区604、系统区606与取代区608的分组关系会动态地变动。例如，当闲置区604中的实体抹除单元损坏而被取代区608的实体抹除单元取代时，则原本取代区608的实体抹除单元会被关联至闲置区604。请参照图7，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会配置逻辑位址lba(0)～lba(h)以映射数据区602的实体抹除单元，其中每一逻辑位址具有多个逻辑单元以映射对应的实体抹除单元的实体程序化单元。并且，当主机系统11欲写入数据至逻辑位址或更新存储在逻辑位址中的数据时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会从闲置区604中提取一个实体抹除单元作为作动实体抹除单元来写入数据，以轮替数据区602的实体抹除单元。并且，当此作为作动实体抹除单元的实体抹除单元被写满时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会再从闲置区504中提取空的实体抹除单元作为作动实体抹除单元，以继续写入对应来自于主机系统1000的写入指令的更新数据。此外，当闲置区604中可用的实体抹除单元的数目小于预设值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会执行有效数据合并程序(也称为，垃圾搜集(garbagecollecting)程序)来整理数据区602中的有效数据，以将数据区602中无存储有效数据的实体抹除单元重新关联至闲置区604。为了识别每个逻辑位址的数据被存储在哪个实体抹除单元，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会记录逻辑位址 与实体抹除单元之间的映射。例如，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在可复写式非挥发性存储器模块406中存储逻辑位址-实体位址映射表来记录每一逻辑位址所映射的实体抹除单元。当欲存取数据时存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将逻辑位址-实体位址映射表载入至缓冲存储器508来维护，并且依据逻辑位址-实体位址映射表来写入或读取数据。值得一提的是，由于缓冲存储器508的容量有限无法存储记录所有逻辑位址的映射关系的映射表，因此，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将逻辑位址lba(0)～lba(h)分组为多个逻辑区域lz(0)～lz(m)，并且为每一逻辑区域配置一个逻辑位址-实体位址映射表。特别是，当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)欲更新某个逻辑位址的映射时，对应此逻辑位址所属的逻辑区域的逻辑位址-实体位址映射表会被载入至缓冲存储器508来被更新。在本发明另一范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令也可以程式码型式存储在可复写式非挥发性存储器模块406的特定区域(例如，存储器模块中专用于存放系统数据的系统区)中。此外，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)、只读存储器(未示出)及随机存取存储器(未示出)。特别是，此只读存储器具有驱动码，并且当存储器控制电路单元404被致能时，微处理器单元会先执行此驱动码段来将存储在可复写式非挥发性存储器模块406中的控制指令载入至存储器管理电路502的随机存取存储器中。之后，微处理器单元会运转此些控制指令以进行数据的写入、读取与抹除等运作。此外，在本发明另一范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令也可以一硬件式来实作。例如，存储器管理电路502包括微控制器、存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路。存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路是电性连接至微控制器。其中，存储单元管理电路用以管理可复写式非挥发性存储器模块406的实体抹除单元；存储器写入电路用以对可复写式非挥发性存储器模块406下达写入指令以将数据写入至可复写式非挥发性存储器模块406中；存储器读取电路用以对可复写式非挥发性存 储器模块406下达读取指令以从可复写式非挥发性存储器模块406中读取数据；存储器抹除电路用以对可复写式非挥发性存储器模块406下达抹除指令以将数据从可复写式非挥发性存储器模块406中抹除；而数据处理电路用以处理欲写入至可复写式非挥发性存储器模块406的数据以及从可复写式非挥发性存储器模块406中读取的数据。请再参照图5，主机接口504是电性连接至存储器管理电路502并且用以电性连接至连接接口单元402，以接收与识别主机系统11所传送的指令与数据。也就是说，主机系统11所传送的指令与数据会通过主机接口504来传送至存储器管理电路502。在本范例实施例中，主机接口504是相容于sata标准。然而，必须了解的是本发明不限于此，主机接口504也可以是相容于pata标准、ieee1394标准、pciexpress标准、usb标准、uhs-i接口标准、uhs-ii接口标准、sd标准、ms标准、mmc标准、cf标准、ide标准或其他适合的数据传输标准。存储器接口506是电性连接至存储器管理电路502并且用以存取可复写式非挥发性存储器模块406。也就是说，欲写入至可复写式非挥发性存储器模块406的数据会通过存储器接口506转换为可复写式非挥发性存储器模块406所能接受的格式。缓冲存储器508是电性连接至存储器管理电路502并且用以暂存来自于主机系统11的暂存数据与指令或来自于可复写式非挥发性存储器模块406的数据。电源管理电路510是电性连接至存储器管理电路502并且用以控制存储器存储装置10的电源。错误检查与校正电路512是电性连接至存储器管理电路502并且用以执行错误检查与校正程序以确保数据的正确性。例如，当存储器管理电路502从主机系统11中接收到写入指令时，错误检查与校正电路512会为对应此写入指令的数据产生对应的错误检查与校正码(errorcheckingandcorrectingcode,ecccode)，并且存储器管理电路502会将对应此写入指令的数据与对应的错误检查与校正码写入至可复写式非挥发性存储器模块406中。之后，当存储器管理电路502从可复写式非挥发性存储器模块406中读取数据时会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且错误检查与校正电路512会 根据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序。温度传感电路514是电性连接至存储器管理电路502并且用以检查可复写式非挥发性存储器模块406的温度。需注意的是，假设当实体抹除单元410(0)中的第一个实体程序化单元(也称为，实体程序化单元410(0)-1)所存储的数据被存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)进行多次的读取时(例如，十万至百万次的读取次数)，由于存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)在每一次的读取操作皆会施加读取电压至实体程序化单元410(0)-1中的存储单元，实体程序化单元410(0)-1所存储的数据很有可能因为存储单元被反复地施加读取电压而产生错误位元或遗失，甚至造成位于实体抹除单元410(0)中存储在其他实体程序化单元中的数据产生错误位元或遗失，此即造成了“读取干扰”的问题。一般来说，可以借由判断“读取次数”是否大于一读取干扰值，来避免读取干扰所造成的数据错误或遗失。具体来说，以上述存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)重复读取实体程序化单元410(0)-1的例子来说，由于实体程序化单元410(0)-1被多次的读取后可能会在实体抹除单元410(0)中产生错误位元或数据遗失，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以判断对应存储在实体程序化单元410(0)-1的数据被读取的次数(即，读取次数)是否大于读取干扰门槛值，以决定是否搬移存储在实体抹除单元410(0)中的数据。其中倘若对应存储在实体程序化单元410(0)-1的数据的读取次数大于读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将实体程序化单元410(0)-1中的数据搬移至例如其他闲置的实体程序化单元中，以防止原本存储在实体程序化单元410(0)-1中的数据因重复地被读取而产生过多的错误位元或数据遗失。此外，还可以借由判断被读取的读取数据的“错误位元数目”是否大于一读取干扰值来避免读取干扰所造成的数据错误或遗失。具体来说，当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1读取一读取数据时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会同时读取此读取数据对应的错误检查与校正码，并且借由错误检查与校正电路512根据此错误检查与校正码对所读取的读取数据执行错误检查与校正程序，进而根据实体程序化单元410(0)-1所存储的数据 的错误位元数目，为实体程序化单元410(0)-1计算错误位元数目。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以判断从实体程序化单元410(0)-1所读取的读取数据的错误位元数目是否大于读取干扰门槛值。倘若从实体程序化单元410(0)-1所读取的读取数据的错误位元数目大于读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将实体程序化单元410(0)-1中的数据搬移至例如其他闲置的实体程序化单元中，以防止发生存储在实体程序化单元410(0)-1中的数据因重复地被读取而产生更多的错误位元或数据遗失。然而需注意的是，在先前技术中使用“读取次数”或“错误位元数目”来避免读取干扰的方法中，“读取干扰门槛值”并没有动态地做改变的机制，且此些方法皆没有考虑到实体抹除单元会磨损的情况。其中，假设当实体抹除单元410(0)磨损时，会导致存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将数据程序化至实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1时即产生过多的错误位元，更严重者还会导致例如数据遗失或无法存储数据。基此，本发明提出一种存储器管理方法，借由根据可复写式非挥发性存储器模块406的状态信息，动态地调整对应在实体抹除单元的“读取干扰门槛值”，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或抑制读取干扰发生的机率。图8是根据一范例实施例所示出的存储器管理方法的流程图。请参照图8，在步骤s801中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会为每一实体抹除单元410(0)～410(n)设定读取干扰门槛值。以实体抹除单元410(0)为例，在本发明的一范例实施例中，对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值可以是用于判断实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元的其中一所存储的数据的“读取次数”是否大于一特定数值，以决定是否搬移实体抹除单元410(0)中的数据。在本发明的另一范例实施例中，对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值可以是用于判断从实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元的其中一所读取的读取数据的“错误位元数目”是否大于一特定数值，以决定是否搬移实体抹除单元410(0)中的数据。接着，在步骤s803中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502) 会根据可复写式非挥发性存储器模块406的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。并且在步骤s805中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。在一范例实施例中，可复写式非挥发性存储器模块406状态信息可以是可复写式非挥发性存储器模块406中每一实体抹除单元410(0)～410(n)的抹除计数。例如，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会记录每一实体抹除单元410(0)～410(n)的抹除计数。具体来说，在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在可复写式非挥发性存储器模块406中存储抹除计数表来记录每一个实体抹除单元410(0)～410(n)的抹除计数，并且存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将抹除计数表载入至缓冲存储器508来维护。存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以在每次对实体抹除单元410(0)～410(n)的其中之一进行抹除操作时，对应地在抹除计数表中记录(或更新)被进行抹除操作的实体抹除单元的抹除计数。以实体抹除单元410(0)为例，假设存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对实体抹除单元410(0)进行一次的抹除操作时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以在抹除计数表中对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数值加一。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会根据抹除计数表中对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数，动态地调整对应于实体抹除单元410(0)读取干扰门槛值，借以用来更改搬移实体抹除单元410(0)中的数据的时机。其中，所述预防读取干扰操作可以是上述搬移实体抹除单元410(0)中的数据，也就是将实体抹除单元410(0)中的数据复制到实体抹除单元410(0)～410(n)之中的其他实体抹除单元中。此外，在另一范例实施例中，可复写式非挥发性存储器模块406状态信息可以是可复写式非挥发性存储器模块406的温度。例如，存储器控制器404(或存储器管理电路502)会借由温度传感电路514检查可复写式非挥发性存储器模块406的温度，并且根据可复写式非挥发性存储器模块406的温度调整实体抹除单元410(0)～410(n)的读取干扰门槛值。借以用来更改搬移实体抹除单元410(0)中的数据的时机。其中，所述预防读取干扰操作可以是上述 搬移实体抹除单元410(0)中的数据，也就是将实体抹除单元410(0)中的数据复制到实体抹除单元410(0)～410(n)之中的其他实体抹除单元中。通过上述方式，可以降低实体抹除单元410(0)～410(n)磨损的机率或抑制读取干扰发生的机率。以下提供数个范例实施例来进行更详细的说明。第一范例实施例在本发明的第一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会记录每一实体抹除单元410(0)～410(n)的抹除计数于抹除计数表中，并且根据抹除计数表中对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数，动态地调整对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值。特别是，在本发明的第一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是借由判断实体抹除单元410(0)的实体程序化单元410(0)-1的数据的“读取次数”是否大于读取干扰门槛值，以决定是否执行预防读取干扰操作。基于实体抹除单元会因抹除的次数过多而造成磨损的缘故，假设当实体抹除单元410(0)磨损时，可能会导致在将数据程序化至实体程序化单元410(0)-1时产生错误位元。此时，倘若仅使用固定的读取干扰门槛值来避免实体抹除单元410(0)的读取干扰，在此情况下，当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)之后重复地读取已磨损的实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1的数据时，则实体程序化单元410(0)-1很可能会在实体程序化单元410(0)-1的读取次数尚未大于读取干扰门槛值的情况下，因实体抹除单元410(0)的磨损以及被存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)重复地读取而产生了过多的错误位元。也就是说，在实体程序化单元410(0)-1的读取次数尚未大于读取干扰门槛值的情况下，实体程序化单元410(0)-1可能因为实体抹除单元410(0)的磨损所产生的错误位元，加上实体程序化单元410(0)-1被重复地读取所额外增加的错误位元，造成存储在实体程序化单元410(0)-1中的数据产生过多的错误位元。因此，在本发明的第一范例实施例中，假设当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应在实体抹除单元410(0)的读取干扰数门槛值调低，借以避免实体程序化单元410(0)-1中的数据产生过多的错误位元。具体来说，假设当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对 实体抹除单元410(0)(以下参考为，第一实体抹除单元)进行抹除操作时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会对应地将第一实体抹除单元的抹除计数加一。之后，实体抹除单元410(0)的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值从第一门槛值调整为第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。举例来说，图9是根据第一范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的示意图。请参照图9，在一状态下，假设对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数被纪录为7000(即，第一计数值)，而对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值被设定为90000(即，第一门槛值)。假设在经过一段时间后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)因对实体抹除单元410执行了1000次的抹除操作后而将对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数增加为8000(即，第二计数值)时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如会在实体抹除单元410(0)的抹除计数增加为8000的同时，将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值从7000调整为9000(即，第二门槛值)，借以在当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调低。然而需注意的是，本发明并不用于限定上述抹除计数以及读取干扰门槛值的数值，抹除计数以及读取干扰门槛值之间最佳的对应关系可以依不同类型的存储器存储装置通过反复地实验而求得。此外，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)还会根据实体抹除单元410(0)～410(n)中每一个实体程序化单元被读取的次数，为每一个实体程序化单元记录读取计数。举例来说，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以根据实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1(即，第一实体程序化单元)被读取的次数，记录对应于实体程序化单元410(0)-1的读取计数于读取计数表中。在本范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会在可复写式非挥发性存储器模块406中存储读取计数表来记录每一个实体抹除单元中的每一个实体抹除单元的读取计数，并且存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将此读取计数表载入至缓冲存储器508来维护。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会判断对应实体抹除单元410(0)的实体程序化单元410(0)-1的读取次数是否大于上述实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值。倘若对应实体程序化单元410(0)-1的读取次数大于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将存储在实体抹除单元410(0)的数据复制到实体抹除单元410(0)～410(n)之中的一实体抹除单元中。详细来说，由于存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将对应于实体抹除单元410(0)的读抹除计数调整为8000时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调整为9000，假设此时存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)连续地对实体抹除单元410(0)的实体程序化单元410(0)-1进行读取操作，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以在对实体程序化单元410(0)-1进行第9001次的读取操作后，复制存储在实体抹除单元410(0)中的数据至例如闲置区604中的实体抹除单元410(f)，并对实体抹除单元410(0)进行抹除操作，接着将实体抹除单元410(0)关联至闲置区604并将实体抹除单元410(f)关联至数据区602。然而需注意的是，本发明并不用于限定搬移第一实体抹除单元中的数据的方式。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以在对实体程序化单元410(0)-1进行第9001次的读取操作后，复制存储在实体程序化单元410(0)-1中的数据至例如缓冲存储器508中，并对实体抹除单元410(0)进行抹除操作后，重新将原本存储在实体程序化单元410(0)-1的数据从缓冲存储器508中写回实体抹除单元410(0)中。借由上述方式，当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调低，借以避免在实体程序化单元410(0)-1的读取计数尚未大于读取干扰门槛值的情况下，实体程序化单元410(0)-1因为实体抹除单元410(0)的磨损所产生的错误位元加上实体程序化单元410(0)-1被重复地读取所额外增加的错误位元，造成实体程序化单元410(0)-1产生了过多的错误位元。图10是根据第一范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛 值的流程图。请参照图10，在步骤s1001中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对第一实体抹除单元进行抹除操作。之后，在步骤s1003中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)更新第一实体抹除单元的抹除计数。最后，在步骤s1005中，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。图11是根据第一范例实施例所示出的执行预防读取干扰操作的流程图。请参照图11，在步骤s1101，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对第一实体抹除单元的第一实体程序化单元进行读取操作。接着，在步骤s1103，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)更新对应于第一实体程序化单元的读取次数。之后，在步骤s1105，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。倘若对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数非大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，则执行步骤s1101。倘若对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，则在步骤s1107中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。因此，在本发明的第一范例实施例中，当一实体抹除单元被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于此实体抹除单元的读取干扰门槛值调低，借以避免此实体抹除单元中的其中一个实体程序化单元的读取计数尚未大于读取干扰门槛值的情况下，即产生了过多的错误位元或数据遗失。第二范例实施例在本发明的第二范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会记录每一实体抹除单元410(0)～410(n)的抹除计数于抹除计数表中，并且根据抹除计数表中的抹除计数动态地调整对应于实体抹除单元 410(0)的读取干扰门槛值。特别是，在本发明的第二范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)是借由判断实体抹除单元410(0)的实体程序化单元410(0)-1中被读取的读取数据的「错误位元数目」是否大于读取干扰门槛值，以决定是否执行预防读取干扰操作。基于实体抹除单元会因抹除的次数过多而造成磨损的缘故，假设当实体抹除单元410(0)磨损时，可能会导致在将数据程序化至实体程序化单元410(0)-1时产生错误位元。倘若仅使用固定的读取干扰门槛值来避免实体抹除单元410(0)的读取干扰，可能因实体抹除单元410(0)的磨损而在将数据写入至实体程序化单元410(0)-1时产生多于错误位元数目的错误位元。此时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)即会搬移实体抹除单元410(0)中的数据并且对实体程序化单元410(0)执行抹除操作。在此情况下，倘若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)反复地对已磨损的实体抹除单元410(0)中的其中一个实体程序化单元进行写入，可能会因写入数据的错误位元数目大于错误位元计数门槛值，造成实体程序化单元410(0)被反复地进行抹除操作，进而加剧了实体程序化单元410(0)的磨损。因此，在本发明的第二范例实施例中，假设当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高，借以避免实体抹除单元410(0)被执行过多的抹除操作而造成更严重的磨损。具体来说，假设当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对实体抹除单元410(0)(以下参考为，第一实体抹除单元)进行抹除操作时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会对应地将第一实体抹除单元的抹除计数加一。之后，实体抹除单元410(0)的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第四门槛值大于第三门槛值。举例来说，图12是根据第二范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的示意图。请参照图12，在一状态下，假设对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数被纪录为7000(即，第一计数值)，而对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值被设定为90(即，第三门槛值)。假设在经过一段时间 后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)因对实体抹除单元410执行了1000次的抹除操作后而将对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数增加为8000(即，第二计数值)时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如会将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值从90调整为100(即，第四门槛值)，借以在当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高。然而需注意的是，本发明并不用于限定上述抹除计数以及读取干扰门槛值的数值，抹除计数以及读取干扰门槛值之间最佳的对应关系可以依不同类型的存储器存储装置通过反复地实验而求得。此外，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)还会根据第一实体抹除单元中的第一实体程序化单元被读取的读取数据的错误位元数目，为第一实体程序化单元计算错误位元计数。举例来说，当存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1(即，第一实体程序化单元)读取数据时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且借由错误检查与校正电路512根据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序，进而根据实体程序化单元410(0)-1所存储的数据的错误位元数目，为实体程序化单元410(0)-1计算错误位元计数。然而本发明并不用于限定计算错误位元计数的时机，在一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)也可以在将数据写入实体程序化单元410(0)-1后即借由错误检查与校正电路512执行错误检查与校正程序，进而根据实体程序化单元410(0)-1所存储的数据的错误位元数目，为实体程序化单元410(0)-1计算错误位元计数。之后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会判断从实体程序化单元410(0)-1所读取的读取数据的错误位元数目是否大于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值。倘若从实体程序化单元410(0)所读取的读取数据的错误位元数目大于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将存储在实体抹除单元410(0)的数据复制到实体抹除单元410(0)～410(n)之中的一实体抹除单元中。详细来说，由于存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将对应于实体抹除单元410(0)的读抹除计数调整为8000时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调整为100，假设此时存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从实体程序化单元410(0)-1读取数据时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且借由错误检查与校正电路512根据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序，进而根据实体程序化单元410(0)-1所存储的数据的错误位元数目，为实体程序化单元410(0)-1计算错误位元计数。假设此时实体程序化单元410(0)-1的错误位元计数的值为101，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以在对实体程序化单元410(0)-1进行读取操作后，复制存储在实体抹除单元410(0)中的数据至例如闲置区604中的实体抹除单元410(f)，并对实体抹除单元410(0)进行抹除操作，接着将实体抹除单元410(0)关联至闲置区604并将实体抹除单元410(f)关联至数据区602。然而需注意的是，本发明并不用于限定搬移第一实体抹除单元中的数据的方式。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以在对实体程序化单元410(0)-1进行第101次的读取操作后，复制存储在实体程序化单元410(0)-1中的数据至例如缓冲存储器508中，并对实体抹除单元410(0)进行抹除操作后，重新将原本存储在实体程序化单元410(0)-1的数据从缓冲存储器508写回实体抹除单元410(0)中。借由上述方式，当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高，借以避免因实体抹除单元410(0)的磨损使得数据写入时即产生多于读取干扰门槛值的错误位元数目，造成实体抹除单元410(0)被频繁地进行抹除操作的问题。基于本发明的第二范例实施例，可以有效地减缓实体抹除单元410(0)的磨损。图13是根据第二范例实施例所示出的根据抹除计数调整读取干扰门槛值的流程图。请参照图13，在步骤s1301中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)对第一实体抹除单元进行抹除操作。之后，在步骤s1303中， 存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)更新对应于第一实体抹除单元的抹除计数。最后，在步骤s1305中，当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第三门槛值调整为第四门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第四门槛值大于第三门槛值。图14是根据第二范例实施例所示出的执行预防读取干扰操作的流程图。请参照图14，在步骤s1401中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从第一实体抹除单元的第一实体程序化单元读取一读取数据。接着，在步骤s1403中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)判断从实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。倘若从实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目非大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，则执行步骤s1401。倘若从实体程序化单元所读取的读取数据的错误位元数目大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，在步骤s1405中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)将存储在第一实体抹除单元的数据复制到实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。因此，在本发明的第二范例实施例中，假设当一实体抹除单元被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于此实体抹除单元的读取干扰门槛值调高，借以避免此实体抹除单元被执行过多的抹除操作而造成更严重的磨损。第三范例实施例在本发明的第三范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会借由温度传感电路514检查可复写式非挥发性存储器模块406的温度，并且根据可复写式非挥发性存储器模块406的温度调整实体抹除单元410(0)～410(n)的读取干扰门槛值。举例来说，本发明的第三实施例是借由判断“错误位元数目”以及可复写式非挥发性存储器模块406的温度来调整读取干扰门槛值。以实体抹除单元410(0)与实体程序化单元410(0)-1为例，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可以借由判断实体抹除单元410(0)的实体程序化单元410(0)-1中被读取的读取数据的“错误位元数目”是否大于读取干扰门槛值， 以决定是否执行预防读取干扰操作。其中，假设当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高，借以避免实体抹除单元410(0)被执行过多的抹除操作而造成更严重的磨损。然而需注意的是，此时当可复写式非挥发性存储器模块406的温度升高时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)在将数据写入至可复写式非挥发性存储器模块406中的实体程序化单元时也更容易产生错误位元。因此，倘若之后存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)再次对处于高温的实体抹除单元410(0)中的实体程序化单元410(0)-1进行写入，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可能会检查到实体程序化单元410(0)-1中已产生过多的错误位元，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会搬移实体抹除单元410(0)中的数据并且对实体程序化单元410(0)执行抹除操作。在此情况下，倘若存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)反复地对处于高温且已磨损的实体抹除单元410(0)中的其中一个实体程序化单元进行写入，可能会因写入数据的错误位元数目大于错误位元计数门槛值，造成实体程序化单元410(0)被反复地进行抹除操作，进而加剧了实体程序化单元410(0)的磨损。因此，在本发明的第三范例实施例中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会借由温度传感电路514检查可复写式非挥发性存储器模块406的温度，并且根据可复写式非挥发性存储器模块406的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。特别是，当可复写式非挥发性存储器模块406的温度从第一温度值增加为第二温度值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值。详细来说，图15a、图15b与图15c是根据第三范例实施例所示出的根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整读取干扰门槛值的示意图。请同时参照图15a、图15b与图15c，假设在图15a的状态下，假设目前可复写式非挥发性存储器模块406的温度为60℃，对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数被纪录为7000(即，第一计数值)，而对应于实体抹除单元 410(0)的读取干扰门槛值被设定为90(即，第三门槛值)。假设在经过一段时间后，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)因对实体抹除单元410执行了1000次的抹除操作后而将对应于实体抹除单元410(0)的抹除计数增加为8000(即，第二计数值)时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如会将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值从90调整为100(即，第四门槛值)，借以在当实体抹除单元410(0)被抹除的次数增加时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高。假设此时可复写式非挥发性存储器模块406的温度从60℃上升至80℃，如图15b所示，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以再将读取干扰门槛值从100调整至105(即，第五门槛值)。之后，假设可复写式非挥发性存储器模块406的温度从80℃(即，第一温度值)上升至100℃(即，第二温度值)，如图15c所示，则存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以再将读取干扰门槛值从105调整至110(即，第六门槛值)。假设此时存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)从实体程序化单元410(0)-1读取数据时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会同时读取此数据对应的错误检查与校正码，并且借由错误检查与校正电路512根据此错误检查与校正码对所读取的数据执行错误检查与校正程序，进而根据实体程序化单元410(0)-1所存储的数据的错误位元数目，为实体程序化单元410(0)-1计算错误位元计数。假设此时实体程序化单元410(0)-1的错误位元计数的值为111，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)例如可以在对实体程序化单元410(0)-1进行读取操作后，复制存储在实体抹除单元410(0)中的数据至例如缓冲存储器508中，并对实体抹除单元410(0)进行抹除操作，并且在之后可复写式非挥发性存储器模块406的温度下降至某一温度值后，重新将原本存储在实体程序化单元410(0)-1的数据从缓冲存储器508写回实体抹除单元410(0)中。然而需注意的是，本发明并不用于限定上述搬移第一实体抹除单元中的数据的方式，且本发明并不用于限定上述抹除计数、可复写式非挥发性存储器模块406的温度以及读取干扰门槛值的数值，抹除计数、可复写式非挥发 性存储器模块406的温度以及读取干扰门槛值之间最佳的对应关系可以依不同类型的存储器存储装置通过反复地实验而求得。借由上述方式，可以有效地避免当可复写式非挥发性存储器模块406的温度升高时，实体抹除单元410(0)被执行过多的抹除操作而造成更严重的磨损的问题。图16是根据第三范例实施例所示出的根据温度调整读取干扰门槛值的流程图。在步骤s1601中，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会检查可复写式非挥发性存储器模块406的温度，用以根据可复写式非挥发性存储器模块的温度调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值。接着，在步骤s1603中，当可复写式非挥发性存储器模块406的温度从第一温度值增加为第二温度值时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第五门槛值调整为第六门槛值，其中第二温度值大于第一温度值，第六门槛值大于第五门槛值。因此，在本发明的第三范例实施例中，假设当可复写式非挥发性存储器模块406的温度升高时，存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)会动态地将对应于实体抹除单元410(0)的读取干扰门槛值调高，借以避免实体抹除单元410(0)被执行过多的抹除操作而造成更严重的磨损。值得一提的是，在第三范例实施例中，是根据可复写式非挥发性存储器模块406的温度来动态地调整对应每一实体抹除单元的读取干扰门槛值，但本发明不限于此。在另一范例实施例中，存储器控制器404(或存储器管理电路502)还可一并考量可复写式非挥发性存储器模块406的温度及各实体抹除单元的抹除计数下来设定读取干扰门槛值。也就是说，在上述第一与第二范例实施例的存储器控制电路单元404(或存储器管理电路502)可更如第三范例实施例所述的根据可复写式非挥发性存储器模块406的温度来动态地调整对应每一实体抹除单元的读取干扰门槛值。综上所述，由于可复写式非挥发性存储器模块存在着实体抹除单元会磨损以及读取干扰的现象，本发明提出根据实体抹除单元的抹除次数动态地调整读取干扰门槛值，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或读取干扰发生的机率。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。当前第1页12当前第1页12