1.一种提高NAND FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在使用过程中，NAND FLASH进行读取、擦除或编程的操作；
NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；所述NAND FLASH包括支持完成一次NAND的编程操作的电容；
若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；
若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。
2.根据权利要求1所述的提高NAND FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述NAND FLASH包括IO口线，用于触发电平发送中断信号至NAND FLASH控制器。
3.一种提高NAND FLASH可靠性的装置，其特征在于，包括：
IO口线，用于触发电平发送中断信号至NAND FLASH控制器；
电容，用于支持完成一次NAND的编程操作的电容；
NAND控制器，用于接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。