一种存储单元、存储器及存储单元控制方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及数据存储技术领域，尤其是涉及一种存储单元、存储器及存储单元控 制方法。
【背景技术】
[0002] 通常，数据存储有两种方式：闪存与硬盘存储。其中，闪存读取速度快，容量小， 价格高。硬盘存储读写速度慢，容量大，但是价钱便宜。基于此，目前出现了纳米轨道 Racetrack的新型存储方式，具备闪存高性能、硬盘低成本高容量的特性。
[0003] 现有的纳米级轨道由磁性材料构成，包含多个磁性区域，即磁畴，相邻的磁畴由磁 畴壁分开，所述多个磁性区域与磁畴壁组成U型存储轨道；轨道顶部两端设有高压驱动电 路产生驱动磁畴壁移动的电流脉冲，磁畴壁在该电流脉冲作用下沿轨道移动，从而使磁畴 移动。轨道底部设置有一对读写装置对所述U型存储轨道进行读写控制。
[0004] 若U型纳米级轨道包含的2N个磁畴中（N为大于或等于1的正整数)，当磁畴壁移 动时，右边的轨道需要容纳左边轨道的数据信息，因此2N个磁畴只能存储N位数据，存储密 度低；磁性轨道为驱动2N个磁畴壁运动，轨道顶部两端的高压驱动电路施加的电压高，存 储器功耗大；并且一对读写装置仅控制磁性轨道中的两个存储条，制造成本较高。
【发明内容】
[0005] 本发明实施例提供了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储 密度、降低功耗和制造成本。
[0006] 本发明第一方面提供一种存储单元，其中，可包括：
[0007] 梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，与所述第一驱动电路连接的第一驱 动端口，以及与所述第二驱动电路连接的第二驱动端口；
[0008] 所述梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域以及连接所述第一存储区域 和所述第二存储区域的梳柄，所述第一存储区域和所述第二存储区域中的至少一个存储区 域包括两个以上存储条；
[0009] 其中，所述第一驱动电路用于驱动所述第一存储区域，所述第二驱动电路用于驱 动所述第二存储区域；
[0010] 通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口 的输入电压的控制以及所述第一驱动电路的驱动，所述第一存储区域中的一个存储条产生 电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动；
[0011] 通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口 的输入电压的控制以及所述第二驱动电路的驱动，所述第二存储区域中的一个存储条产生 电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
[0012] 在第一方面的第一种可能的实现方式中：
[0013] 所述第一驱动电路包括第一栅极端口，所述第二驱动电路包括第二栅极端口，所 述第一栅极端口用于根据在所述第一栅极端口施加的电压大小，控制接通或关闭所述第一 驱动电路；所述第二栅极端口用于根据在所述第二栅极端口施加的电压大小，控制接通或 关闭所述第二驱动电路。
[0014] 在第一方面的第二种可能的实现方式中：
[0015] 所述第一存储区域设置于所述第一端口与所述梳柄之间，所述第二存储区域设置 于所述第二端口与所述梳柄之间。
[0016] 结合第一方面或第一方面第一种的实现方式或第二种可能的实现方式，在第三种 可能的实现方式中：
[0017] 所述存储单元还包括设置于所述梳型磁性轨道底部的写入电路和读取电路，所述 写入电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进行写操 作，所述读取电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进 行读操作。
[0018] 结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中：
[0019] 所述存储单元还包括与所述读取电路连接的存储模块，所述存储模块用于当所述 梳型磁性轨道中的任一个存储条内的磁畴移动时，存储从所述梳型磁性轨道移出的数据。
[0020] 本发明第二方面提供一种存储器，其中，可包括至少一个存储单元；
[0021] 其中，所述存储单元，可包括：
[0022] 梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，与所述第一驱动电路连接的第一驱 动端口，以及与所述第二驱动电路连接的第二驱动端口；
[0023] 所述梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域以及连接所述第一存储区域 和所述第二存储区域的梳柄，所述第一存储区域和所述第二存储区域中的至少一个存储区 域包括两个以上存储条；
[0024] 其中，所述第一驱动电路用于驱动所述第一存储区域，所述第二驱动电路用于驱 动所述第二存储区域；
[0025] 通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口 的输入电压的控制以及所述第一驱动电路的驱动，所述第一存储区域中的一个存储条产生 电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动；
[0026] 通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口 的输入电压的控制以及所述第二驱动电路的驱动，所述第二存储区域中的一个存储条产生 电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
[0027] 结合第二方面，在第一种可能的实现方式中：
[0028] 所述第一驱动电路包括第一栅极端口，所述第二驱动电路包括第二栅极端口，所 述第一栅极端口用于根据在所述第一栅极端口施加的电压大小，控制接通或关闭所述第一 驱动电路；所述第二栅极端口用于根据在所述第二栅极端口施加的电压大小，控制接通或 关闭所述第二驱动电路。
[0029] 在第二方面的第二种可能的实现方式中：
[0030] 所述第一存储区域设置于所述第一端口与所述梳柄之间，所述第二存储区域设置 于所述第二端口与所述梳柄之间。
[0031] 结合第二方面或第二方面第一种的实现方式或第二种可能的实现方式，在第三种 可能的实现方式中：
[0032] 所述存储单元还包括设置于所述梳型磁性轨道底部的写入电路和读取电路，所述 写入电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进行写操 作，所述读取电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进 行读操作。
[0033] 结合第二方面的第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中：
[0034] 所述存储单元还包括与所述读取电路连接的存储模块，所述存储模块用于当所述 梳型磁性轨道中的任一个存储条内的磁畴移动时，存储从所述梳型磁性轨道移出的数据。
[0035] 本发明第三方面提供一种存储单元控制方法，其中，应用于如上所述的存储单元， 所述方法可包括：
[0036] 通过对所述存储单元的第一端口、第二端口以及第一驱动端口和第二驱动端口的 输入电压的控制以及所述第一驱动电路的驱动，控制所述存储单元的第一存储区域中的一 个存储条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动；
[0037] 通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口 的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，控制所述存储单元的第二存储区域中的一个 存储条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
[0038] 结合第三方面，在第一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
[0039] 根据所述存储单元的第一栅极端口以及第二栅极端口的输入电压大小，接通所述 第一驱动电路，或者接通所述第二驱动电路。
[0040] 从以上技术方案可以看出，本发明实施例提供的存储单元、存储器及存储单元控 制方法具有以下优点：所述存储单元包括两个以上存储条，用于存储数据，提高了存储密 度；并且，所述两个以上存储条通过一对读写装置进行控制，相