其他存储条，以及第二存储区域112的存 储条控制操作可以参考上述第一存储区域111的控制过程，此处不再赘述。
[0065] 更进一步地，所述存储单元100还包括设置于所述梳型磁性轨道110底部的写入 电路60和读取电路70,所述写入电路60用于对所述第一存储区域111中的存储条和所述 第二存储区域112中的存储条进行写操作，所述读取电路70用于对所述第一存储区域111 中的存储条和所述第二存储区域112中的存储条进行读操作。
[0066] 需要说明的是，所述梳型磁性轨道110中存储条存储的原理就是利用磁畴的移动 来存储信息；优选地，将所述第一驱动电路20和所述第二驱动电路30设置于所述梳型磁 性轨道110的底部，分别驱动第一存储区域111中的存储条和第二存储区域112中的存储 条的磁畴移动，因此M(所述M为等于或大于2的正整数）个存储条中的M*N个磁畴可存储 M*N位数据，提高了存储密度。
[0067] 所述存储单元100还包括与所述读取电路70连接的存储模块，所述存储模块用 于当所述梳型磁性轨道110中的任一个存储条内的磁畴移动时，存储从所述梳型磁性轨道 110移出的数据。
[0068] 本发明实施例中，为了更好的理解本发明技术方案，以下提供一具体应用场景对 所述存储单元100的工作原理进行分析说明：
[0069] 在该应用场景下，通过对第一端口A、第二端口B以及所述第一驱动端口 40和所 述第二驱动端口 50的输入电压的控制以及对M0S驱动电路(第一驱动电路20或第二驱动 电路30)的驱动，可在所述梳型磁性轨道110内（第一存储区域111中的一个存储条或第二 存储区域112中的一个存储条)产生电流脉冲，驱动磁畴壁移动。通过轨道底部的写入电路 60进行数据写入，通过底部的读取电路70进行数据读取。
[0070] 具体地，请参考如图2,图2为该应用场景下所提供的存储单元100的结构示意图， 并可一并参考表一和表二，其中，表一为存储单兀1〇〇的进行写操作时端口电压控制不意， 表二为存储单元100的进行读操作时端口电压控制示意：
[0071] 在该应用场景下，假设所述第一存储区域111由存储条4、存储条5和存储条6三 个存储条组成，所述第二存储区域112由存储条1、存储条2和存储条3三个存储条组成， 如图2,对应地，即所述第一端口A由端口 44、55、66组成，所述第二端口B由端口 11、22、33 组成；另容易想到的是，所述第一存储区域111和所述第二存储区域112也可以由两个、四 个或更多个存储条组成，其组成的存储条的数量也可以不同，此处举例不构成对本发明的 限定。
[0072] 其中，所述第一驱动电路20和第二驱动电路30中的M0S晶体管以增强型N管为 例，请参考表一，若针对存储条1进行写操作，在端口 11加电压+Vpp，在端口 22-66均加电 压V-inhibit，在第一栅极端口 201加电压Vss，第二栅极端口 301、第二驱动端口 50和第 一驱动端口 40均连接至地，其中，Vss数值大于N管阈值电压Vtl，第一栅极端口 201、第 二栅极端口 301加电压Vss能使驱动电路中M0S管导通；定义存储条的自旋转移阈值电压 为Vt2,Vpp数值大于或等于Vt2,即Vpp能使存储条中产生电流脉冲；电压V-inhibit小于 Vt2,且Vpp- (V-inhibit)的数值小于Vt2。
[0073] 表一
[0074]
【主权项】
1. 一种存储单元，其特征在于，包括： 梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，与所述第一驱动电路连接的第一驱动端 口，W及与所述第二驱动电路连接的第二驱动端口； 所述梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域W及连接所述第一存储区域和所 述第二存储区域的梳柄，所述第一存储区域和所述第二存储区域中的至少一个存储区域包 括两个W上存储条； 其中，所述第一驱动电路用于驱动所述第一存储区域，所述第二驱动电路用于驱动所 述第二存储区域； 通过对所述第一端口、所述第二端口 W及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口的输 入电压的控制W及所述第一驱动电路的驱动，所述第一存储区域中的一个存储条产生电流 脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动； 通过对所述第一端口、所述第二端口 W及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口的输 入电压的控制W及所述第二驱动电路的驱动，所述第二存储区域中的一个存储条产生电流 脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
2. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于： 所述第一驱动电路包括第一栅极端口，所述第二驱动电路包括第二栅极端口，所述第 一栅极端口用于根据在所述第一栅极端口施加的电压大小，控制接通或关闭所述第一驱动 电路；所述第二栅极端口用于根据在所述第二栅极端口施加的电压大小，控制接通或关闭 所述第二驱动电路。
3. 根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于： 所述第一存储区域设置于所述第一端口与所述梳柄之间，所述第二存储区域设置于所 述第二端口与所述梳柄之间。
4. 根据权利要求1至3任一项所述的存储单元，其特征在于： 所述存储单元还包括设置于所述梳型磁性轨道底部的写入电路和读取电路，所述写入 电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进行写操作，所 述读取电路用于对所述第一存储区域中的存储条和所述第二存储区域中的存储条进行读 操作。
5. 根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于： 所述存储单元还包括与所述读取电路连接的存储模块，所述存储模块用于当所述梳型 磁性轨道中的任一个存储条内的磁畴移动时，存储从所述梳型磁性轨道移出的数据。
6. -种存储器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至5任一项所述的存储单元。
7. -种存储单元控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1至5任一项所述的存储单 元，所述方法包括： 通过对所述存储单元的第一端口、第二端口 W及第一驱动端口和第二驱动端口的输入 电压的控制W及所述第一驱动电路的驱动，控制所述存储单元的第一存储区域中的一个存 储条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动； 通过对所述第一端口、所述第二端口 W及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口的输 入电压的控制W及第二驱动电路的驱动，控制所述存储单元的第二存储区域中的一个存储 条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
8.根据权利要求7所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括： 根据所述存储单元的第一栅极端口 W及第二栅极端口的输入电压大小，接通所述第一 驱动电路，或者接通所述第二驱动电路。
【专利摘要】本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。
【IPC分类】G11C11-02
【公开号】CN104575582
【申请号】CN201310496705
【发明人】林殷茵, 韦竹林, 赵俊峰, 杨伟, 傅雅蓉, 杨凯
【申请人】华为技术有限公司, 复旦大学
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月21日
【公告号】WO2015058674A1