对于现有一对读写装置控制 两个存储条，降低了制造成本；另外，所述存储单元中驱动电路所提供的电流脉冲仅需驱动 轨道一边的一个存储条的磁畴壁移动，因此可以减少驱动电压，也降低功耗。
【附图说明】
[0041] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的 附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领 域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附 图。
[0042] 图1为本发明实施例提供的一种存储单元的结构示意图；
[0043] 图2为本发明实施例提供的存储单元的另一结构示意图；
[0044] 图3为本发明实施例提供的一种存储器的结构示意图；
[0045] 图4为本发明实施例提供的一种存储单元控制方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0046] 为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明 实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述 的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域 普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护 的范围。
[0047] 本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语"第一"、"第二"、"第三""第 四"等(如果存在）是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该 理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以 除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语"包括"和"具有"以及他们的任 何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、 产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于 这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0048] 下面通过具体实施例，分别进行详细的说明。
[0049] 请参考图1，图1为本发明实施例提供的一种存储单元100的结构示意图，其中，所 述存储单元1〇〇包括：
[0050] 梳型磁性轨道110,第一驱动电路20,第二驱动电路30,与所述第一驱动电路20连 接的第一驱动端口 40,以及与所述第二驱动电路30连接的第二驱动端口 50 ;
[0051] 所述梳型磁性轨道110包括第一存储区域111，第二存储区域112以及连接所述第 一存储区域111和所述第二存储区域112的梳柄113,所述第一存储区域111和所述第二存 储区域112中的至少一个存储区域包括两个以上存储条(如图示a、b、……）；
[0052] 进一步地，所述第一存储区域111设置于所述第一端口A与所述梳柄113之间，所 述第二存储区域112设置于所述第二端口B与所述梳柄113之间。以图1所示的存储单元 为例，所述第一存储区域111和第二存储区域112中的存储条均可以包括N(N为大于或等 于1的正整数)个存储块，其中，如图示a-1为存储条a的首磁性存储区域块，图示b-1为存 储条b的首磁性存储区域块，图示a-N为存储条a的末磁性存储区域块，图示b-N为存储条 b的末磁性存储区域块。另容易想到的是，本发明实施例仅以图1所示的存储单元结构示意 进行分析说明，但不构成对本发明的限定。
[0053] 本发明实施例中，由于所述第一存储区域111和所述第二存储区域112中的至少 一个存储区域包括两个以上存储条，因此所述梳型磁性轨道110顶部的第一端口A由所述 第一存储区域111包括的一个或两个以上存储条的顶部端口组成，所述梳型磁性轨道110 顶部的第二端口B由所述第二存储区域112包括的一个或两个以上存储条的顶部端口组 成。
[0054] 可以理解的是，所述第一驱动电路20和第二驱动电路30可以均设计为金属-氧 化物-半导体（MOS，MetalOxideSemiconductor)结构的晶体管或者CMOS结构的晶体管 或者由其组成的驱动电路，此处不作具体限定。
[0055] 其中，所述第一驱动电路20用于驱动所述第一存储区域111，所述第二驱动电路 30用于驱动所述第二存储区域112 ;
[0056] 通过对所述第一端口A、所述第二端口B以及所述第一驱动端口 40和所述第二驱 动端口 50的输入电压的控制以及所述第一驱动电路20的驱动，所述第一存储区域111中 的一个存储条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动；
[0057] 当所述第一驱动电路20驱动，所述第一存储区域111内产生电流脉冲时，驱动所 述第一存储区域111内的磁畴壁移动，；同时，为了节省能源和保证所述第一存储区域111 正常工作，关断所述第二驱动电路30,即所述第二驱动电路30不工作。
[0058] 通过对所述第一端口A、所述第二端口B以及所述第一驱动端口 40和所述第二驱 动端口 50的输入电压的控制以及所述第二驱动电路30的驱动，所述第二存储区域112中 的一个存储条产生电流脉冲，并驱动产生电流脉冲的存储条的磁畴移动。
[0059] 当所述第一驱动电路30驱动，所述第一存储区域112内产生电流脉冲时，驱动所 述第二存储区域112内的磁畴壁移动，；同时，为了节省能源和保证所述第二存储区域112 正常工作，关断所述第二驱动电路20,即所述第二驱动电路20不工作。
[0060] 由上述可知，本发明实施例提供的存储单元100包括两个以上存储条，用于存储 数据，提高了存储密度；并且，所述两个以上存储条通过一对读写装置进行控制，相对于现 有一对读写装置控制两个存储条，降低了制造成本；另外，所述存储单元1〇〇中驱动电路所 提供的电流脉冲仅需驱动轨道一边的一个存储条的磁畴壁移动，因此可以减少驱动电压， 也降低功耗。
[0061] 进一步地，可如图1所示，所述第一驱动电路20包括第一栅极端口 201，所述第二 驱动电路30包括第二栅极端口 301，所述第一栅极端口 201用于根据在所述第一栅极端口 201施加的电压大小，控制接通或关闭所述第一驱动电路20 ;所述第二栅极端口 301用于根 据在所述第二栅极端口 301施加的电压大小，控制接通或关闭所述第二驱动电路30。
[0062] 需要说明的是，针对所述第一存储区域111，若通过对所述第一端口A、所述第二 端口B以及所述第一驱动端口 40和所述第二驱动端口 50输入电压的控制，使得第一存储 区域111中的一个存储条(如存储条a)两端（即存储条对应的顶部端口和所述第一驱动端 口 40)之间的电压差大于或等于磁畴移动的临界电压，第一存储区域111的其他存储条两 端（即存储条对应的顶部端口和所述第一驱动端口 40)之间的电压差小于磁畴移动的临界 电压，以及第二存储区域112所有存储条两端（即存储条和所述第一驱动端口 50)之间的电 压差小于磁畴移动的临界电压；并且，控制所述第一栅极端口 201的电压大小以接通第一 驱动电路20,控制所述第二栅极端口 301的电压大小以关闭第二驱动电路30 ;从而在所述 第一驱动电路20驱动下，所述第一存储区域111中存储条a内产生电流脉冲，并驱动所述 存储条a内的磁畴移动，从而对所述存储条a完成读操作或写操作；另外，容易想到的是，所 述存储单元100中存储条a两端的电压跟磁畴的移动距离成正比，也就是说当移动距离变 长时，若保持相同的磁畴速度移动，则需要加大对应的存储条a两端的电压。
[0063] 本发明实施例中，通过对存储单元100各端口电压的控制，使得所述第一存储区 域111中的存储条和所述第二存储区域112中的存储条不会同时工作，也就是每次只控制 一个存储条进行读操作或写操作。
[0064] 可以理解的是，所述第一存储区域111的