资料存储型闪存中触发操作的方法与装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器读写操作的技术领域，特别是涉及一种资料存储型闪存中触发操作的方法与装置。
【背景技术】
[0002]随着电子产品的不断发展，芯片技术也在发生着巨大的变化。资料存储型闪存作为闪存FLASH的一种，由于其内部非线性宏单元模式为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。资料存储型闪存存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
[0003]但资料存储型闪存在其应用领域也存在一定的不足。由于不同产品对资料存储型闪存的控制电路要求不同，进而导致输出信号在频率及脉冲宽度上也不尽相同。这种输出信号的差异会限制资料存储型闪存的应用范围。
【发明内容】
[0004]针对以上不足，本发明提出了一种资料存储型闪存中触发操作的方法与装置。通过调节输出信号的脉冲宽度，进而使资料存储型闪存能够满足不同领域应用的要求。
[0005]为了实现以上技术方案，本发明提供了一种资料存储型闪存中触发操作的方法，包括以下步骤:
[0006]S1、通过闪存内部电路，获得操作使能信号；
[0007]S2、通过延时模块，获得所述操作使能信号对应的延时信号；
[0008]S3、通过所述操作使能信号触发翻转，触发对应控制信号翻转；
[0009]S4、通过所述延时信号触发翻转，触发所述控制信号翻转并恢复至初始状态。
[0010]进一步的，所述使能信号包括读使能信号或写使能信号。
[0011]进一步的，所述延时信号用于调节所述控制信号的脉冲宽度。
[0012]进一步的，所述延时信号来自于资料存储型闪存内部延时模块。
[0013]此外，本发明还提供了一种资料存储型闪存中触发操作的装置，包括:操作使能模块、延时模块、控制信号模块、信号恢复模块，
[0014]其中，所述操作使能模块用于通过闪存内部电路，获得操作使能信号；
[0015]所述延时模块，配置于资料存储型闪存内部电路，用于获得所述操作使能信号对应的延时信号；
[0016]所述控制信号模块用于通过所述操作使能信号触发翻转，触发对应控制信号翻转；
[0017]所述信号恢复模块用于通过所述延时信号触发翻转，触发所述控制信号翻转并恢复至初始状态。
[0018]进一步的，所述操作使能模块包括读操作使能模块或写操作使能模块。
[0019]进一步的，所述延时模块用于调节所述控制信号的脉冲宽度。
[0020]进一步的，所述延时模块来自于资料存储型闪存内部电路。
[0021]本发明通过对操作使能信号加入延迟控制，进而能到达到调节控制信号的翻转与恢复，从而克服了资料存储型闪存中内部电路对操作使能信号的限制要求，扩展了资料存储型闪存的应用范围。
【附图说明】
[0022]图1是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中触发操作的方法的流程图。
[0023]图2是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中触发操作的方法的时序图。
[0024]图3是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中触发操作的装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0026]实施例一
[0027]图1是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中触发操作的方法的流程图。
[0028]如图1所示，一种资料存储型闪存(以下称闪存)中触发操作的方法，包括以下步骤:
[0029]101、通过闪存内部电路，获得操作使能信号。
[0030]其中，操作使能信号包括有读使能信号或写使能信号。值得注意的是，读使能信号是由外部读入信号加载到闪存内部电路，并经过处理之后得到的；而写使能信号是由外部写入信号加载到闪存内部电路，并经过处理之后得到的。
[0031]102、通过延时模块，获得操作使能信号对应的延时信号。延时信号所延时间的长短是由延时模块所决定的。并且，延时模块来自于闪存内部电路。
[0032]利用操作使能信号通过延时模块，进而获得操作使能信号对应的延时信号。
[0033]103、通过操作使能信号触发翻转，触发对应控制信号翻转。
[0034]这里需要指出的是，读使能信号由高电平翻转为低电平时，触发对应控制信号的翻转；而写使能信号由低电平翻转为高电平时，触发对应控制信号的翻转。初始状态下，控制信号为低电平，经过读使能信号或写使能信号触发后，翻转为高电平。
[0035]104、通过延时信号触发翻转，触发控制信号翻转并恢复至初始状态。
[0036]延时信号的翻转会触发控制信号翻转并恢复之前的电位。例如，读使能信号通过延时模块后生成读使能信号对应的延时信号，当对应的延时信号由高电平触发翻转成低电平时，控制信号由高电平恢复至原先的低电平状态。
[0037]当写使能信号通过延时模块后生成写使能信号对应的延时信号，当对应的延时信号由低电平触发翻转成高电平时，控制信号由高电平恢复至原先的低电平状态。
[0038]实施例二
[0039]图2是是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中触发操作的方法的时序图。
[0040]由图2所示，以操作使能信号为读使能信号REB为例，本发明资料存储型闪存中触发操作的方法可理解为:
[0041]首先外部读入信号通过闪存内部电路，生成相应的读使能信号REB。并且，读使能信号初始状态时处于高电平状态。
[0042]读使能信号REB通过闪存内部电路中的延时模块，获得读使能信号的延时信号B。这里需要指出的是