列的列地址ADDR_C。层地址ADDR_Layer可以被提供到层选择单元7 20B，并且列地址ADDR_C可以被提供给列选择单元730B。
[0172]根据图17B中所示的示例性实施例，地址映射表711B可以包括对应于指示子扇区位置的逻辑地址ADDR_L，指示向和从其写入或者读取子扇区数据层和位置的映射信息。因此，在地址变换单元710B的映射操作期间，可以执行根据一些示例性实施例的层分配操作，而无需额外的层分配过程。
[0173]图18是根据本发明概念的另一示例性实施例的存储器系统800的框图。
[0174]参照图18，存储器系统800可以包括存储器控制器810和存储器装置820。存储器控制器810可以包括ECC单元811、处理单元812、和层分配单元813。此外，处理单元812可包括分配设置单元812_1。
[0175]存储器装置820可以响应于从存储器控制器810接收的控制信号CTRL、地址ADDR、以及命令CMD来执行存储器操作。存储器装置820可以从存储器控制器810接收写数据DATA，或者向存储器控制器810输出读数据DATA。存储器控制器810可包括层分配单元813，并且根据上述示例性实施例来执行层分配操作。
[0176]由于存储器装置820包括多个层，随着存储器操作累积，相应层可能会以不同的程度被劣化。ECC单元811可以检测在被包括在存储器装置820中的多个层中的错误，并提供检测结果到处理单元812。分配设定单元812 j可基于错误检测结果，来确定具有相对低的劣化度的层和具有相对高劣化度的层。分配设定单元812_1可以改变被包括在层分配单元813中的层分配信息的设定，并且改变对所期望的(或，可替换地，预定的)数据单元的层分配操作。
[0177]例如，层分配信息可以被设置为将数据的单元分布和写入到多个特定的层中。因此，尽管对于数据的单元所造成的错误的数量可以被均匀化，但是多个特定层中的至少一些的特性可能被特别劣化。在这种情况下，在其中数据的预定单元被写入的至少一个层可以在分配设定单元812_1的控制下被改变，使得对数据的预定单元所造成的错误的数量可以保持均匀。
[0178]图19是示出将根据上述示例性实施例中的任何一个的存储器系统应用到存储卡系统900中的示例的框图。存储器系统被假设为电阻式存储器系统。
[0179]参照图19，存储卡系统900可以包括主机910和存储卡920。主机910可包括主机控制器911和主机连接器912。存储卡920可以包括卡连接器921、卡控制器922、和存储器系统923。存储器系统923可使用如图1到图18中所示的示例性实施例的一个或者多个来体现。因此，存储器系统923可以包括存储器控制器和电阻式存储器装置，并且任何一个区域数据可以被分类成多个子区域数据，并且被控制为要被分布并存储在多个层。
[0180]主机910可以将数据写入到存储卡920，或者可以读取存储在存储卡920中的数据。主控制器911可以经由主机连接器912将命令CMD、由在主机910中的时钟发生器(未示出)所产生的时钟信号CLK、和数据DATA传输到存储卡920。
[0181]响应于通过卡连接器921接收的命令CMD，卡控制器922可以与在卡控制器922中的时钟发生器所产生的时钟信号CLK同步地将数据DATA存储在存储器装置923中。存储器装置923可以存储从主机910传输的数据DATA。
[0182]存储卡920可以通过紧凑型闪存卡(CFC)、微驱动器(Microdrive)、智能媒体卡(SMC)、多媒体卡(MMC)、安全数字卡(SDC)、记忆棒、USB闪存驱动器等来实现。
[0183]图20是示出了将根据示例性实施例中的任何一个的存储器系统应用到固态驱动器SSD系统1000中的例子的框图。
[0184]参照图20，SSD系统1000可以包括主机1100和SSD 1200oSSD 1200可以经由信号连接器(未示出)来与主机1100交换信号，且可通过电源连接器(未示出)来接收电源的输入。SSD 1200可包括SSD控制器1210、辅助电源1220、以及多个存储器系统1230、1240、以及1250。在此情况下，每一个存储器系统1230、1240、和1250可以使用在图1到图18中所示的示例性实施例中的一个或者多个来实现。因此，每一个存储器系统1230、1240、和1250可以被控制，以使得任何一个区域数据被分类为多个子区域数据，并且被分布到并存储在多个层中。
[0185]图21是包括根据示例性实施例中的任何一个的存储器系统1310的计算系统1300的框图。存储器系统1310被假设为电阻式存储器系统。
[0186]参照图21，计算系统1300可以包括存储器系统1310、处理器1320、RAM1330、输入/输出(I/o)装置1340、和电源1350。而且，存储器系统1310可以包括存储器装置1311和存储器控制器1312。可替代地，虽然未在图21中示出，但是计算系统1300可进一步包括可与视频卡、声卡、存储卡、USB装置等，或其他电子装置进行通信的端口。计算系统1300可以由个人计算机或诸如膝上型计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)、和照相机的便携式电子装置来实现。
[0187]处理器1320可以执行特定计算或任务。在一些示例性实施例中，处理器1320可以是微处理器或中央处理单元(CPU)。处理器1320可以经由诸如地址总线、控制总线、和数据总线的总线1360进行与RAM 1330、I/O装置1340、和存储器系统1310的通信。存储器系统1310和/SRAM 1330可以通过使用在图1到图18中的一个或多个中所示的示例性实施例来体现。
[0188]根据一些示例性实施例，处理器1320可连接到扩展总线，诸如外围部件互连(PCI)总线。
[0189]RAM 1330可存储用于计算系统1300的操作的数据。如上所述，根据一些示例性实施例的存储器装置可以被实现为RAM 1330。可替代地，诸如动态RAM(DRAM)、移动DRAM、静态RAM(SRAM)、PRAM、铁电RAM(FRAM)、MRAM等的其他存储器可以用作RAM 1330。
[0190]I/O装置1340可以包括诸如键盘、小键盘、或鼠标的输入装置，和诸如打印机或显示器的输出装置。电源1350可以提供计算系统1300的操作所需的工作电压。
[0191]虽然已经参考本发明的一些示例性实施例来具体示出和描述了本发明概念的示例性实施例，但是应该理解，可以在不脱离以下权利要求的精神和范围的情况下，对其在形式和细节上进行各种变化。
【主权项】
1.一种操作电阻式存储器系统的方法，所示电阻式存储器系统包括多个层，所示方法包括: 接收第一数据和写请求，所示第一数据对应于第一地址； 通过将第一地址变换成第二地址来将η个子区域数据分配到多个层，所示子区域数据从所述第一数据中产生；以及 根据第二地址将η个子区域数据写入到多个层的至少两个层， 其中，η是大于或者等于2的整数。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 对所接收的第一数据执行组合操作；以及 基于组合操作的结果来生成η个子区域数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中 所述接收伴随一个写请求来接收多个区域数据，所述第一数据是所接收的多个区域数据中的一个，以及 所述写入由于将η个子区域数据分配到多个层而将区域数据中的每一个写入到所述至少两个层中。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据是页数据，并且所述子区域数据是扇面数据。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据是扇面数据，并且所述子区域数据是子扇面数据。6.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述第一数据的大小对应于数据的纠错单元，并且 所述写入包括向所述至少两个层分布和写入一个纠错单元。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电阻式存储器系统包括被配置为通过将第一地址变换为包括至少两个层的物理位置信息的第二地址，来执行层分配操作的存储器控制器。8.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述电阻式存储器系统包括电阻式存储器装置和存储器控制器，以及 所述分配使用存储器控制器来分配η个子区域数据。9.根据权利要求8所述的方法，其中， 所述写入基于被包括在存储器控制器中的层分配信息来将η个子区域数据写入到至少两个层中。10.根据权利要求8所述的方法，其中， 所述分配根据在存储器控制器中包括的层分配信息的变化来变化在其中写入η个子区域数据的所述至少两个层的位置。11.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述电阻式存储器系统包括电阻式存储器装置和存储器控制器， 所述分配使用电阻式存储器装置来分配η个子区域数据。12.根据权利要求1所述的方法，其中， 多个层被分类为多个平铺块， 电阻式存储器系统包括电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置包括分别对应于多个平铺块的多路复用器，以及 所述多路复用器被配置为根据第二地址将η个子区域数据提供到多个层中的相应层中。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述写入将η个子区域数据写入到不同的平铺块。14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述写入将至少一个子区域数据分布到至少两个平铺块中。15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述写入将η个子区域数据的至少两个写入到相同平铺块的不同层中。16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述写入将η个子区域数据同时写入到所述至少两个层中。17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一地址对应于逻辑地址，并且所述方法进一步包括: 将第一地址变换为物理第一地址；以及 从物理第一地址中生成第二地址。18.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 接收用于读取第一数据的读请求；以及 响应于读请求，从所述至少两个层中同时读取η个子区域数据。19.一种控制存储器装置的方法，所述方法包括: 将写数据分割为η个子区域数据； 将η个子区域数据分配到与存储器装置相关联的存储器单元阵列的至少两个层；以及 将η个子区域数据写入到所述至少两个层。20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括: 将与所述数据相关联的逻辑地址变换为存储器装置的第一物理地址；以及将第一物理地址变换为多个第二物理地址，所述第二物理地址指示用于存储η个子区域数据的物理位置， 其中 所述分配基于所述第二物理地址来将η个子区域数据分配到所述至少两个层。21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述分配包括: 使用指示在与扇区数据相关联的第一物理地址和与多个子扇区数据相关联的第二物理地址之间的关系的映射表来生成层选择信息；以及 将所述层选择信息发送到与存储器装置相关联的多路复用器，其中，所述层选择信息指令多路复用器来将η个子区域数据分配到所述至少两个层中。22.根据权利要求21所述的方法，其中， 所述至少两个层的每个具有与其相关联的多个平铺块， 所述多路复用器分别对应于多个平铺块，并且 所述多路复用器被配置为根据第二物理地址来将η个子区域数据提供到所述至少两个层的相应层中。23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述分割包括: 将纠错码(ECC)应用到输入数据，以产生区域数据，所述扇区数据包括区域数据和奇偶校验数据；以及 将区域数据分割到η个子区域数据中，所述多个子区域数据的每个具有对应于纠错单元的大小。24.根据权利要求19所述的方法，其中，所述分配将η个子区域数据分配到至少两个层，以使得比特误码率在子区域数据中均匀地分布。
【专利摘要】一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收对应于第一地址的第一数据和写请求，将第一地址变换成第二地址，并且将n(n是等于或大于2的整数)个从第一数据产生的子区域数据分配到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入到至少两个层。
【IPC分类】G11C13/00
【公开号】CN105702286
【申请号】CN201510931245
【发明人】吴银珠, 尹弼相, 孔骏镇, 孙弘乐
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月15日
【公告号】US20160172034