专利名称：圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法
技术领域：
本发明涉及圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，特指一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制程中，将圆铁片粘贴在晶片上的方法。该方法是一晶片制成多数个晶粒的制程进行至圆铁片定位胶合步骤前，圆铁片通过治具粘贴至胶带上，令胶带粘贴至晶片上时，圆铁片恰可平贴在晶片欲形成晶粒的位置上。
一般传统的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造流程，参阅
图1所示，包括在一晶片进行涂布光阻剂、曝光及显影、蚀刻沟槽、去除光阻剂、栅层清洗、栅层被覆玻璃粉、高温玻璃化、镀镍及烧结、衬片、圆铁片粘结在胶带上、投影及定位胶合、吹砂及分离圆晶粒等制程，令晶片形成多数个晶粒。传统方法的具体制程主要是在一晶片表面披覆一层光阻剂，经曝光显影后，以酸液蚀刻未感光部分直至晶片下层N+部分，再以混合液将光阻剂去除，以溶剂清洗，使栅层显现，后以玻璃浆填实被蚀刻凹入的沟槽，再置入石英管内高温完成玻璃钝化后，晶片上再施予电镀，再置入石英管内烧结，再施予电镀，将晶片放置在具有适当温度的玻璃衬片上，以使玻璃衬片的白蜡包覆整个晶片，再将胶带上若干小圆铁片粘贴在该晶片欲形成晶粒的位置上(即该晶片P面未填入玻璃浆的端面)，该晶片冷却后，将胶带撕去并送入吹砂机内，以对粘贴有圆铁片的一面进行吹砂，形成圆铁片大小的晶粒后，浸泡于三氯乙烷中清洗，并以磁铁将圆铁片吸出，即告完成。
其中将圆铁片粘贴在晶片上的方法，是在圆铁片定位胶合在晶片前，圆铁片必须先分别粘贴在一胶带的适当位置上，圆铁片完全粘贴在胶带上后，胶带再通过一投影机投影，将胶带上的圆铁片的阴影分别对准晶片上末填入玻璃浆的位置上，再将胶带粘贴在晶片上，圆铁片将分别平贴在晶片上未填入玻璃浆的位置，再将晶片送入吹砂及分离圆晶粒的步骤中。其主要缺陷在于1、圆铁片粘贴在胶带上的位置若有偏斜时，投影机就无法将圆铁片的阴影分别对准晶片上未填入玻璃浆的位置上，如此，晶片所能制造出来的优良品的晶粒数量将大幅减少，即无法扩大产量及增加市场竞争力。
2、当圆铁片全部粘贴在胶带上的正确位置，并无任何的偏斜时，由于投影机所投影出在胶带上的圆铁片的阴影，经常在一圆铁片的阴影已对准晶片上未填入玻璃浆的位置，而其余的圆铁片的阴影尚未对准晶片上末填入玻璃浆的位置，使圆铁片的阴影无法立即快速地分别对准晶片上未填入玻璃浆的位置，而必须反覆移动胶带，直至圆铁片的阴影对准晶片上未填入玻璃浆的位置，如此，将造成制造时间的浪费，而无法快速生产。
针对上述缺点，本发明人经过长久努力研究与实验，终于开发设计出本发明的技术方案。
本发明的目的在于提供一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，在制程中将圆铁片粘贴在晶片上的方法，是在圆铁片定位胶合步骤之前，将各圆铁片先分别放置在治具的凹穴上，在治具的凹孔分别放置定位柱，再将胶带粘贴至治具上，令各圆铁片和定位柱粘贴至胶带适当位置上，从治具上取下该胶带，再粘贴至晶片上时，将定位柱插入晶片的定位孔，圆铁片恰平贴在晶片未填入玻璃浆的位置上。克服现有技术的弊端，达到简化制程及提高优良品率的目的。
本发明的目的是这样实现的一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，包括在一晶片进行涂布光阻剂、曝光及显影、蚀刻沟槽、去除光阻剂、栅层清洗、栅层被覆玻璃粉、高温玻璃化、镀镍及烧结、衬片、圆铁片定位胶合、吹砂及分离圆晶粒、晶片形成多数个晶粒，其特征在于该方法在圆铁片定位胶合之前，在治具上分别蚀刻有多数个凹穴及凹孔，该凹穴的位置与该晶片欲形成晶粒的位置相同，该凹孔的位置与该晶片所设的定位孔相同，该各凹穴中分别放置一圆铁片，在该各凹孔中分别放置一定位柱，该圆铁片及定位柱的表面在同一水平上，通过胶带平贴在该治具上，粘住全部的圆铁片和定位柱，该胶带自该治具上取下后，将该定位柱分别插接在该晶片的定位孔上，该圆铁片恰平贴在该晶片欲形成晶粒的位置上。
该治具先罩上另一光罩，经曝光显影显现该多数凹穴和凹孔的位置，再对该等凹穴和凹孔的位置进行蚀刻至适当深度。该凹孔的深度不大于该定位柱的高度。该凹穴的深度不大于该圆铁片的高度。该凹穴直径大于该光罩所设的透光圈的直径。该治具位于该凹穴和凹孔的底端分别设有穿孔。
本发明的主要优点是具有简化制程及提高优良品率的功效。
下面结合较佳实施例和附图详细说明。
图1是传统制造方法的流程示意图。
图2是本发明的制造方法的流程示意图。
图3是本发明将圆铁片粘贴在晶片上的流程示意图。
图4是本发明方法的产品的分解示意图。
图5是本发明方法的产品的剖面示意图。
图6是本发明的胶带粘贴至晶片上的示意图。
图7是本发明的晶片放置在玻璃衬片上的剖面示意图。
图8是本发明的晶片吹砂完毕后的剖面示意图。
参阅图2-图8，本发明的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法包括在一晶片5进行涂布光阻剂、曝光及显影、蚀刻沟槽、去除光阻剂、栅层清洗、栅层被覆玻璃粉、高温玻璃化、镀镍及烧结、衬片、治具的凹穴中置放圆铁片、圆铁片定位胶合、吹砂及分离圆晶粒、及晶片5形成多数个晶粒等。其与现有技术的主要区别在于圆铁片1在粘贴在晶片5上时，圆铁片1不须通过投影的方式，即可粘贴在该晶片5欲形成晶粒的位置，其方法是在一治具2上分别蚀刻多数个凹穴20及多数个凹孔22，该等凹穴20的位置恰与该晶片5欲形成晶粒的位置相同，该等凹孔22的位置恰与该晶片5所设的定位孔52相同，在该等凹穴20中分别放置一圆铁片1，在该等凹孔22分别放置一定位柱4，且圆铁片1及定位柱4的表面恰在同一水平上，令一胶带3平贴在治具2上全部的圆铁片1和定位柱4上，该胶带3自该治具2上取下后，该胶带3上可粘住所有圆铁片1和定位柱4，将该胶带3上的定位柱4插接在该晶片5的定位孔52上时，该各圆铁片1恰可平贴在该晶片5欲形成晶粒的凹穴20的位置上。克服现有技术的对位费时及不准确的缺陷。
在本发明的一较佳实施例中，该晶片5依序设有P面50、N面54以及N+面58所构成。
其中该涂布光阻剂步骤是在该晶片5的所有表面上涂布光阻剂；该曝光及显影步骤是在该晶片5的P面50罩上通过精密设计的一光罩(照相板)，该光罩上设有多数个呈圆形的透光圈，以及相对该晶片5边缘的适当位置设有多数个定位圈，再送入一曝光机感光约10秒后，该P面50上将感光形成多数个圆圈，再以一显影剂经约15秒的显影后，再进行蚀刻沟槽步骤；该蚀刻沟槽步骤，是将显影后的晶片5放在一酸液槽中，该晶片5经酸液槽中的酸液蚀刻约5分钟，再以水冲洗10-15分钟，反覆操作至该P面50未感光的部分形成一沟槽56，该沟槽56必须深入至该晶片5的N+面58部分，该等定位圈处形成一定位孔52；再进行去除光阻剂步骤，其是将该晶片5浸入一混合液中，以去除该表面上的光阻剂；再进行该栅层清洗步骤，其是将该晶片5以一溶剂清洗该混合液，使该晶片5上的栅层显现；该栅层被覆玻璃粉步骤，是待该晶片5的溶剂完全干燥后，再将一适当成分的玻璃浆7填入该等沟槽56中；该高温玻璃化步骤，是当该晶片5的沟槽完成填充玻璃浆7后，将该晶片5置入石英管内，以高温将该玻璃浆7烧结成玻璃化；该镀镍及烧结步骤，是当该高温玻璃化步骤完成后，再于该表面施予第一次电镀，形成一电镀层8，再送入一具有适当温度的石英管内烧结，待烧结完成后，再于该表面上施予第二次电镀；该玻璃浆7约烧结一小时后，即可完成玻璃化该衬片是当该表面完成第二次电镀后，将该晶片5另一表面放置在涂设有白蜡9的玻璃衬片6上，该玻璃衬片6加热至一适当温度后，该白蜡9将覆盖该晶片5整个表面上；该治具的凹穴中置放圆铁片，是该治具2先罩上另一光罩，经曝光显影，以显现所需的多数凹穴20和凹孔22位置，再对该等凹穴20和凹孔22位置进行蚀刻至适当深度；该凹孔22和凹穴20位置分别与该晶片5上的定位孔52及欲形成晶粒而未填入玻璃浆7的位置相同，该凹穴20的深度不大于该圆铁片1的高度，该凹孔22的深度不大于该定位柱4的高度，令该胶带3从该治具2的同一水平高度上粘贴到所有圆铁片1和定位柱4；该凹穴20直径大于该光罩上所设的透光圈的直径，以令该晶片5周围完全被玻璃包覆。
该圆铁片定位胶合步骤，是将胶带3粘贴在该晶片5，令该圆铁片1平贴在该晶片5未填入玻璃浆7的位置，待该白蜡9冷却后，可撕除该胶带3，该圆铁片1是通过该白蜡9粘固在该晶片5上；该吹砂及分离圆晶粒步骤，是对该晶片5粘固有圆铁片1的一面进行吹砂，吹砂完成后，浸泡于三氯乙烷中清洗，并以磁铁将该圆铁片1和定位柱4吸出，即形成多数个呈圆形的晶粒。
该实施例中，该晶片5在进行涂布光阻剂的步骤前，以及该晶片5曝光及显影的步骤后，该晶片5可放置在烘烤箱内，在100℃烘烤30分钟，该晶片5在进行涂布光阻剂的步骤前，该晶片5上先标记正确的P面50及N+面58。
本实施例中，该晶片5在进行涂布光阻剂的步骤后，该晶片5再放置该烘烤箱内，在75℃烘烤30分钟，再进行曝光及显影的步骤。
本实施例中，该酸液是由适当比例的硝酸、冰醋酸、氢氟酸及硫酸所混合而成，该酸液保持在10℃；该混合液是由适当比例的双氧水及硫酸所混合而成；该溶剂为一无离子水；该玻璃浆7是由适当比例的玻璃粉、无离子水及粘着剂搅拌而成；该晶片5电镀时，所用的电镀液可为电镀镍水；该玻璃衬片6是放置在一电热板60上加热至适当温度。由于其为现有技术，故不详述。
本发明中，参阅图5所示，该治具2在该凹穴20及凹孔22的底端分别设有一穿孔24，该穿孔24分别连接至一真空机，该圆铁片1和定位柱4分别置入该凹穴20和凹孔22后，可启动该真空机抽取该凹穴20和凹孔22的空气，使该等圆铁片1和定位柱4可平贴在该凹穴20和凹孔22内，令该圆铁片1和定位柱4可在同一平面上被该胶带3粘贴。
以上所述，仅为本发明最佳的实施例，本发明的构造特征并不局限于此，任何熟悉该项技艺者在本发明领域内，可轻易思及的变化或修饰，皆可涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，包括在一晶片进行涂布光阻剂、曝光及显影、蚀刻沟槽、去除光阻剂、栅层清洗、栅层被覆玻璃粉、高温玻璃化、镀镍及烧结、衬片、圆铁片定位胶合、吹砂及分离圆晶粒、晶片形成多数个晶粒，其特征在于该方法在圆铁片定位胶合之前，在治具上分别蚀刻有多数个凹穴及凹孔，该凹穴的位置与该晶片欲形成晶粒的位置相同，该凹孔的位置与该晶片所设的定位孔相同，该各凹穴中分别放置一圆铁片，在该各凹孔中分别放置一定位柱，该圆铁片及定位柱的表面在同一水平上，通过胶带平贴在该治具上，粘住全部的圆铁片和定位柱，该胶带从该治具上取下后，将该定位柱分别插接在该晶片的定位孔上，令该圆铁片恰平贴在该晶片欲形成晶粒的位置上。
2.如权利要求1所述的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，其特征在于该治具先罩上另一光罩，经曝光显影显现该多数凹穴和凹孔的位置，再对该凹穴和凹孔的位置进行蚀刻至适当深度。
3.如权利要求1所述的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，其特征在于该治具的凹孔的深度不大于该定位柱的高度。
4.如权利要求1所述的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，其特征在于该治具的凹穴的深度不大于该圆铁片的高度。
5.如权利要求1所述的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，其特征在于该治具的凹穴直径大于该光罩所设的透光圈的直径。
6.如权利要求1所述的圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法，其特征在于该治具位于该凹穴和凹孔的底端分别设有穿孔。
全文摘要
一种圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法,其特点是在一治具上分别蚀刻有多数个与形成晶粒的位置相同的凹穴及与所设的定位孔位置相同的凹孔,在凹穴和凹孔中分别放置圆铁片和定位柱,胶带将治具上全部的圆铁片和定位柱粘住,将定位柱插接在晶片的定位孔上时,令圆铁片恰平贴在晶片欲形成晶粒的位置上。具有简化制程及提高优良品率的功效。
文档编号H01L21/02GK1381876SQ0110958
公开日2002年11月27日 申请日期2001年4月20日 优先权日2001年4月20日
发明者陈鉴章 申请人:陈鉴章