专利名称：倒装片封装结构及其制备的方法
技术领域：
本发明是关于一种封装结构，详细说，是关于一种倒装片封装结构及其制备的方法。
背景技术：
如图1所示，目前习用的倒装片封装结构1包括一芯片11及一基底12。芯片11具有多个外接垫111、112，形成在芯片11的底部，各外接垫111、112下具有多个第一焊接球113、114。基底12具有多个承接垫121、122，形成在基底12的顶面，各承接垫121、122上具有多个第二焊接球123、124。各第一焊接球113、114分别与各第二焊接球123、124电气连接。
芯片11的底部与基底12的顶面间的区域以填充物13(例如银胶)填充，以固定芯片11与基底12的连接，而形成倒装片封装结构1。
然而，上述的倒装片封装结构1，通常是整批完成，也即多个芯片电气连接至基底上，再加以切割而成个别的倒装片封装结构1。因此，已知的倒装片封装结构1，在切割时直接接触芯片11，很容易就会破坏芯片11，将使封装的良率降低。
另外，通常需要以激光蚀刻的方式将商标或公司名称印制在芯片的顶面，激光蚀刻的步骤也可能会损坏芯片。
因此，有必要提供一创新且富进步性的倒装片封装结构及其制备的方法，以解决上述问题。
发明内容
为了克服现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种倒装片封装结构，包括一芯片本体、一基底及一填充物。芯片本体包括至少一芯片，每一芯片具有一底部，底部具有多个外接垫，各外接垫连接一第一焊接球，每一芯片外以封胶封装而形成芯片本体，芯片本体具有一底面，底面暴露出各第一焊接球的一部分以作为接触点。基底具有多个承接垫，形成在基底的一顶面，承接垫上形成有一第二焊接球，第一焊接球与第二焊接球电气连接，以使基底承载芯片本体。填充物填充在芯片本体底面与基底顶面间的区域，以形成倒装片封装结构。
根据本发明的倒装片封装结构还包括至少一散热片，形成在相对芯片底部的一顶部。
因此，当切割倒装片封装结构时，因芯片外有封胶保护，故切割时不会损坏芯片。并且，当激光蚀刻时，是印制在芯片外的封胶上，不会直接印制在芯片，因此也不会损坏芯片，可使封装的良率提高。
本发明的目的还在于还提供一种制备倒装片封装结构的方法，倒装片封装结构的方法包括以下步骤(a)在一芯片的一底部形成多个外接垫；(b)在外接垫下形成多个第一焊接球；(c)以封胶封装所述芯片而形成一芯片本体；(d)研磨所述芯片本体的一底面，以使底面暴露出所述第一焊接球的一部分；(e)在一基底的一顶面形成多个承接垫；(f)在承接垫上形成多个第二焊接球；(g)电气连接第一焊接球与第二焊接球，以使基底承载芯片本体；(h)以填充物填充在芯片本体底面与基底顶面间的区域，以形成倒装片封装结构。
制备倒装片封装结构的方法还包括在相对芯片底部的一顶部形成一散热片的步骤。
图1为习用的倒装片封装结构的示意图；标号1表示已知的倒装片封装结构；标号11表示芯片；标号111、112表示外接垫；标号113、114表示第一焊接球；标号12表示基片；标号121、122表示承接垫；标号123、124表示第二焊接球；标号13表示填充物；图2为形成外接垫及第一焊接球在一芯片的示意图；图3为形成一芯片主体的示意图；标号2表示芯片本体；标号21表示芯片；标号211、212表示外接垫；标号213、214表示第一焊接球；标号22表示封胶；图4为研磨芯片主体的底部的示意图；图5为形成承接垫及第二焊接球在一基片的示意图；标号5表示基片；标号51表示顶面；标号511、512表示承接垫；标号513、514表示第二焊接球；图6为连接芯片主体与基片的示意图；图7为本发明的倒装片封装结构的示意图；标号6表示填充物；标号7表示倒装片封装结构；及图8为本发明第二实施例的倒装片封装结构的示意图；标号8表示倒装片封装结构；标号81表示芯片本体；标号811表示芯片；标号812表示封胶；标号82表示基片；标号83表示散热片。
具体实施例方式
图2至图7所示为形成本发明的倒装片封装结构的示意图。如图2所示，首先在一芯片21的底部形成多个外接垫211、212，并在外接垫211、212下形成第一焊接球213、214。第一焊接球213、214为锡铅球，具有锡及铅的成分，其锡/铅的比例可为97/3、95/5、90/10或63/37等。
参考图3，以封胶22封装芯片21，而形成一芯片本体2。因此，芯片本体2包括芯片21、封胶22及芯片21底部的外接垫211、212与第一焊接球213、214。
由于封胶22封闭地封装芯片21，为使芯片21有与外界的接触点，因此，需要研磨芯片本体2的底面，以使得第一焊接球213、214的一部份显露在芯片本体2的底面，如图4所示。使芯片21通过第一焊接球213、214显露的部分可与外界连接。
参考图5，在一基底5的一顶面51上形成多个承接垫511、512，再在承接垫511、512上形成多个第二焊接球513、514。第二焊接球513、514也为锡铅球，具有锡及铅的成分，然而其铅的含量较低，因此，第二焊接球的熔点较低。
利用高低熔点的特性，使第一焊接球213、214分别与第二焊接球513、514接合，达成电气连接，以使基底5承载芯片本体2，如图6所示。
继续参考图7，利用一填充物6(例如银胶或封胶)填充到芯片本体2底面与基底5顶面51间的区域，以形成倒装片封装结构7。因此，当切割倒装片封装结构7时，因芯片21外有封胶22保护，故切割时不会直接损坏芯片。并且，当激光蚀刻时，是印制在芯片21外的封胶22上，不会直接印制在芯片21，因此也不会损坏芯片。故利用本发明的倒装片封装结构7可使封装的良率提高。
参考图8，本发明第二实施例的倒装片封装结构8，也具有一芯片本体81及一基片82，芯片本体81具有一芯片811及封装芯片811的封胶812。封胶812没有完全环绕芯片811，而是显露出芯片811的顶部，以便设置一散热片83，以增加芯片811的散热效率。
上述实施例仅为说明本发明的原理以及效果，而非限制本发明。因此，本领域熟练技术的人员可在不违背本发明的精神对上述实施例进行修改及变化。本发明的权利范围应如权利要求所列。
权利要求
1.一种倒装片封装结构，其特征在于所述倒装片封装结构包括一芯片本体，包括至少一芯片，每一芯片具有多个外接垫形成在各所述芯片的一底部，各所述外接垫下形成有一第一焊接球，每一芯片外以封胶封装而形成所述芯片本体，所述芯片本体具有一底面，所述底面暴露出所述第一焊接球的一部分；一基底，具有多个承接垫，形成在所述基底的一顶面，各所述承接垫上形成有一第二焊接球，所述第一焊接球与第二焊接球电气连接，以使所述基底承载所述芯片本体；以及一填充物，填充在所述芯片本体底面与所述基底顶面间的区域，以形成所述倒装片封装结构。
2.根据权利要求1所述的倒装片封装结构，其特征在于所述第一焊接球为锡铅球，具有锡及铅的成分，所述第二焊接球也为锡铅球，具有锡及铅的成分，所述第二焊接球的铅含量比所述第一焊接球的铅含量较低。
3.根据权利要求1所述的倒装片封装结构，其特征在于还包括至少一散热片，形成在相对所述芯片底部的一顶部。
4.一种倒装片封装结构制备的方法，其特征在于所述倒装片封装结构的方法包括以下步骤(a)在一芯片的一底部形成多个外接垫；(b)在所述外接垫下形成多个第一焊接球；(c)以封胶封装所述芯片而形成一芯片本体；(d)研磨所述芯片本体的一底面，以使所述底面暴露出所述第一焊接球的一部分；(e)在一基底的一顶面形成多个承接垫；(f)在所述承接垫上形成多个第二焊接球；(g)电气连接所述第一焊接球与第二焊接球，以使所述基底承载所述芯片本体；(h)以填充物填充在所述芯片本体底面与所述基底顶面间的区域，以形成所述倒装片封装结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所述形成倒装片封装结构的方法还包括在相对所述芯片底部的一顶部形成一散热片的步骤。
全文摘要
本发明关于一种倒装片封装结构，包括一芯片本体、一基底及一填充物。芯片本体包括至少一芯片，每一芯片外以封胶封装而形成芯片本体。基底承载芯片本体。填充物填充在芯片本体与基底间的区域，以形成倒装片封装结构。因此，当切割倒装片封装结构时，因芯片外有封胶保护，故切割时不会损坏芯片。并且，当激光蚀刻时，是印制在芯片外的封胶上，不会直接印制在芯片，因此也不会损坏芯片，可使封装的良率提高。
文档编号H01L23/48GK1485902SQ02143379
公开日2004年3月31日 申请日期2002年9月26日 优先权日2002年9月26日
发明者方仁广 申请人:日月光半导体制造股份有限公司