专利名称：制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法
技术领域：
本发明涉及一种制造双扩散漏极(Double-Diffuse-Drains，DDD)高电压器件的工艺方法，属金属-氧化物-半导体器件的制造工艺。
本发明制造双扩散漏极高电压器件工艺方法，包括提供衬底片；进行井区离子注入，在衬底片上形成第一导电性的第一井区与第二导电性的第二井区；在衬底上形成场氧化区以确定主动区域；进行离子注入以形成特定导电性的场区域；生长厚氧化层；进行离子注入调节阈值电压P(Voltage threshold P，VTP)与整体阈值电压N(blanket Voltage threshold N，VTN)；去除厚氧化层并生长薄栅氧化层；形成栅极结构。本发明制造工艺方法中提供的衬底片为P型或N型硅单晶衬底片。离子注入第一导电性的第一井区为N井区；第二导电性的第二井区为P井区。特定导电性之场区域系为P沟场区域。厚氧化层由高温氧化工艺形成。本发明方法与已有技术不同之处在于生长厚氧化层之后才进行离子注入调节阈值电压P(Voltage thresholdP，VTP)，这样可避免因高温生长氧化层时(900-1000度持续0.5-4小时)硼离子掺杂浓度分布的扩散改变。也可在不特别改变器件离子注入工艺条件下，避免核心器件性能的飘移。此外，本发明方法通过对样品测试证明，可效地避免P型MOS半导体晶体管因高温生长厚氧化层工艺造成的阈值电压飘移现象。本发明方法在不增加制造工艺成本的前题下，有效降低了改变离子注入工艺条件的工作量，并保持工艺稳定。此外，本发明方法还非常有效地缩短了高电压器件(厚栅氧化层27-100nm)与核心器件匹配工艺周期。
图2为本发明工艺方法双栅氧化层(dual gateoxide)流程制造的结构示意图。其中，7是N井，8是P井，9是衬底片，10是氧化层(FOX)，11是厚氧化层，12是P场区域，13是栅极结构图3为本发明方法与传统方法制造的硅片测试结果比较图。其中，14圆点·为本发明方法测试结果，15倒三角为传统方法测试结果，16正三角Δ为基准值。
下面结合附图
详细说明本发明工艺方法的实施例。
实施例本发明工艺方法双栅氧化层(dual gate oxide)制造流程与对应结构如下首先提供一衬底片1，在衬底片9上进行N井与P井离子注入2，以在衬底片9上形成N井区7与P井区8。接着，在衬底片9上形成场氧化区(FOX)10，以确定主动区域3。然后，进行P场离子注入以形成P场区域12，生长厚氧化层11，离子注入调节阈值电压P(Voltage threshold P，VTP)与整体阈值电压N(blanket Voltage threshold N，VTN)4。随后，去除厚氧化层11后生长薄栅氧化层5，进一步形成栅极结构13。最后，再进行器件后续制造工艺6。对本发明方法与传统方法制造的硅片测试结果比较中，圆点·14为本发明方法测试结果，倒三角15为传统方法测试结果，正三角Δ16为基准值。因此，可以说明本发明工艺方法是制造P型MOS半导体晶体管的一种实用、有效的工艺方法。
权利要求
1.一种制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法，包括P型或N型硅衬底片、离子注入第一导电性的第一井区与第二导电性的第二井区、场氧化区、主动区、特定导电性场区、厚氧化层、离子注入调节阈值电压P与整体阈值电压N、薄栅氧化层以及栅极，其特征在于，工艺方法为a.离子注入形成第一导电性N井区，b.离子注入形成第二导电性P井区，c.离子注入形成特定导电性P场区域，d.高温氧化形成厚氧化层，e.生长厚氧化层后，进行离子注入调节阈值电压P与整体阈值电压N，f.去除厚氧化层，生长薄栅氧化层，g.形成栅极。
2.根据权利要求1所述的制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法，其特征在于，高温氧化形成厚氧化层的温度为900-1000度，时间为0.5-4小时。
全文摘要
本发明涉及一种制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法，包括衬底硅片；离子注入井区，在衬底片上形成第一导电性的第一井区与第二导电性的第二井区；在衬底片上形成场氧化区以及确定主动区域；进行离子注入形成特定导电性的场区域；生长厚氧化层；进行离子注入，调节阈值电压P与整体阈值电压N；去除厚氧化层并生长薄栅氧化层，形成栅极结构。本发明方法在生长厚氧化层后才进行离子注入调节阈值电压P与整体阈值电压N，可避免因高温生长氧化层引起的硼离子掺杂浓度分布改变。是一种实用、有效的工艺方法。
文档编号H01L21/02GK1412826SQ0215097
公开日2003年4月23日 申请日期2002年12月4日 优先权日2002年12月4日
发明者史望澄, 陈昱升, 何学缅 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司