专利名称：半导体密封用树脂组成物的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于在半导体装置中密封布线电路基板与半导体元件之间的空隙的半导体密封用树脂组合物(以下有时仅称作树脂组合物)和用该半导体密封用树脂组合物密封的半导体装置。
背景技术：
作为伴随着最近的半导体设备的高功能化和轻薄短小化的要求，有用倒装结构将半导体元件装载在布线电路基板上的倒装片封装。一般地，在倒装片封装中，为了保护半导体元件，用热固性树脂组合物密封半导体元件与布线电路基板的空隙。
以前的倒装片封装的制造方式，在晶片上制作图案，形成了凸起之后，切割成单个的半导体元件，进行半导体元件向布线电路基板的装载和树脂密封。对此，要求下面这样的方式为了实现半导体装置的生产率的提高，在晶片上制作图案，形成凸起后，将粘结剂(树脂组合物)供给到图案面上之后，切割成单个的半导体元件，用倒装结构将半导体元件装载在布线电路基板上(以下称作晶片级倒装片封装方式)(例如参照日本特开2001-144120号公报)。由于在这样的晶片级倒装片封装方式中，在将热固性树脂组合物供给到图案面之后，切割成单个的半导体元件，将半导体元件装载在电路基板上，因此，热固性树脂组合物需要保持可辨认图案的透射率。另一方面，在密封倒装片封装的连接部分的热固性树脂组合物中，一般地，通过使其相对有机树脂组合物含有无机填充剂来降低热膨胀系数或吸水率，使其满足半导体装置的耐冷热循环特性和耐钎焊性(例如，参照日本特开2003-138100号公报)。
但是，由于在以前使用的无机填充剂中，难以任意控制折射率，因此，就难以针对期望的有机树脂组合物，利用折射率的调整来保持可辨认图案的透射率。此外，为了保持可辨认图案的透射率，若降低有机树脂组合物中的无机填充剂的含有量，则有机树脂组合物的热膨胀系数或吸水率就上升，在半导体装置中就得不到足够的耐冷热循环特性和耐钎焊性。另外，通过使无机填充剂的含有量降低，也产生出了有机树脂组合物的热传导率降低，半导体装置的散热性低下的问题。
从而，本发明的目的在于提供一种适合使用于倒装片封装的、得到优良的操作性的、具有树脂密封后的优良的电气连接可靠性和散热性的半导体密封用树脂组合物，和使用该组合物进行了树脂密封的半导体装置。
根据下述说明，能进一步明确本发明的这些及其他目的。
发明内容
即，本发明涉及(1)一种半导体密封用树脂组合物，含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
(2)金属氧化物是氧化钛的上述(1)中记载的树脂组合物。
(3)复合无机氧化物粒子的平均粒径为0.1～1.5μm的上述(1)中记载的树脂组合物。
(4)复合无机氧化物粒子的含有量为组合物中10～85重量％的上述(1)中记载的树脂组合物。
(5)650nm下的透射率在30％或以上的上述(1)中记载的树脂组合物。
(6)片状的上述(1)中记载的树脂组合物。
(7)一种半导体装置，它是包括布线电路基板、半导体元件和树脂组合物的半导体装置，用该树脂组合物密封该布线电路基板与该半导体元件之间的空隙，该树脂组合物含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
(8)金属氧化物是氧化钛的上述(7)中记载的半导体装置。
(9)复合无机氧化物粒子的平均粒径为0.1～1.5μm的上述(7)中记载的半导体装置。
(10)复合无机氧化物粒子的含有量为组合物中10～85重量％的上述(7)中记载的半导体装置。
(11)树脂组合物在650nm下的透射率在30％或以上的上述(7)中记载的半导体装置。
(12)树脂组合物是片状的上述(7)中记载的半导体装置。
(13)一种半导体装置的制造方法，包括将包含上述(1)中记载的树脂组合物和剥离片材的树脂片材贴合在带凸起的晶片的半导体电路面上的工序、仅将树脂组合物残留在晶片上，去除剥离片材的工序、以及将晶片切割成单个芯片的工序。
(14)上述(13)中记载的半导体装置的制造方法，还包括磨削贴合了树脂片材的带凸起的晶片的反面的工序。
根据本发明，提供一种在保持可辨认图案的透射率的同时，热传导性优良的半导体密封用树脂组合物。另外，通过用涉及的半导体密封性树脂组合物进行密封，提供一种电气连接可靠性和散热性优良的半导体装置。
图1示出含有本发明的树脂组合物的树脂片材的一例。
图2示出带凸起的晶片的剖面图的一例。
图3示出本发明的半导体装置的制造方法的工序说明图的一例。
图4示出本发明的半导体装置的制造方法的工序说明图的一例。
图5示出本发明的半导体装置的制造方法的工序说明图的一例。
图6示出本发明的半导体装置的制造方法的工序说明图的一例。
图1～图6中的符号如下1是半导体密封用树脂组合物，2是剥离片材，3是晶片，4是凸起，5是切割带(dicing tape)，6是单个芯片，7是布线电路基板。
具体实施例方式
本发明的半导体密封用树脂组合物具有一大特征，含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
在晶片级倒装片封装方式中，将密封用树脂供给到晶片的图案面上之后，切割成单个的半导体元件，将半导体元件装载在电路基板上。本发明的半导体密封用树脂组合物，由于能够任意变更包含在该树脂组合物中的无机填充剂的折射率，因此，不使无机填充剂的含有量降低，而保持可辨认图案的透射率，并且热传导性优良。因此，通过将该树脂组合物提供至图案面，就能够容易地将晶片切割成单个芯片，在树脂密封后，能够制造具有优良散热性的半导体装置。
在本说明书中，“半导体电路面”和“图案面”；“切割”和“切块”；“芯片”、“半导体芯片”和“半导体元件”按各自相互相同的意义使用。
作为本发明的树脂组合物中含有的1个分子中具有2个或以上环氧基的环氧树脂，例举有双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂和甲酚线型酚醛型环氧树脂等的线型酚醛型环氧树脂、脂环族环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯、乙内酰脲环氧树脂等的含氮环型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、脂肪族环氧树脂、缩水甘油醚型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、作为低吸水率固化体类型的主流的联苯型环氧树脂、二环型环氧树脂、萘型环氧树脂等。这些可以单独使用，也可以并用两种或以上使用。
上述环氧树脂在常温下可以是固态，也可以是液态，但从树脂组合物的固化体的机械强度和玻璃化转变温度(Tg)的控制的容易性的观点出发，一般的优选环氧当量是90～1000g/eq。从提高耐热性和耐湿性的观点出发，树脂组合物中的环氧树脂的含有量优选是5～85重量％，10～80重量％更优选。此外，从提高电气连接性的观点出发，更优选使用150℃下的熔融粘度在0.5Pa·s或以下的。
作为本发明的树脂组合物中含有的固化剂，只要起上述环氧树脂的固化剂的作用，就不特别限定，可以使用各种固化剂。在耐湿可靠性优良这点上，一般使用酚系固化剂，但也可以使用各种酸酐系固化剂、芳香族胺类、双氰胺、酰肼、苯并噁嗪环化合物等。这些可以单独使用，也可以并用两种或以上使用。
作为酚系固化剂，例举有甲酚线型酚醛树脂、苯酚线型酚醛树脂、二环戊二烯环型酚醛树脂、酚芳烷基树脂、萘酚、苯二亚甲基型酚醛树脂等。这些可以单独使用，也可以并用两种以上使用。
对于上述环氧树脂与固化剂的配合比例，在使用酚系固化剂作为固化剂的情况下，在从确保固化性、耐热性、耐湿可靠性的观点出发，相对于环氧树脂中的环氧当量1g/eq，通常，酚系固化剂中的反应性羟基当量优选是成为0.5～1.5g/eq的比例，更优选的是0.7～1.2g/eq的比例。再有，在使用酚系固化剂以外的固化剂的情况下，其配合比例可以以使用酚系固化剂的情况的配合比例(当量比)为标准。此外，从提高电气连接性的观点出发，优选使用150℃下的熔融粘度在0.5Pa·s或以下的。
本发明的树脂组合物中含有的复合无机氧化物粒子例举有由金属氧化物和二氧化硅构成、金属氧化物与二氧化硅化学地结合、成为物理上不可分离的状态的粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
作为上述金属氧化物，例举有氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化钪、氧化钇、氧化镧、氧化铈等的周期表第III族的金属原子的氧化物、和氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化锗、氧化锡、氧化铅等的第IV族的金属原子的氧化物，优选使用氧化钛。
对于复合无机氧化物粒子中的二氧化硅的含有量，从确保得到的树脂组合物的期望的折射率的观点出发，优选是50～99摩尔％，更优选是65～98摩尔％，特好的是70～95摩尔％。若二氧化硅的含有量在上述范围内，就能大致涵盖一般使用的树脂组合物的折射率1.4～1.7的范围。
再有，可以使用阿贝折射计，在室温下测定本说明书中的折射率。
对于复合无机氧化物粒子中的金属氧化物和二氧化硅的合计含有量，从确保折射率的观点出发，优选至少80摩尔％，更优选的是至少90摩尔％。此外，在不抑制发挥期望效果的程度内，也可以在复合无机氧化物粒子中包含其他成分，例如碱金属氧化物或碱土金属氧化物。
对于树脂组合物中的复合无机氧化物粒子的含有量，从控制树脂组合物的粘度和确保半导体元件与布线电路基板的电气连接可靠性的观点出发，优选是10～85重量％，更优选是20～80重量％。
对于复合无机氧化物粒子的平均粒径，从确保二连接可靠性、树脂分散性、透射率的观点出发，例如，在用激光衍射散射法(HORIBA公司制LA-910)进行测定的情况下，优选是0.1～1.5μm，更优选是0.3～1.2μm。
再有，在本说明书中，所述透射率只要是可辨认图案的程度，就不特别限定，例如使用了分光光度计(岛津制作所制UV3101)的在波长650nm下的透射率在30％或以上就可以。
可以利用例如已知的溶胶-凝胶法来制作本发明中使用的复合无机氧化物粒子，但也可以使用市场中销售的。
此外，也可以根据期望，在本发明的树脂组合物中包含如下这样的其他成分。
例如，可以根据期望，在本发明的树脂组合物中添加热塑性树脂。作为热塑性树脂，例举有丙烯酸烷基酯共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、氢化丙烯腈-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、环氧改性苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物等。热塑性树脂的含有量只要能实现树脂组合物的片材化就不特别限定，但从确保晶片贴合性、切割加工性、芯片封装性的观点出发，优选是1～50重量％，更优选是3～30重量％。这些可以单独使用，也可以并用两种或以上使用。
另外，可以根据期望，在本发明的树脂组合物中添加固化促进剂。作为固化促进剂，例举有胺加合物系固化促进剂、磷系固化促进剂、磷-硼系固化促进剂等。此外，更适宜的是使用将该固化促进剂封入微胶囊中的微胶囊型固化促进剂(例如，参照日本特开2000-309682号公报)。这些可以单独使用，也可以并用两种或以上使用。
可以按照得到期望的固化速度且不使钎焊性和密合性降低的比例来适当设定固化促进剂的含有量。作为设定方法，例如，例举有测定含有各种量的固化促进剂的树脂组合物的在热板上的胶凝化时间(固化速度的指标)，将得到了期望的胶凝化时间的量作为其含有量的方法。一般地，相对于固化剂100重量分，优选是0.1～40重量分，更优选是1～20重量分。
此外，从低应力化的观点出发，可以在树脂组合物中添加环氧基硅烷等的硅烷偶联剂、钛偶联剂、表面调整剂、防氧化剂、粘着赋予剂、硅油和硅橡胶、合成橡胶反应性稀释剂等，或者，从提高耐湿可靠性的观点出发，可以添加水滑石类、氢氧化铋的离子捕集剂等。这些可以单独使用，也可以并用两种或以上使用。可以在得到各添加剂的期望效果的范围内，适当调整这些添加剂的含有量。
能够例如如下所述地制造本发明的树脂组合物。考虑使用的便利性，该组合物通常在剥离片材(例如，聚酯薄膜)的上面形成为片状组合物。即，将环氧树脂、固化剂和复合无机氧化物粒子，以及根据希望的其他成分按规定量配合，混合溶解在甲苯、甲乙酮、醋酸乙酯等有机溶剂中，将该混合溶液涂覆在规定的剥离片材(例如，聚酯薄膜)的上面。接着，对该片材进行80～160℃左右的干燥工序，去除有机溶剂，由此在剥离片材上制造了片状的树脂组合物。此外，也可以将环氧树脂、固化剂和复合无机氧化物粒子及希望的其他成分，按规定量配合，混合溶解在甲苯、甲乙酮、醋酸乙酯等有机溶剂中，将该混合溶液涂覆在脱膜处理(例如，硅酮处理)后的聚酯薄膜等基材薄膜上。接着，对该基材薄膜进行80～160℃左右的干燥工序，在该基材薄膜上制造了片状的树脂组合物之后，使用辊层合装置，与规定的剥离片材贴合，从该片材上仅去除基材薄膜，由此在剥离片材的上面制造了片状的树脂组合物。
如上所述得到本发明的树脂组合物。图1中示出由树脂组合物和剥离片材构成的树脂片材的一例。在该图中，在剥离片材2的上面层合着树脂组合物1。
下面，关于本发明的半导体装置的制造方法进行说明。本发明的半导体装置的制造方法包括将包含本发明的树脂组合物的树脂片材贴合在该半导体电路面上的工序、任选地磨削贴合了树脂片材的带凸起的晶片的后面的工序、仅将树脂组合物残留在晶片上，去除(剥离)剥离片材的工序、切割成单个芯片的工序。
图2～图6中示出本发明的半导体装置的制造方法中的各工序的一例。以下，参照该图说明本发明的半导体装置的制造方法。
图2中示出带凸起的晶片的一例。在该图中，在晶片3上形成了凸起4。
作为使用于本发明的晶片3的材质，不特别限定，但例举有硅或镓-砷等。
作为凸起4，不特别限定，但例举有钎焊产生的低熔点和高熔点的凸起、锡凸起、银-锡凸起、银-锡-铜凸起、金凸起、铜凸起等。
图3中示出在上述晶片3的半导体电路面上贴合了树脂片材(图1中例示的)的一例。在该图中，晶片3的电路面与树脂组合物1相接触，凸起4埋入树脂组合物1中。
在上述晶片3和树脂片材的贴合中使用辊式贴合装置或真空式贴合装置。对于贴合的温度，从减少空隙、提高晶片密合性和防止晶片磨削后翘曲的观点出发，优选是25℃～100℃，更优选是40℃～80℃。此外，根据贴合方式和贴合时间等，适当设定贴合压力。
也可以进行磨削使贴合了上述树脂片材的晶片得到规定的厚度。使用于晶片磨削的装置不特别限定于具有磨削阶段的磨削装置。作为该装置，例举有デイスコ(株)制、“DFG-840”等的周知的装置。此外，磨削条件也不特别限定。
图4中示出在晶片的背面(或者磨削面)上贴合了切割带的一例。在该图中，从树脂片材仅去除剥离片材2，在晶片3的背面粘贴着切割带5。
例如使用日东电工公司制HR-8500-II进行剥离片材的去除。
作为使用于本发明的切割带，只要在该领域中通常使用的，就不特别限定。
作为切割带的贴合装置和条件，不特别限定，使用周知的装置和条件。
图5中示出晶片切割(切块)后的一例。在该图中，将贴合了树脂组合物1的晶片3保持贴合在切割带5上而切割成单个芯片6。
晶片的切割不特别限定，使用通常的切割装置进行。
图6中示出芯片装载的一例。在该图中，从切割带取下单个芯片6，装载在布线电路基板7上。由树脂组合物树脂密封晶片3与布线电路基板7之间。
作为布线电路基板7，不特别限定，但大致区分例举有陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例举有环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。
作为单个芯片6向布线电路基板7的装载方法，例举有首先从切割带5拾起并取下单个芯片6，收纳在芯片托盘中，或者，向倒装片粘结装置的芯片装载喷嘴输运后，(i)根据凸起结合方式，在加热单个芯片6的同时加压，在向布线电路基板7装载(热压封装方式)的同时，得到电气连接的方法，(ii)使用加热、加压和超声波，向布线电路基板7装载的同时，得到电气连接的方法，(iii)将单个芯片6装载在布线电路基板7上之后，利用钎焊软熔得到电气连接的方法等。
对于上述加热温度，从防止单个芯片6和布线电路基板7的劣化的观点出发，优选在500℃或以下，400℃或以下更优选。作为下限，是100℃左右。上述加压条件也依赖于连接用电极部的个数等，但优选是9.8×10-3～1.96N/个，更优选是1.96×10-2～9.8×10-1N/个。
利用以上方法，有效地得到电气连接可靠性和耐久性优良的半导体装置。得到的半导体装置包含在本发明中。
(实施例)以下，例举实施例进一步说明本发明，但本发明不限于有关的实施例。
以下，以在实施例和比较例中使用的原料和部件为首进行示出。
在树脂组合物的制造中，作为环氧树脂，使用萘型环氧树脂(环氧当量141g/eq、粘度560mPa·s/50℃)，作为固化剂，使用苯二亚甲基型酚醛树脂(羟基当量171g/eq、粘度40mPa·s/150℃)，作为固化促进剂，使用微胶囊化三苯基膦(壳聚脲、核/壳比＝50/50wt％)，作为热塑性树脂，使用丙烯酸烷基酯共聚物(门尼粘度52.5ML1+4/100℃)，作为硅烷偶联剂，使用环氧基硅烷(信越化学公司制KBM-403)，作为复合无机氧化物粒子，使用(a)氧化钛改性二氧化硅(D25＝1.53、平均粒径0.5μm、トクヤマ公司制ST-600)，(b)氧化钛改性二氧化硅(D25＝1.54、平均粒径0.5μm、トクヤマ公司制ST-601)，(c)氧化钛改性二氧化硅(D25＝1.55、平均粒径0.5μm、トクヤマ公司制ST-3-743)，(d)氧化钛改性二氧化硅(D25＝1.56、平均粒径0.5μm、トクヤマ公司制ST-617)，或者(e)二氧化硅(D25＝1.46、平均粒径0.5μm、日本触媒公司制)。
再有，所述D25，是在25℃下使用阿贝折射计测定的折射率。
以下，以实施例和比较例中的评价方法为首进行示出。
(1)透射率使用分光光度计(岛津制作公司制UV3101)，在波长650nm下测定了树脂组合物的透射率。再有，在透射率在30％或以上的情况下，评价为可辨认图案。
(2)热传导率制作树脂组合物的80mm×50mm×20mm的成形物，使用京都电子工业公式制的QTM-D3测定了树脂组合物的热传导率。
(3)温度循环试验将半导体装置在-55℃中维持10分钟后，在125℃中维持10分钟，进行如此操作。在进行了500次(TST500)或1000次(TST1000)该操作之后，由デイジ一チェ一ン(ADVANTEST公司制数字万用表TR6847)测定半导体装置的电阻值，将该电阻值与初始值(进行上述操作之前的半导体装置的电阻值)进行比较。将该电阳值成为初始值的2倍或以上的半导体作为不合格品进行计数。
实施例1～4和比较例1和2如下所述制造了实施例1～4和比较例1和2的树脂组合物。
按照在表1中示出的比例，将该表中示出的各原料混合溶解在甲乙酮中，将该混合溶液涂覆在脱膜处理后的聚酯薄膜上。接着，使聚酯薄膜上的该溶液在120℃下干燥5分钟，去除甲乙酮，由此在上述聚酯薄膜上制造了作为目的的厚度50μm的树脂组合物，测定了其物理性能。
表1
通过将上述制造的树脂组合物和乙基乙烯基醋酸酯(剥离片材)在60℃下进行贴合，形成了树脂片材。使用辊贴合机(日东电工公司制DR-8500-II)，在70℃下将该树脂片材贴合在带凸起的晶片的电路面上。在得到的晶片上贴合切割带(日东电工公司制DU-300)。接着，在去除了剥离片材之后，使用切割装置(DISCO公司制DFD-651)，将该晶片切割成单个芯片，制造了带树脂组合物的芯片。
之后，使用倒装片粘合机(九州松下制FB30T-M)，利用热压封装方式(芯片装载时温度120℃、压力＝9.8×10-2N/个、时间＝3秒，正式压接时温度240℃、压力＝4.9×10-1N/个、时间＝10秒)，向布线电路基板装载和树脂密封带树脂组合物的芯片，制造了半导体装置。对于得到的半导体装置，使用干燥炉(タバイエスペツク公司制PHH-100)，在150℃下进行60分钟的树脂组合物的后固化，得到了目的半导体装置。关于得到的半导体装置，进行了上述的评价。表2中示出其结果。
表2
从表2的结果可知，在实施例1～4中制造的半导体装置，保持可辨认图案的透射率，热传导率也高，在温度循环试验的TST500循环和TST1000循环中没发生不良。
相对此，在比较例1中制造的半导体装置，虽然透射率高，但热传导性低，此外，在温度循环试验的TST500循环中，全部的半导体装置都发生了不良。在比较例2中制造的半导体装置，由于透射率低，故不能辨认图案而不能得到规定的半导体元件。从而可知，在实施例中制造的半导体装置与在比较例中制造的半导体装置相比较，保持可辨认图案的透射率，且热传导性高，对于TST试验也确保了稳定的电阻值，即电气连接性优良。
根据本发明，提供一种在保持可辨认图案的透射率的同时，热传导性优良的半导体密封用树脂组合物。此外，能够制造用该组合物树脂密封的电气连接可靠性和散热性优良的半导体装置。
以上所述的本发明，很明显在同一性的范围中存在很多形式。其多样性不看作脱离了发明的意图和范围，本领域技术人员能明确的全部的变更都包含在以下的权利要求的技术范围内。
权利要求
1.一种半导体密封用树脂组合物，其特征在于，含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
2.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，金属氧化物是氧化钛。
3.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，复合无机氧化物粒子的平均粒径为0.1～1.5μm。
4.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，复合无机氧化物粒子的含有量是组合物中10～85重量％。
5.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，650nm下的透射率在30％或以上。
6.如权利要求1所述的树脂组合物，其特征在于，是片状。
7.一种半导体装置，是包括布线电路基板、半导体元件和树脂组合物的半导体装置，其中，用该树脂组合物密封该布线电路基板与该半导体元件之间的空隙，该树脂组合物含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，金属氧化物是氧化钛。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，复合无机氧化物粒子的平均粒径为0.1～1.5μm。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，复合无机氧化物粒子的含有量是组合物中10～85重量％。
11.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，树脂组合物的650nm下的透射率在30％或以上。
12.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，树脂组合物是片状。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括将包含权利要求1中记载的树脂组合物和剥离片材的树脂片材贴合在带凸起的晶片的半导体电路面上的工序；仅将树脂组合物残留在晶片上，去除剥离片材的工序；及将晶片切割成单个芯片的工序。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括磨削贴合了树脂片材的带凸起的晶片的背面的工序。
全文摘要
一种半导体密封用树脂组合物，含有(A)在一个分子中具有2个或以上的环氧基的环氧树脂、(B)固化剂、及(C)由金属氧化物和二氧化硅构成的复合无机氧化物粒子，所述金属氧化物选自元素周期表第III族和除了硅以外的第IV族的金属原子的氧化物中的至少一种；一种半导体装置，包括布线电路基板、半导体元件和上述树脂组合物；以及一种半导体装置的制造方法，包括将包含上述树脂组合物和剥离片材的树脂片材贴合在带凸起的晶片的半导体电路面上的工序；仅将树脂组合物残留在晶片上，去除剥离片材的工序；及将晶片切割成单个芯片的工序。
文档编号H01L23/29GK1616579SQ200410085100
公开日2005年5月18日 申请日期2004年9月17日 优先权日2003年9月18日
发明者野吕弘司 申请人:日东电工株式会社