专利名称：影像感测器的制作方法
技术领域：
本实用新型关于一种影像感测器，尤其关于一种具有较高光学性能的影像感测器。
背景技术：
目前，影像感测器广泛地应用于数码相机中，用于将数码相机获取的光信号转换为电信号。现有的互补性金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)影像感测器结构可以参考图1所示，该互补性金属氧化物半导体影像感测器100包括，底层10，置于底层10上的中间层20，以及置于中间层20上的透镜层30。该底层10为半导体层，在其上表面按一定顺序间隔嵌有电二极管12。该中间层20包括非透明的金属层21以及彩色滤波片层22，该金属层21覆盖于底层10的上表面上没有电二极管12的部分，该滤波片层22覆盖于金属层21及电二极管12上。该透镜层30由多个显微透镜31组成，每一显微透镜31的位置分别与一电二极管12相对应。在该互补性金属氧化物半导体影像感测器中，由于光学部分显微透镜31为球面透镜，像差比较大，所以即便提高非光学部分的解析度，也不能使整个互补性金属氧化物半导体影像感测器的解析度提高。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种具有较高光学性能的影像感测器。
为实现上述技术方案，本实用新型提供一种影像感测器，包括底层，置于底层上的中间层，以及置于中间层上的透镜层，该底层为硅层，在其上表面按一定顺序间隔嵌有电二极管，该中间层包括非透明的金属层以及彩色滤波片层，该金属层覆盖于底层的上表面上没有电二极管的部分，该滤波片层直接覆盖于金属层以及电二极管上，其中透镜层为菲涅耳透镜阵列，每一菲涅耳透镜的位置分别与一电二极管相对应。
与现有技术相比较，本实用新型采用相差较小的菲涅耳透镜阵列代替传统的球形显微透镜阵列，从而提升了影像感测器的解析度，使其具有较高光学性能。
图1是现有影像感测器的结构示意图；图2是本实用新型影像感测器的结构示意图。
具体实施方式请参照图2所示，本实用新型互补性金属氧化物半导体影像感测器400包括，底层4 1，置于底层4 1上的中间层42，以及置于中间层42上的透镜层43。该底层4 1为半导体层，该半导体层可以是硅层或锗层，在其上表面按一定顺序间隔嵌有电二极管4 11。该中间层42包括非透明的金属层421以及彩色滤波片层422，该金属层42 1覆盖于底层41的上表面上没有电二极管411的部分，该滤波片层422覆盖于金属层421以及电二极管411上。该透镜层43为菲涅耳透镜阵列(Fresnel lens array)，每一透镜31的位置分别与一电二极管411相对应。
由于菲涅耳透镜本身具有减小相差的特性，从而使得互补性金属氧化物半导体影像感测器400的解析度得到提升。
权利要求1.一种影像感测器，包括感光层，置于感光层上的滤色层，以及置于滤色层上的透镜层，其特征在于该透镜层为菲涅耳透镜阵列。
2.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于所述感光层包括半导体层，在其上表面按一定顺序间隔嵌有多个电二极管，以及其上的非透明的金属层，该金属层覆盖于底层的上表面上没有电二极管的部分。
3.如权利要求2所述的影像感测器，其特征在于所述滤色层为彩色滤波片，直接覆盖于金属层以及电二极管上。
4.如权利要求3所述的影像感测器，其特征在于每一透镜的位置分别与一电二极管相对应。
5.如权利要求4所述的影像感测器，其特征在于所述半导体层为硅层。
6.如权利要求4所述的影像感测器，其特征在于所述半导体层为锗层。
专利摘要一种影像感测器，包括感光层，置于感光层上的滤色层以及置于滤色层上的透镜层，该透镜层为菲涅耳透镜阵列。与现有技术相比较，本实用新型采用菲涅耳透镜阵列，从提升了影像感测器的解析度，使其具有较高光学性能。
文档编号H01L31/0232GK2736935SQ200420088210
公开日2005年10月26日 申请日期2004年9月11日 优先权日2004年9月11日
发明者余泰成 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司